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一种非对称共面波导相位补偿弯曲结构 被引量:6
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作者 李晓明 房少军 付世强 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期84-89,共6页
提出了一种采用非对称共面波导进行相位补偿的弯曲共面波导结构。该结构在传统共面波导弯曲结构中引入由非对称共面波导、共面波导以及渐变短截线组成的周期性结构,以解决传统弯曲结构中,因两槽中的信号存在相位差而激发奇模的问题。所... 提出了一种采用非对称共面波导进行相位补偿的弯曲共面波导结构。该结构在传统共面波导弯曲结构中引入由非对称共面波导、共面波导以及渐变短截线组成的周期性结构,以解决传统弯曲结构中,因两槽中的信号存在相位差而激发奇模的问题。所提出结构具有等阻抗特性,这对于信号的传输是有益的。理论分析和仿真测试结果证明了这一结构在相位补偿上的有效性,结合数值计算的设计方法亦得到总结。 展开更多
关键词 非对称共面波导 弯曲结构 相位补偿 等阻抗结构
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双/三模基片集成波导和共面波导混合结构滤波器设计 被引量:8
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作者 刘庆 周东方 +3 位作者 张德伟 王树兴 吕大龙 张毅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期952-960,共9页
针对微波带通滤波器小型化、高性能的应用需求,提出使用双/三模方形基片集成波导和共面波导混合结构设计带通滤波器.通过改变双模基片集成波导中TE_(102)和TE_(201)的谐振频率和外部耦合的强弱,可实现具有近似椭圆、非对称和无传输零点... 针对微波带通滤波器小型化、高性能的应用需求,提出使用双/三模方形基片集成波导和共面波导混合结构设计带通滤波器.通过改变双模基片集成波导中TE_(102)和TE_(201)的谐振频率和外部耦合的强弱,可实现具有近似椭圆、非对称和无传输零点响应的双模滤波器;两个相同尺寸的共面波导作为谐振器蚀刻在基片集成波导表面,与TE_(102)和TE_(201)共同形成一个通带,设计具有多样性响应的四阶滤波器.在具有非对称响应四阶滤波器的基础上,使主模TE_(101)频率移动到该通带附近,设计更宽带宽的五阶滤波器.并对设计的滤波器进行加工和测试.测试结果与仿真结果吻合,表明了该混合结构设计高性能滤波器方法的可行性. 展开更多
关键词 带通滤波器 基片集成波导 共面波导 近似椭圆响应 非对称响应 双模 三模
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微波功分器的模拟与设计 被引量:8
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作者 焦永昌 廖小平 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期424-427,共4页
介绍了功分器的原理,采用电容补偿法以减小功分器的尺寸,并利用奇偶模分析法推导了电容补偿的设计公式,利用HFSS软件模拟了电容补偿前后功分器的幅频特性和相频特性,电容补偿使得功分器的面积减小近一半,但也使得其幅频特性变差:在中心... 介绍了功分器的原理,采用电容补偿法以减小功分器的尺寸,并利用奇偶模分析法推导了电容补偿的设计公式,利用HFSS软件模拟了电容补偿前后功分器的幅频特性和相频特性,电容补偿使得功分器的面积减小近一半,但也使得其幅频特性变差:在中心频率点10GHz处,S11均小于-32dB,但在9~11GHz的频率范围内,S11由低于-24dB变差为低于-14dB。 展开更多
关键词 功分器 共面波导 不对称共面带线 电容补偿
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非对称支持宽边耦合共面波导的模式分析 被引量:2
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作者 王安国 吴咏诗 丁润涛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期390-393,共4页
本文用准静态的方法分析了非对称支持宽边耦合共面波导的基本传播模式 ,给出了C模式和π模式的正确判据 ,纠正了现有文献中的错误 ,同时给出了其两线电压比、电流比和C模式和π模式的等效相对介电常数与模式阻抗的正确表达式 .在上层介... 本文用准静态的方法分析了非对称支持宽边耦合共面波导的基本传播模式 ,给出了C模式和π模式的正确判据 ,纠正了现有文献中的错误 ,同时给出了其两线电压比、电流比和C模式和π模式的等效相对介电常数与模式阻抗的正确表达式 .在上层介质为空气、下层介质分别为石英或硬铝时 ,分别计算了其C模式和π模式的等效相对介电常数与模式阻抗随结构参数的变化曲线 .这些均为在三维 (多层 ) 展开更多
