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考虑气隙缺陷与介电功能梯度材料的GIS盆式绝缘子电场特性研究 被引量:1
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作者 吴彦亨 罗艳 +1 位作者 马鹏欢 张琴琴 《绝缘材料》 北大核心 2025年第1期91-96,共6页
气隙缺陷是GIS盆式绝缘子内部常见的缺陷之一,气隙会引起电场畸变,而介电功能梯度材料的引入可以优化盆式绝缘子的局部电场,但在气隙缺陷与介电功能梯度材料共同作用下,其电场特性尚未可知。因此,本文建立具有均匀介质和介电功能梯度材... 气隙缺陷是GIS盆式绝缘子内部常见的缺陷之一,气隙会引起电场畸变,而介电功能梯度材料的引入可以优化盆式绝缘子的局部电场,但在气隙缺陷与介电功能梯度材料共同作用下,其电场特性尚未可知。因此,本文建立具有均匀介质和介电功能梯度材料(ε-FGM)的GIS盆式绝缘子电场仿真模型,讨论气隙的存在及气隙位置对于均匀介质和ε-FGM盆式绝缘子电场分布的影响。结果表明:引入的介电功能梯度材料的调控效果较为理想。当均匀介质盆式绝缘子中掺杂气隙时,靠近高压导体、绝缘子中部、靠近接地外壳3个气隙位置的场强均有明显的增加,电场增加率分别为85.32%、78.10%和68.69%。气隙缺陷对ε-FGM盆式绝缘子电场特性影响趋势基本和对均匀介质盆式绝缘子的影响趋势一致,但从具体数值上看,气隙缺陷对ε-FGM盆式绝缘子电场特性影响与对均匀介质盆式绝缘子的影响仍有一定的差异性。气隙缺陷对于介电功能梯度材料绝缘子电场值的影响更大,在设计介电功能梯度材料绝缘子时,应尤其注意对介质中气隙缺陷的抑制。 展开更多
关键词 气隙缺陷 GIS盆式绝缘子 介电常数 功能梯度材料 有限元方法 电场特性
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复介电常量双缺陷层的镜像对称光子晶体特性 被引量:9
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作者 陈海波 高英俊 胡素梅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期233-237,共5页
利用传输矩阵法研究了两个复介电常量缺陷层镜像对称一维光子晶体的带隙结构和光传输特性。重点讨论了缺陷层的复介电常量的虚部为负值且光学厚度为λ0/4的情形时对传输特性的影响。研究发现:当在光子晶体的两端加入具有负虚部的复介电... 利用传输矩阵法研究了两个复介电常量缺陷层镜像对称一维光子晶体的带隙结构和光传输特性。重点讨论了缺陷层的复介电常量的虚部为负值且光学厚度为λ0/4的情形时对传输特性的影响。研究发现:当在光子晶体的两端加入具有负虚部的复介电常量缺陷层后,多处出现了较强的透射峰增益。随着缺陷层复介电常量的虚部与实部比值的增加,各处透射峰增益变化规律不同。但中心波长处的缺陷膜的位置和高度不变。这为光子晶体同时实现多通道超窄带滤波器和不同放大倍数的光放大微器件的设计提供了理论基础。而在光子晶体的两端加入具有正虚部的复介电常量缺陷层后,各透射峰都出现了吸收现象,且随着其正虚部值I的增加,吸收越明显,这给光子晶体实现放大功能提供了理论指导。 展开更多
关键词 光子晶体 复介电常量缺陷层 透射增益 透射吸收
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复介电缺陷层镜像对称1维光子晶体特性研究 被引量:4
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作者 陈海波 胡素梅 高英俊 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期531-533,共3页
为了研究关于复介电常量缺陷层镜像对称的1维光子晶体的带隙结构和光传输特性,利用传输矩阵法,讨论了缺陷层的复介电常量的虚部为负值且光学厚度为λ0/2的情形对传输特性的影响。结果表明,当在光子晶体加入复介电常量的缺陷层后,在靠近... 为了研究关于复介电常量缺陷层镜像对称的1维光子晶体的带隙结构和光传输特性,利用传输矩阵法,讨论了缺陷层的复介电常量的虚部为负值且光学厚度为λ0/2的情形对传输特性的影响。结果表明,当在光子晶体加入复介电常量的缺陷层后,在靠近光子带隙边缘,出现了较强的透射峰增益;随着缺陷层复介电常量的实部和虚部的增加,透射增益先增加后减少,中间存在一极值点,但缺陷膜的位置和高度不受复介电常量的实部和虚部的影响。这一结果为光子晶体同时实现超窄带滤波器和光放大微器件提供了理论基础。 展开更多
关键词 物理光学 透射增益 传输矩阵法 复介电常量缺陷层 缺陷膜
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具有复介电缺陷一维三元光子晶体禁带特性的研究 被引量:5
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作者 陈海波 高英俊 胡素梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期593-596,共4页
运用光学传输矩阵理论,研究了具有复介电常量缺陷层一维三元光子晶体的禁带特性。数值模拟结果得出:含有单缺陷的一维三元光子晶体的禁带中出现透射峰A和透射峰B,缺陷层复介电常量的虚部对透射峰B的影响很大。虚部为正时,表现为对透射峰... 运用光学传输矩阵理论,研究了具有复介电常量缺陷层一维三元光子晶体的禁带特性。数值模拟结果得出:含有单缺陷的一维三元光子晶体的禁带中出现透射峰A和透射峰B,缺陷层复介电常量的虚部对透射峰B的影响很大。虚部为正时,表现为对透射峰B的吸收,随着虚部的增加,透射峰B逐渐降低;虚部为负时,表现为对透射峰B先增益然后吸收,随着虚部的增加,透射峰B先增加后减少。但缺陷层复介电常量虚部的变化对透射峰A基本不影响。本研究为光子晶体同时实现双通道滤波器和放大器提供理论参考。 展开更多
