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透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展被引量：8: 1; 作者王中健王龙彦 +2 位作者马仙梅付国柱荆海《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页; 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 展开更多; 关键词透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管有源矩阵电泳显示器集约化模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响被引量：1: 2; 作者苏雪琼王丽 +1 位作者甘渝林李宬汉《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期49-52,共4页; 利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测... 展开更多; 关键词透明氧化物半导体非晶IGZO薄膜脉冲激光沉积透明性电子迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能被引量：3: 3; 作者程晓涵吕建国 +3 位作者岳士录吕容恺陈凌翔叶志镇《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期876-879,共4页; 采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀... 展开更多; 关键词脉冲激光沉积 p型导电非晶氧化物半导体 CuNiSnO 薄膜生长温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展被引量：1: 4; 作者岳兰任达森 +1 位作者罗胜耘陈家荣《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-410,474,共11页; 薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏... 展开更多; 关键词薄膜晶体管(TFT) 非晶氧化物半导体(aos) 沟道层成膜技术薄膜组分掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展被引量：4: 5; 作者肖演杨斯铄 +2 位作者程凌云周游钱凌轩《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1-20,共20页; 日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。... 展开更多; 关键词非晶氧化镓光电探测器光电晶体管薄膜晶体管探测日盲紫外超宽禁带半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶氧化物薄膜晶体管的制备及电学性能综合性教学实验设计与实践被引量：2: 6; 作者许磊胡梦真 +1 位作者宋增才张新楠《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2022年第8期181-184,188,共5页; 文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明,通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等多个实验环节的设计,有助于学生认识电子材料与器件对信息时代的基石作用,了解新型显示和智能终端领域... 展开更多; 关键词非晶氧化物半导体磁控溅射退火实验设计薄膜晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展被引量：8: 1; 作者王中健王龙彦马仙梅付国柱荆海; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心中国科学院研究生院; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.60576056) 长春市高技术成果产业化计划项目(No.2006303); 文摘透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。; 关键词透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管有源矩阵电泳显示器集约化模型; Keywords transparent amorphous oxide semiconductors thin-film transistors active matrix organic light emitting diode active matrix electrophoretic display compact model; 分类号 TN911.72 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响被引量：1: 2; 作者苏雪琼王丽甘渝林李宬汉; 机构北京工业大学应用数理学院; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期49-52,共4页; 基金北京市教育委员会2011年度科技计划重点项目北京市人才强教深化计划-北京工业大学高层次人才引进及实施项目; 文摘利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试。通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。; 关键词透明氧化物半导体非晶IGZO薄膜脉冲激光沉积透明性电子迁移率; Keywords transparent oxide semiconductors amorphous IGZO films pulsed laser deposition transparency electron mobility; 分类号 O427 [理学—声学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能被引量：3: 3; 作者程晓涵吕建国岳士录吕容恺陈凌翔叶志镇; 机构浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期876-879,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(91333203); 文摘采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀。当衬底温度由RT升高至300℃时,CNTO薄膜的粗糙度由0.38nm下降至0.26nm;电阻率由高阻态转变为p型导电态,空穴浓度为4.06×1014/cm3。在300℃下生长的非晶CNTO薄膜表现为明显的p型导电,气敏测试结果进一步佐证了这一结论。此外,非晶CNTO薄膜可见光透过率达80%以上,为宽禁带非晶氧化物半导体,有望向透明显示领域发展。; 关键词脉冲激光沉积 p型导电非晶氧化物半导体 CuNiSnO 薄膜生长温度; Keywords pulsed laser deposition p-type conductivity amorphous oxide semiconductor CuNiSnO thin film growth temperature; 分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展被引量：1: 4; 作者岳兰任达森罗胜耘陈家荣; 机构贵州民族大学信息工程学院; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-410,474,共11页; 基金国家自然科学基金资助项目(61504031) 贵州省科学技术基金资助项目(黔科合LH字[2014]7388) 贵州民族大学科研基金资助项目(15XRY009); 文摘薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域。综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望。; 关键词薄膜晶体管(TFT) 非晶氧化物半导体(aos) 沟道层成膜技术薄膜组分掺杂; Keywords thin-film transistor （TFT） amorphous oxide semiconductor （aos） channel layer preparation technology of thin film film composition doping; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展被引量：4: 5; 作者肖演杨斯铄程凌云周游钱凌轩; 机构电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院)/电子薄膜与集成器件全国重点实验室; 出处《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1-20,共20页; 基金国家自然科学基金面上项目(62174025)。; 文摘日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。相较于单晶和外延氧化镓材料,非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))的制备温度更低,工艺相对简单,且衬底的适用范围更广,因此近些年成为Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测领域新的研究热点。本文旨在对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器的研究进展与现状进行介绍。首先介绍了a-Ga_(2)O_(3)的基本特性以及几种常见的制备方法,进而介绍了各种适用的器件类型、结构及性能。目前,a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器主要分为MSM型、结型、TFT型和阵列型等几大类,通过器件结构优化,进一步提升探测性能。其中,MSM型器件结构简单,响应度高,应用最为广泛;结型器件通过构建肖特基结和异质结等,具有响应速度快、暗电流低和自供电的特点;TFT型器件能够在抑制暗电流的同时放大增益,且可以通过施加栅压脉冲来提升响应速度;阵列型器件主要用于大面积成像。最后,本文对a-Ga_(2)O_(3)日盲紫外探测器未来的发展趋势进行了总结和展望。; 关键词非晶氧化镓光电探测器光电晶体管薄膜晶体管探测日盲紫外超宽禁带半导体; Keywords amorphous gallium oxide photodetector phototransistor thin film transistor solar-blind ultraviolet photodetection ultra wide band-gap semiconductor; 分类号 TN23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶氧化物薄膜晶体管的制备及电学性能综合性教学实验设计与实践被引量：2: 6; 作者许磊胡梦真宋增才张新楠; 机构华北水利水电大学物理与电子学院; 出处《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2022年第8期181-184,188,共5页; 基金国家自然科学基金项目(11574083,61904054) 教育部产学合作协同育人项目(202102575009) 华北水利水电大学教育教学改革研究与实践项目(2021070)。; 文摘文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明,通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等多个实验环节的设计,有助于学生认识电子材料与器件对信息时代的基石作用,了解新型显示和智能终端领域的前沿技术及国家的重大需求。将多个实验内容有机关联成一个综合性教学实验项目,有利于学生理解复杂工程问题的内涵。; 关键词非晶氧化物半导体磁控溅射退火实验设计薄膜晶体管; Keywords amorphous oxide semiconductor magnetron sputtering annealing experimental design thin film transistor; 分类号 O472.4 [理学—半导体物理] G642.423 [文化科学—高等教育学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展	王中健王龙彦马仙梅付国柱荆海	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2009	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响	苏雪琼王丽甘渝林李宬汉	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能	程晓涵吕建国岳士录吕容恺陈凌翔叶志镇	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展	岳兰任达森罗胜耘陈家荣	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展	肖演杨斯铄程凌云周游钱凌轩	《光电工程》 CAS CSCD 北大核心	2023	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	非晶氧化物薄膜晶体管的制备及电学性能综合性教学实验设计与实践	许磊胡梦真宋增才张新楠	《实验技术与管理》 CAS 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料