关键词 传播模式 非对称支持 宽边耦合 共面波导 模式分析
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利用时域有限差分法计算并分析非对称共面波导色散特性 被引量:5
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作者 陈鹏 房少军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1610-1612,共3页
利用FDTD方法对ACPW的色散特性进行了计算与分析,给出了计算ACPW的FDTD全空间计算模型,取高斯脉冲的激励,选择Mur二阶吸收边界条件,计算得出几种结构的ACPW的特性阻抗Z0(ω),并绘出了Z0随频率变化的曲线.计算结果与测试值取得了良好的... 利用FDTD方法对ACPW的色散特性进行了计算与分析,给出了计算ACPW的FDTD全空间计算模型,取高斯脉冲的激励,选择Mur二阶吸收边界条件,计算得出几种结构的ACPW的特性阻抗Z0(ω),并绘出了Z0随频率变化的曲线.计算结果与测试值取得了良好的一致性. 展开更多
关键词 非对称共面波导 时域有限差分法 Mur边界条件 特性阻抗Z0 色散特性
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非对称共面波导弯曲结构模式转换的研究 被引量:2
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作者 陈宏巍 房少军 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第5期845-850,共6页
针对传统共面波导弯曲结构传输损耗较大的问题,研究了非对称共面波导弯曲结构.将时域多分辨率分析算法与从Y参数提取c模、π模特性阻抗的方法相结合,推导了二端口两种模式的散射矩阵计算公式.计算了非对称共面波导弯曲结构的传输系数.... 针对传统共面波导弯曲结构传输损耗较大的问题,研究了非对称共面波导弯曲结构.将时域多分辨率分析算法与从Y参数提取c模、π模特性阻抗的方法相结合,推导了二端口两种模式的散射矩阵计算公式.计算了非对称共面波导弯曲结构的传输系数.在理论分析的基础上,提出了一种测试模式间能量转换的实验装置.理论分析和实验结果证明:相对于传统共面波导弯曲结构,非对称共面波导弯曲结构的模式间能量转换更低,传输损耗更小. 展开更多
关键词 非对称共面波导弯曲结构 c模 π模 模式转换
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ADI-MRTD算法在新型非对称共面波导滤波器中的应用
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作者 范木杰 房少军 李晓明 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1115-1118,共4页
通过给出交替隐式时域多分辨分析算法(ADI-MRTD)公式,用完全匹配层(PML)作为ADI-MRTD算法的吸收边界条件,将其应用到非对称共面波导(ACPW)及超宽带ACPW滤波器.计算及实验结果表明,ADI-MRTD算法与传统FDTD算法相比,所需计算的网格数量减... 通过给出交替隐式时域多分辨分析算法(ADI-MRTD)公式,用完全匹配层(PML)作为ADI-MRTD算法的吸收边界条件,将其应用到非对称共面波导(ACPW)及超宽带ACPW滤波器.计算及实验结果表明,ADI-MRTD算法与传统FDTD算法相比,所需计算的网格数量减少,节省了计算内存,计算效率更高,与FDTD计算结果及测量结果相符. 展开更多
关键词 交替隐式时域多分辨分析 完全匹配层 非对称共面波导 滤波器
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用直线法分析非对称支持宽边耦合共面波导的色散特性
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作者 王安国 戴居丰 吴咏诗 《微波学报》 CSCD 北大核心 2001年第1期78-84,共7页
本文利用去耦电壁与去耦磁壁模型 ,用直线法分析了非对称支持宽边耦合共面波导的色散特性 ,发现在宽频带范围内其色散性相对较弱。此结果为在三维微波集成电路中应用非对称支持宽边耦合共面波导电路时 ,在 0~ 2 0
关键词 非对称支持 宽边耦合 共面波导 色散性 直线法
