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互补横向绝缘栅双极晶体管的模型与特性被引量：1: 1; 作者李肇基王国新 +1 位作者曾军吴世勇《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第11期32-38,共7页; 本文提出互补横向绝缘栅双极晶体管CLIGBT的一种网络模型.根据双极传输理论,考虑电导调制效应、闭锁效应、反向注入及电流的多维效应,导出一种漂移宽基区双极—MOS器件的电路网络模型.首次将此模型直接嵌入SPICE3A.7中.计算CLIGBT在不... 展开更多; 关键词双极晶体管模型特性互补绝缘栅; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的中功率放大器: 2; 作者宋家友王志功彭艳军《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期46-49,共4页; 采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点。通过在管子基极和匹配电感中串联... 展开更多; 关键词功率放大器锗硅双极性互补金属氧化物半导体异质结双极型晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

完全互补OCDMA系统编解码方案与系统设计: 3; 作者陈雷郭艳菊 +2 位作者张燕康志龙贾志成《光通信研究》北大核心 2008年第3期10-13,共4页; 对双极性光码分多址(OCDMA)系统采用码的单/双极性转换思路,将相关性能更优秀的双极性码应用于传统单极性OCDMA信道中,提出了一种采用双极性完全互补序列的OCDMA编解码方案及系统模型。仿真结果表明,完全互补的OCDMA系统与基于Gold序列... 展开更多; 关键词光码分多址双极性码单极性码完全互补序列相关特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

高频CB工艺与硅超高速集成运放: 4; 作者王界平龙弟光王清平《电子器件》 CAS 1997年第1期24-27,共4页; 本文介绍了硅超高速集成运算放大器的电路设计、版图设计和工艺研究情况.; 关键词高频互补双极工艺超高速集成运算放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

CMOS器件单粒子效应电荷收集机理被引量：2: 5; 作者董刚封国强 +1 位作者陈睿韩建伟《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期839-843,共5页; 针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管与PMOS(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管的单粒子瞬变... 展开更多; 关键词单粒子瞬变重离子寄生双极放大效应反相器电荷收集 CMOS工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

3.43 GHz SiGe BiCMOS功率放大器设计被引量：1: 6; 作者周建冲李智群 +1 位作者范海娟王志功《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S2期16-19,共4页; 采用AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了用于卫星通信用的3.33-3.53 GHz功率放大器.该功率放大器采用单端结构,工作于A类.在3.3 V电源电压下,功率放大器的功率增益为22.3 dB,输出1 dB压缩点为31.9 dBm,相应的功率附加效率为25.2%.仿真... 展开更多; 关键词 SiGeBiCMOS 射频功率放大器设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计被引量：4: 7; 作者王鹏徐青 +1 位作者杭丽付晓君《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第6期-,共5页; 在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的... 展开更多; 关键词抗辐射加固金属氧化物半导体场效应管驱动器高压集成电路(IC) 双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种低失调轨到轨集成运算放大器的设计被引量：5: 8; 作者刘国庆孙婧雯 +1 位作者马奎杨发顺《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期151-156,169,共7页; 设计了一款低失调轨到轨运算放大器。通过利用两个晶体管的基极-发射极(BE)结压降和一个可修调电阻来钳制共射-共基组态中共基对管的集电极电位,同时用电阻代替输入级有源负载,有效抑制了电路失调;偏置电路使用温度系数相反的p型结型场... 展开更多; 关键词低失调轨到轨高精度低温漂互补双极型工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名互补横向绝缘栅双极晶体管的模型与特性被引量：1: 1; 作者李肇基王国新曾军吴世勇; 机构电子科技大学微电子所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第11期32-38,共7页; 基金国家自然科学基金; 文摘本文提出互补横向绝缘栅双极晶体管CLIGBT的一种网络模型.根据双极传输理论,考虑电导调制效应、闭锁效应、反向注入及电流的多维效应,导出一种漂移宽基区双极—MOS器件的电路网络模型.首次将此模型直接嵌入SPICE3A.7中.