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Ce、Al共掺杂对纳米ZnO结构和导电性能的影响
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作者 岳露露 董伟霞 +2 位作者 包启富 李萍 顾幸勇 《陶瓷学报》 北大核心 2025年第3期522-529,共8页
采用简易的一步水热法制备Ce、Al共掺氧化锌导电粉体。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见吸收光谱(UV-Vis)、激光粒度分布仪、电阻仪和第一性原理(DFT)等对材料的结构和性能进行了表征与分析。实验结果表明:当Ce的... 采用简易的一步水热法制备Ce、Al共掺氧化锌导电粉体。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见吸收光谱(UV-Vis)、激光粒度分布仪、电阻仪和第一性原理(DFT)等对材料的结构和性能进行了表征与分析。实验结果表明:当Ce的掺杂量为0.4%、Al的掺杂量为1.5%时,样品呈现棒状结构,样品的粒径D_(50)。禁带宽度和电阻率达到最小值,分别为1.176μm、3.085 eV和13.67Ω·m。基于DFT和UV-Vis结果可知Ce和Al的掺杂降低了禁带宽度,增加了自由载流子浓度,较小的粒径可提供更多的活性位点,更有利于自由载流子的传输。 展开更多
关键词 水热法 无表面活性剂 al、Ce共掺 纳米zno 电阻率
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Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器特性 被引量:1
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作者 袁兆林 许庆鹏 +3 位作者 谢志文 何剑锋 游胜玉 汪雪元 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期116-124,共9页
采用简便水热法,在具有叉指图案的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底上,生长出几种Al掺杂浓度ZnO纳米线阵列,Al/Zn原子比分别为0%(未掺杂)、0.5%、1%、2%和4%。实验结果显示:所有样品均为六方纤锌矿结构,Al掺杂ZnO纳米线沿近似垂直基底表面方向... 采用简便水热法,在具有叉指图案的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底上,生长出几种Al掺杂浓度ZnO纳米线阵列,Al/Zn原子比分别为0%(未掺杂)、0.5%、1%、2%和4%。实验结果显示:所有样品均为六方纤锌矿结构,Al掺杂ZnO纳米线沿近似垂直基底表面方向生长,形成良好取向阵列。并且用这些Al掺杂ZnO纳米线阵列作为光敏层,制备了五种紫外光探测器,系统研究了器件性能。经分析,所有器件对365 nm紫外光表现出良好响应。1%Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器具有最佳性能,在365 nm波长处,该探测器响应度、比探测率、灵敏度、外量子效率、响应时间和衰减时间分别为6180 mA/W、1.51×10^(12)Jones、83.2、6090%、4.12 s和14.45 s。该研究证实在ZnO纳米线阵列中进行适量Al掺杂,可有效提高其紫外光探测器性能。 展开更多
关键词 紫外光探测器 氧化锌 al掺杂 掺杂浓度 水热法 光响应
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基于NaGdF_(4)∶Er^(3+)/Yb^(3+)/Al^(3+)的复合薄膜上转换发光与光热性能 被引量:2
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作者 邵泽杰 周海芳 +1 位作者 郑瑞锦 程树英 《发光学报》 北大核心 2025年第1期89-97,共9页
稀土掺杂的上转换纳米材料在光热传感、生物医学等领域有着广泛的应用前景,但其存在导热性差、测温灵敏度与上转换发光(UCL)强度低的问题,而添加单壁碳纳米管(SWCNT)、贵金属与光子晶体(PCs)是提高其UCL强度与光热性能的有效手段。本文... 稀土掺杂的上转换纳米材料在光热传感、生物医学等领域有着广泛的应用前景,但其存在导热性差、测温灵敏度与上转换发光(UCL)强度低的问题,而添加单壁碳纳米管(SWCNT)、贵金属与光子晶体(PCs)是提高其UCL强度与光热性能的有效手段。本文使用溶剂热法合成了NaGdF_(4)∶Er^(3+)/Yb^(3+)/Al^(3+)纳米晶体(UCNPs),通过对比上转换层(UC)、SWCNT/UC、Ag/SWCNT/UC与PCs/Ag/SWCNT/UC的光热性能,研究不同膜层对UCNPs的光热性能影响。结果表明,PCs/Ag/SWCNT/UC具有优异的性能,其红绿光强度分别为UC的3.48倍与4.24倍,其光热转换效率达到33.79%,是UC的1.49倍;并且光学测温绝对灵敏度SA在353 K时达到3.14×10^(-3) K^(-1),相对灵敏度SR在273 K时达到1.87×10^(-2) K^(-1)。本研究为提高光热传感器性能提供了一种有效的策略。 展开更多
关键词 复合薄膜 NaGdF_(4)∶Er^(3+)/Yb^(3+)/al^(3+)纳米晶 光热性能 测温灵敏度
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Al含量对TiZrNbMoAl_(x)难熔高熵合金薄膜高温抗氧化的影响 被引量:1
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作者 王林青 蒲春林 +1 位作者 张艳 王军军 《表面技术》 北大核心 2025年第1期53-61,73,共10页