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微波波段带通光调制器的优化设计
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作者 周毅 陈益新 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1994年第2期104-111,共8页
本文对具有极性反转电极结构的行波型波导电光调制器的调制特性进行了理论分析,对共平面波导电极和非对称微带电极用于极性反转电极结构下的有关特征参量进行了数值计算。对使用这两种电极制成的调制器,我们用带宽-长度积、电压-长... 本文对具有极性反转电极结构的行波型波导电光调制器的调制特性进行了理论分析,对共平面波导电极和非对称微带电极用于极性反转电极结构下的有关特征参量进行了数值计算。对使用这两种电极制成的调制器,我们用带宽-长度积、电压-长度积和带宽-电压比这三个品质因子对其性能进行了比较。本文还给出了调制器的设计实例。对结果的分析讨论表明,非对称微带电极用于极性反转电极结构对在高频波段实现低驱动功率光调制是十分有效的。 展开更多
关键词 调制器 微波频率 光调制器
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1.5 μm Ti:LiNbO_3电光波导强度调制器
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作者 张伯华 高福斌 金锋 《高速摄影与光子学》 CSCD 1990年第2期199-204,共6页
用钛内扩散技术和常规光刻手段,研制出1.5μmLiNbO_3电光波导强度调制器。它由单模波导非对称Mach-Zehnder干涉仪和三电极共平面波导组成。干涉仪的两个臂长相差波导波长的四分之一,使器件在最佳线性点工作,无需外加电偏压。集总调制和... 用钛内扩散技术和常规光刻手段,研制出1.5μmLiNbO_3电光波导强度调制器。它由单模波导非对称Mach-Zehnder干涉仪和三电极共平面波导组成。干涉仪的两个臂长相差波导波长的四分之一,使器件在最佳线性点工作,无需外加电偏压。集总调制和行波调制的理论带宽分别为1GHz和7.8GHz。对于集总器件,测量了调制特性,半波电压为9.5V,调制带宽为0.7GHz。 展开更多
关键词 电光波导 调制器 LINBO3光波导
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高端口隔离度的太赫兹基波上混频器设计
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作者 孟凡易 刘浩 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期17-23,共7页
介绍了一种基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,具有高本振(Local Oscillator,LO)/射频(Radio Frequency,RF)及本振/中频(Intermediate Frequency,IF)端口隔离度的太赫兹基波上混频器.该混频器采用了吉尔伯特双平衡结构,本振信号通过共面... 介绍了一种基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,具有高本振(Local Oscillator,LO)/射频(Radio Frequency,RF)及本振/中频(Intermediate Frequency,IF)端口隔离度的太赫兹基波上混频器.该混频器采用了吉尔伯特双平衡结构,本振信号通过共面波导(Coplanar Waveguide,CPW)传输来抑制其在传输过程中由于强寄生耦合效应造成的传输不对称性,削弱了由该不对称性造成的LO/RF端口隔离度恶化的特性.通过采用非对称性的开关互联结构降低本振信号在开关晶体管集电极端寄生耦合的不平衡性,提升本振信号在开关晶体管集电极端的对消效率,通过在版图中合理布局跨导级晶体管的位置来抑制本振信号在中频端口的泄露.后仿真结果表明:在2.2 V电源电压下,本振信号为230 GHz,中频信号为2~12 GHz,该上混频器工作在218~228 GHz时,LO/RF端口隔离度大于24 dB,LO/IF端口隔离度大于20 dB,转换增益为-4~-3.5 dB.当中频信号为10 GHz时,输出1 dB压缩点为-14.8dBm.电路直流功耗为42.4 mW,芯片的核心面积为0.079 mm2.该上混频器可应用于采用高阶正交幅度调制(Quadrature Amplitude Modulation,QAM)方式的无线发射系统. 展开更多
关键词 太赫兹 吉尔伯特双平衡 共面波导 非对称开关互联
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