关键词 一维三元光子晶体 复介电缺陷层 透射增益 透射吸收
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1维光子晶体缺陷模 被引量:6
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作者 李志全 康莉莉 苏风燕 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期767-769,共3页
利用光学传输矩阵理论对掺杂1维光子晶体的缺陷模进行了研究。计算和分析了缺陷层折射率、缺陷层厚度与缺陷峰的关系。得出结论:随着缺陷层厚度的增大,缺陷峰波长呈线性增加,但是当缺陷层厚度增加到一定值时,缺陷峰的个数也将不断增加;... 利用光学传输矩阵理论对掺杂1维光子晶体的缺陷模进行了研究。计算和分析了缺陷层折射率、缺陷层厚度与缺陷峰的关系。得出结论:随着缺陷层厚度的增大,缺陷峰波长呈线性增加,但是当缺陷层厚度增加到一定值时,缺陷峰的个数也将不断增加;缺陷层折射率也与缺陷峰波长有线性正比关系。从而提出了一种在微波领域测量介质折射率和介电常数的有效方法。 展开更多
关键词 1维光子晶体 传输矩阵法 缺陷模 介质折射率 介电常数
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复介电右手材料和左手材料构成的光子晶体的特性研究 被引量:4
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作者 陈海波 高英俊 胡素梅 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期42-43,共2页
利用传输矩阵法研究了复介电右手材料和左手材料构成的光子晶体的带隙结构和光传输特性。研究结果表明:一维右手材料和左手材料构成的光子晶体具有宽禁带的特点,禁带中出现多个共振透射峰。当组成该光子晶体的右手材料为复介电且其虚部... 利用传输矩阵法研究了复介电右手材料和左手材料构成的光子晶体的带隙结构和光传输特性。研究结果表明:一维右手材料和左手材料构成的光子晶体具有宽禁带的特点,禁带中出现多个共振透射峰。当组成该光子晶体的右手材料为复介电且其虚部为负时,各共振透射模式都出现了较强的增益,且虚部的绝对值较小时,增益随着波长的增加呈指数减小。而虚部的绝对值较大时,增益与波长的关系近似呈倒"V"形状。随着复介电常量的虚部绝对值的增加,各透射增益先增加后减少,中间存在一极值点。而当组成该光子晶体的右手材料的复介电虑部为正时,表现为对各共振透射模式的吸收,且吸收随着波长的增加呈指数增加。这一结果为光子晶体同时实现多通道超窄带滤波器和光放大微器件提供了理论基础。 展开更多
关键词 复介电左右手材料 传输矩阵法 共振透射峰 透射增益 透射吸收
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复介电一维双周期光子晶体的透射谱结构及其特性
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作者 高英俊 焦美娜 +2 位作者 陈海波 卢强华 黄创高 《广西科学》 CAS 2010年第2期122-125,共4页
利用传输矩阵法研究一维双周期光子晶体的带隙结构、增益和衰减特性。结果表明:双周期一维二元和三元复合光子晶体的光子带隙结构具有宽禁带的特点,并且两带隙的交叠处出现了多个共振透射峰;当组成该光子晶体的一种介质为复介电且其虚... 利用传输矩阵法研究一维双周期光子晶体的带隙结构、增益和衰减特性。结果表明:双周期一维二元和三元复合光子晶体的光子带隙结构具有宽禁带的特点,并且两带隙的交叠处出现了多个共振透射峰;当组成该光子晶体的一种介质为复介电且其虚部为负时,各共振透射模式都出现了不同程度的增益;随着复介电常量虚部的增加,各透射增益先增加后减少,中间存在一极值点,但是各共振透射模式出现透射增益极值点的虚部不同,且最大增益的大小也不同;当组成该光子晶体的一种介质的复介电虚部为正时,各共振透射模式的透射峰出现衰减。 展开更多
关键词 光子晶体 复介电常量 透射增益 透射吸收
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HfO2/SrTiO3氧化物场效应晶体管的深能级瞬态谱测试方法研究
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作者 肖化宇 杨潇 +2 位作者 唐义强 曾慧中 张万里 《电子测量技术》 2020年第9期23-28,共6页
研究了深能级瞬态谱(DLTS)测量HfO2/SrTiO3(STO)场效应晶体管中缺陷的方法。该场效应晶体管的沟道为Ar+轰击SrTiO3表面形成的导电层,导电层表现为n型掺杂,其载流子浓度约为2.5×1013 cm-2;栅介质为通过磁控溅射的方法制备的非晶氧... 研究了深能级瞬态谱(DLTS)测量HfO2/SrTiO3(STO)场效应晶体管中缺陷的方法。该场效应晶体管的沟道为Ar+轰击SrTiO3表面形成的导电层,导电层表现为n型掺杂,其载流子浓度约为2.5×1013 cm-2;栅介质为通过磁控溅射的方法制备的非晶氧化铪。实验结果和模拟计算均表明SrTiO3基底介电常数随温度的变化会对DLTS测试结果产生不可忽略的影响。在低温下,STO介电常数变化了约3倍,导致DLTS谱线的峰偏移了约1~3 K,进而引起所测缺陷能级偏大约15%,表观陷阱浓度也同样偏大。基于模拟计算,提出了一套修正DLTS实验数据的方法。使用该方法,得到HfO2/STO样品的缺陷能级为0.17 eV^0.38 eV,陷阱浓度为1012 cm-3~1013 cm-3。 展开更多
关键词 HfO2/SrTiO3 场效应晶体管 DLTS 缺陷 介电常数
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