目的探讨Al含量对TiZrNbMoAl_(x)难熔高熵合金(Refractory High-entropy Alloys,RHEAs)薄膜结构和高温抗氧化性能的影响,并讨论TiZrNbMoAl_(x)RHEAs薄膜的氧化机理。方法利用双靶磁控共溅射技术,以90°扇形的Ti、Zr、Nb、Mo靶拼接... 目的探讨Al含量对TiZrNbMoAl_(x)难熔高熵合金(Refractory High-entropy Alloys,RHEAs)薄膜结构和高温抗氧化性能的影响,并讨论TiZrNbMoAl_(x)RHEAs薄膜的氧化机理。方法利用双靶磁控共溅射技术,以90°扇形的Ti、Zr、Nb、Mo靶拼接而成的靶材和Al靶材作为溅射靶材,通过调节Al靶溅射功率,制备不同Al含量(原子数分数0%、14%、18%、24%、28%)的TiZrNbMoAl_(x)RHEAs薄膜,并将这些薄膜置于600℃大气环境中进行氧化试验。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量色散光谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS)等,对氧化前后薄膜的物相组成和微观结构进行分析。对比不同Al含量的TiZrNbMoAl_(x)RHEAs薄膜的抗氧化性能,并分析其氧化机理。结果薄膜的微观结构和高温抗氧化性能与Al含量密切相关。不含Al时,薄膜呈现出(110)择优取向的BCC单相固溶体结构;Al原子数分数为14%~24%时,薄膜表现为无定形相结构;Al含量较高(原子数分数为28%)时,薄膜中出现了AlZr_(3)二次相。在600℃环境退火后,Al氧化生成了Al_(2)O_(3),这有效提升了TiZrNbMoAl_(x)RHEAs薄膜的抗氧化性能。然而,过量的Al含量(原子数分数为28%)会导致应力集中并产生裂纹,降低薄膜的高温抗氧化性能。结论Al含量对TiZrNbMoAl_(x)RHEAs薄膜的高温抗氧化性能具有重要影响,适量的Al含量可改善TiZrNbMoAl_(x)RHEAs薄膜的抗氧化性能。 展开更多
关键词 难熔高熵合金薄膜 高温抗氧化性能 al含量 相组成 微观结构
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Design,preparation,and characterization of a novel ZnO/CuO/Al energetic diode with dual functionality:Logic and destruction
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作者 Jialu Yang Jiaheng Hu +3 位作者 Yinghua Ye Jianbing Xu Yan Hu Ruiqi Shen 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期57-68,共12页
Self-destructing chips have promising applications for securing data.This paper proposes a new concept of energetic diodes for the first time,which can be used for self-destructive chips.A simple two-step electrochemi... Self-destructing chips have promising applications for securing data.This paper proposes a new concept of energetic diodes for the first time,which can be used for self-destructive chips.A simple two-step electrochemical deposition method is used to prepare ZnO/CuO/Al energetic diode,in which N-type ZnO and P-type CuO are constricted to a PN junction.This paper comprehensively discusses the material properties,morphology,semiconductor characteristics,and exploding performances of the energetic diode.Experimental results show that the energetic diode has typical rectification with a turn-on voltage of about 1.78 V and a reverse leakage current of about 3×10^(-4)A.When a constant voltage of 70 V loads to the energetic diode in the forward direction for about 0.14 s or 55 V loads in the reverse direction for about 0.17 s,the loaded power can excite the energetic diode exploding and the current rises to about100 A.Due to the unique performance of the energetic diode,it has a double function of rectification and explosion.The energetic diode can be used as a logic element in the normal chip to complete the regular operation,and it can release energy to destroy the chip accurately. 展开更多