计算CLIGBT在不同栅压和横向电阻下的静态闭锁特性及在不同漂移区长度和不同PMOS宽长比下的瞬态闭锁特性.由此可解决含有CL-lGBT等BIMOS类器件的高压集成电路HVIC的设计问题.; 关键词双极晶体管模型特性互补绝缘栅; Keywords complementary lateral insulated-gate bipolar transistor, Ambipolar transport equation, Conductivity modulation effect, Latch up effect; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的中功率放大器: 2; 作者宋家友王志功彭艳军; 机构东南大学射频与光电集成电路研究所郑州大学信息工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期46-49,共4页; 基金 863课题资助(2006AA03Z418); 文摘采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点。通过在管子基极和匹配电感中串联电阻实现了全频段稳定。键合测试表明,在所有电源电压下电路均能稳定工作。在VC=3.5V,VB=7V,f=4.1GHz时,小信号增益为17.7dB,输入输出反射系数分别为-16.9dB和-13.9dB,而在输出功率为22.8dBm时,二次和三次谐波分别小于-36dBc和-45dBc。; 关键词功率放大器锗硅双极性互补金属氧化物半导体异质结双极型晶体管; Keywords power amplifier germanium silicon bipolar complementary metai-oxide-semi-conductor heterojunction bipolar transistor; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名完全互补OCDMA系统编解码方案与系统设计: 3; 作者陈雷郭艳菊张燕康志龙贾志成; 机构天津商业大学信息工程学院河北工业大学信息工程学院; 出处《光通信研究》北大核心 2008年第3期10-13,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60502016) 天津市高等学校科技发展基金重点项目(2006ZH91); 文摘对双极性光码分多址(OCDMA)系统采用码的单/双极性转换思路,将相关性能更优秀的双极性码应用于传统单极性OCDMA信道中,提出了一种采用双极性完全互补序列的OCDMA编解码方案及系统模型。仿真结果表明,完全互补的OCDMA系统与基于Gold序列的OCDMA系统性能相比有较大的优势。采用完全互补序列作为地址码,可以有效降低OCDMA系统中的多址干扰,提高通信质量。; 关键词光码分多址双极性码单极性码完全互补序列相关特性; Keywords OCDMA bipolar code unipolar code complete complementary code correlation property; 分类号 TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高频CB工艺与硅超高速集成运放: 4; 作者王界平龙弟光王清平; 机构电子工业部第二十四研究所; 出处《电子器件》 CAS 1997年第1期24-27,共4页; 文摘本文介绍了硅超高速集成运算放大器的电路设计、版图设计和工艺研究情况.; 关键词高频互补双极工艺超高速集成运算放大器; Keywords High--Frequency complementary bipolar Process, Very High--Speed Integrated Operational Amplifier; 分类号 TN722.77 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CMOS器件单粒子效应电荷收集机理被引量：2: 5; 作者董刚封国强陈睿韩建伟; 机构中国科学院研究生院中国科学院国家空间科学中心; 出处《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期839-843,共5页; 基金中国科学院支撑技术资助项目(110161501038) 中国科学院国家空间科学中心重点培育课题资助项目(Y32113EB3S); 文摘针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管与PMOS(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管的单粒子瞬变(SET,Single Event Transient)电流脉冲,深入分析了PMOSFET(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor)与NMOSFET(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)发生单粒子效应时电荷输运过程和电荷收集机理.研究结果表明,由于电路耦合作用,反相器中晶体管的电荷收集与单个晶体管差异显著;反相器中PMOS晶体管电荷收集过程中存在寄生双极放大效应,NMOS晶体管中不存在寄生双极放大效应;由于双极放大效应,90 nm工艺下PMOS晶体管产生的SET电压脉冲比NMOS晶体管产生的电压脉冲持续时间更长,进而导致PMOS晶体管的SET效应更加敏感.