关键词 Energetic diode zno—CuO—al thermite zno/CuO PN junction Electrical explosion performance Self-destructing chips
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Fe-10Ni-10Cr-xAl-1Si合金预氧化组织和抗高温氧化研究
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作者 赵锦毓 吴长军 +1 位作者 刘亚 苏旭平 《热加工工艺》 北大核心 2025年第4期89-95,104,共8页
研究了Fe-10Ni-10Cr-xAl-1Si(x=0,2,4,6wt%)合金在1000℃和10^(-20)atm氧气压力下的氧化行为,通过循环氧化实验测试了其高温抗氧化性。结果表明,当不添加铝时,氧化合金表面形成连续的Cr_(2)O_(3)膜,最外层为少量FeCr_(2)O_(4)尖晶石,内... 研究了Fe-10Ni-10Cr-xAl-1Si(x=0,2,4,6wt%)合金在1000℃和10^(-20)atm氧气压力下的氧化行为,通过循环氧化实验测试了其高温抗氧化性。结果表明,当不添加铝时,氧化合金表面形成连续的Cr_(2)O_(3)膜,最外层为少量FeCr_(2)O_(4)尖晶石,内层为树枝状SiO_(2);当添加2wt%Al时,Al_(2)O_(3)在SiO_(2)内侧生长,SiO_(2)量减少;当添加4wt%Al时,氧化膜的结构与添加2wt%Al时相似,氧化程度加深,表现为氧化膜厚度增加,Al_(2)O_(3)以树枝状形式存在;当Al含量为6wt%时,在合金表面形成连续且完整的Al_(2)O_(3)膜。未经预氧化和预氧化5 h后的样品在1000℃下氧化300 h,未经预氧化处理的合金氧化增重较大,添加铝的合金经预氧化处理后氧化增重显著降低。添加6wt%Al的试样单位面积增重最小,耐高温氧化性能最好。其中,Al_(2)O_(3)膜起到了阻止氧气进入合金的作用。 展开更多
关键词 预氧化 Fe-Ni-Cr-al-Si 氧化薄膜 循环氧化
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Identifying the enhancement mechanism of Al/MoO_(3) reactive multilayered films on the ignition ability of semiconductor bridge using a one-dimensional gas-solid two-phase flow model
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作者 Jianbing Xu Yuxuan Zhou +3 位作者 Yun Shen Yueting Wang Yinghua Ye Ruiqi Shen 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期168-179,共12页
Energetic Semiconductor bridge(ESCB)based on reactive multilayered films(RMFs)has a promising application in the miniature and intelligence of initiator and pyrotechnics device.Understanding the ignition enhancement m... Energetic Semiconductor bridge(ESCB)based on reactive multilayered films(RMFs)has a promising application in the miniature and intelligence of initiator and pyrotechnics device.Understanding the ignition enhancement mechanism of RMFs on semiconductor bridge(SCB)during the ignition process is crucial for the engineering and practical application of advanced initiator and pyrotechnics devices.In this study,a one-dimensional(1D)gas-solid two-phase flow ignition model was established to study the ignition process of ESCB to charge particles based on the reactivity of Al/MoO_(3) RMFs.In order to fully consider the coupled exothermic between the RMFs and the SCB plasma during the ignition process,the heat release of chemical reaction in RMFs was used as an internal heat source in this model.It is found that the exothermal reaction in RMFs improved the ignition performance of SCB.In the process of plasma rapid condensation with heat release,the product of RMFs enhanced the heat transfer process between the gas phase and the solid charge particle,which accelerated the expansion of hot plasma,and heated the solid charge particle as well as gas phase region with low temperature.In addition,it made up for pressure loss in the gas phase.During the plasma dissipation process,the exothermal chemical reaction in RMFs acted as the main heating source to heat the charge particle,making the surface temperature of the charge particle,gas pressure,and gas temperature rise continuously.This result may yield significant advantages in providing a universal ignition model for miniaturized ignition devices. 展开更多
关键词 Ignition enhancement mechanism 1D gas-solid two-phase flow al/MoO_(3)reactive multilayered films Semiconductor bridge Miniaturized ignition device
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Al/Ca(IO_(3))_(2 )/PVDF基高能杀菌“三明治”结构薄膜的构建及其燃烧性能机理
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作者 陈苏杭 唐魁 +5 位作者 谢晓 唐振华 柯香 秦钊 徐抗震 赵凤起 《火炸药学报》 北大核心 2025年第1期78-87,I0006,共11页
为了提高杀菌高能薄膜的燃烧性能和碘含量,使用Al/Ca(IO_(3))_(2)/30%PVDF膜(30PVDF)封装39%Al/Ca(IO_(3))/(5%或10%)PVDF铝热剂(5PVDF或10PVDF)得到“三明治”结构的3、5、7和9层薄膜,并通过燃速和火焰温度测试以及DSC-TG热分析研究了... 为了提高杀菌高能薄膜的燃烧性能和碘含量,使用Al/Ca(IO_(3))_(2)/30%PVDF膜(30PVDF)封装39%Al/Ca(IO_(3))/(5%或10%)PVDF铝热剂(5PVDF或10PVDF)得到“三明治”结构的3、5、7和9层薄膜,并通过燃速和火焰温度测试以及DSC-TG热分析研究了铝热剂层活性及其分布结构(层数和厚度)对“三明治”结构薄膜燃烧性能和释能效应的影响规律,同时探究了薄膜各组分间的反应温度和反应机理。结果表明,封装39%5PVDF铝热剂“三明治”结构薄膜比封装10PVDF的燃速高18%~35%,表现出更好的燃烧性能,其中5层薄膜具有最大燃速,二者分别为10.2 cm/s和8.6 cm/s,综合了30PVDF膜层的厚度、低燃速和膜-铝热剂层在界面的传质传热效率的影响;并且多层薄膜的平均火焰温度随着铝热剂厚度的减小而增加。DSC-TG结果表明,Al/Ca(IO_(3))_(2)/PVDF基多层薄膜主要在330~410℃发生Al-Ca(IO_(3))_(2)-PVDF释碘放热反应,Ca(IO_(3))_(2)/PVDF(质量为1.55∶1)在320~350℃的剧烈放热反应和燃烧产物中的AlF 3、CaF 2、CaO等进一步证实了该反应的发生。 展开更多
关键词 物理化学 杀菌多层薄膜 静电喷雾沉积 燃烧性能调控 al/Ca(IO_(3))_(2)/PVDF “三明治”结构 铝热剂
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含Al耐热合金高温氧化行为研究现状
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作者 姚通睿 王曼 席晓丽 《材料导报》 北大核心 2025年第6期232-241,共10页
耐热合金因其优异的抗氧化性能在高温领域具有重要的应用,其中镍基和铁基耐热合金的应用更为广泛。随着“双碳”战略目标的提出,航空航天及能源技术不断发展使耐热合金的服役环境更加苛刻,这对耐热合金服役性能提出了更大挑战,因此亟需... 耐热合金因其优异的抗氧化性能在高温领域具有重要的应用,其中镍基和铁基耐热合金的应用更为广泛。随着“双碳”战略目标的提出,航空航天及能源技术不断发展使耐热合金的服役环境更加苛刻,这对耐热合金服役性能提出了更大挑战,因此亟需开发具有更优异高温抗氧化性能的新型耐热合金。合金化元素Al所形成的Al_(2)O_(3)膜具有较低生长速率、较高致密性及优异的热稳定性,因此含Al耐热合金成为近年来的研究热点。本文通过系统梳理相关研究成果,比较了3种抗氧化元素所形成保护性氧化膜的优劣,回顾了含Al耐热合金的发展历程,归纳了影响含Al镍基和铁基合金氧化行为的关键因素,总结分析了其高温氧化的微观机制并归纳了共性规律。最后,对含Al耐热合金现阶段存在的问题及未来发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 al耐热合金 高温抗氧化 保护性氧化膜 成分设计 显微组织
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激光刻蚀对磁控溅射ZnO气敏性能的影响