研究结果为数字电路SET的精确建模、进行大规模集成电路SET效应模拟提供了参考依据.; 关键词单粒子瞬变重离子寄生双极放大效应反相器电荷收集 CMOS工艺; Keywords single event transient heavy ion parasitic bipolar amplification inverter charge collection complementary metal oxide semiconductor（CMOS） technology; 分类号 V57 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名3.43 GHz SiGe BiCMOS功率放大器设计被引量：1: 6; 作者周建冲李智群范海娟王志功; 机构东南大学射频与光电集成电路研究所; 出处《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S2期16-19,共4页; 基金东南大学射光所与雷克微波有限公司联合实验室资助项目; 文摘采用AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了用于卫星通信用的3.33-3.53 GHz功率放大器.该功率放大器采用单端结构,工作于A类.在3.3 V电源电压下,功率放大器的功率增益为22.3 dB,输出1 dB压缩点为31.9 dBm,相应的功率附加效率为25.2%.仿真结果表明,该功率放大器具有良好的输入、输出匹配,工作稳定.; 关键词 SiGeBiCMOS 射频功率放大器设计; Keywords silicon-germanium bipolar complementary mental oxide semiconductor(SiGe BiCMOS) radio frequency power amplifier design; 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计被引量：4: 7; 作者王鹏徐青杭丽付晓君; 机构中国电子科技集团公司第; 出处《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第6期-,共5页; 文摘在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。; 关键词抗辐射加固金属氧化物半导体场效应管驱动器高压集成电路(IC) 双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺; Keywords radiation hardening Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Driver high- voltage Integrated Circuit bipolar-complementary Metal Oxide Semiconductor-Double-Diffused Metal-Oxide Semiconductor; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种低失调轨到轨集成运算放大器的设计被引量：5: 8; 作者刘国庆孙婧雯马奎杨发顺; 机构贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期151-156,169,共7页; 基金贵州大学引进人才项目(贵大人基合字(2019)63)。; 文摘设计了一款低失调轨到轨运算放大器。通过利用两个晶体管的基极-发射极(BE)结压降和一个可修调电阻来钳制共射-共基组态中共基对管的集电极电位,同时用电阻代替输入级有源负载,有效抑制了电路失调;偏置电路使用温度系数相反的p型结型场效应晶体管(p-JFET)与Cr-Si电阻结合,产生高精度、低温漂的电流;增益级与输入级组合为共射-共基结构,实现高增益;输出级采用AB类结构,保证轨到轨输出的同时提供足够的驱动能力。基于互补双极型工艺流片,测试结果表明:在电源电压±15 V,共模输入电压为0 V时,输出电压摆幅为-14.97~14.86 V,输入失调电流低于0.8 nA,大信号增益达到121 dB,压摆率为4.28 V/μs。该芯片可应用于便携式电信设备、电源控制与保护、采用轨到轨输入的传感器等领域。; 关键词低失调轨到轨高精度低温漂互补双极型工艺; Keywords low offset rail-to-rail high precision low temperature drift complementary bipolar process; 分类号 TN722.77 [电子电信—电路与系统] TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	互补横向绝缘栅双极晶体管的模型与特性	李肇基王国新曾军吴世勇	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1992	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的中功率放大器	宋家友王志功彭艳军	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	完全互补OCDMA系统编解码方案与系统设计	陈雷郭艳菊张燕康志龙贾志成	《光通信研究》北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高频CB工艺与硅超高速集成运放	王界平龙弟光王清平	《电子器件》 CAS	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	CMOS器件单粒子效应电荷收集机理	董刚封国强陈睿韩建伟	《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	3.43 GHz SiGe BiCMOS功率放大器设计	周建冲李智群范海娟王志功	《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计	王鹏徐青杭丽付晓君	《太赫兹科学与电子信息学报》	2016	4	在线阅读下载PDF 职称材料
8	一种低失调轨到轨集成运算放大器的设计	刘国庆孙婧雯马奎杨发顺	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	5	在线阅读下载PDF 职称材料