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作者 李东明 黄良宇 +1 位作者 祝小杰 孙士斌 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第9期107-111,共5页
通过激光刻蚀技术对磁控溅射法制备的氧化锌(ZnO)纳米薄膜进行表面调控,分析不同激光功率对薄膜气敏性能的影响,并确定传感器在最佳性能时的激光功率。结果表明,以0.15 W的激光功率对ZnO薄膜进行刻蚀处理后,传感器在320℃工作温度下对... 通过激光刻蚀技术对磁控溅射法制备的氧化锌(ZnO)纳米薄膜进行表面调控,分析不同激光功率对薄膜气敏性能的影响,并确定传感器在最佳性能时的激光功率。结果表明,以0.15 W的激光功率对ZnO薄膜进行刻蚀处理后,传感器在320℃工作温度下对乙醇的灵敏度达到13.6,即便在95%高相对湿度环境下,其灵敏度仍为7.01。此外,该传感器具有良好的选择性、重复性、长期稳定性、抗湿性以及快速的响应/恢复时间。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化锌薄膜 激光刻蚀 气体传感器 抗湿性
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纳米ZnO树脂薄膜提升CFRP层合板层间断裂性能研究
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作者 杜徐玮 牛雪娟 《复合材料科学与工程》 北大核心 2025年第4期74-81,共8页
碳纤维/聚合物基复合材料(CFRP)层合板法向刚度远低于面内刚度,当受到面外载荷作用时,极易发生损伤失稳。为了对厚度方向进行增韧,研究了改性纳米ZnO增韧薄膜对CFRP层合板力学性能的影响。首先使用偶联剂对纳米ZnO进行改性,得到改性后... 碳纤维/聚合物基复合材料(CFRP)层合板法向刚度远低于面内刚度,当受到面外载荷作用时,极易发生损伤失稳。为了对厚度方向进行增韧,研究了改性纳米ZnO增韧薄膜对CFRP层合板力学性能的影响。首先使用偶联剂对纳米ZnO进行改性,得到改性后的纳米ZnO,将不同质量分数(0~4wt%)的改性纳米ZnO颗粒在固化剂的作用下混合加入环氧树脂中,在复合材料试件的两个界面之间形成了具有不同层间性能的黏结膜,并将其应用于端部缺口弯曲(ENF)试验和双悬臂梁(DCB)试验。建立了一系列有限元模型,并结合试验数据确定的模型参数对改性纳米ZnO和固化剂的影响进行了分析。结果表明,对于增韧梁(含4wt%改性纳米ZnO和2wt%GEL2-BS),ENF试验和DCB试验的临界载荷分别增加了30.25%和68.40%。 展开更多
关键词 黏结膜 改性纳米zno颗粒 界面增韧 端部缺口弯曲试验 双悬臂梁试验
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膜厚对Zr,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜结构和光电性能的影响 被引量:12
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作者 袁玉珍 王辉 +2 位作者 张化福 刘汉法 刘云燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期169-173,共5页
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌。研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。另外还研究了薄膜... 采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌。研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。另外还研究了薄膜的结构、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。当薄膜厚度为843nm时,电阻率具有最小值1.18×10-3Ω.cm,在可见光区(500~800nm)平均透过率超过93%。 展开更多
关键词 磁控溅射 Zr al共掺杂zno 膜厚 透明导电薄膜
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气溶胶辅助化学气相沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜 被引量:9
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作者 秦秀娟 韩司慧智 +2 位作者 赵琳 左华通 宋士涛 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期607-612,共6页
采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%~8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具... 采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%~8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具有纤锌矿结构,不具有沿c轴方向的择优取向,XRD图谱中未观察出Al的相关分相.在可见光范围内,AZO薄膜的平均透过率大于72%,光学禁带宽度随Al掺杂量的增加而变窄.同时根据四探针技术所得的数据得知:Al的掺杂导致薄膜方块电阻的变化,随着Al掺杂量的增加,方块电阻有明显变小的现象,掺杂6at%Al的AZO薄膜具有最低方块电阻(18Ω/□). 展开更多
关键词 气溶胶 化学气相沉积法 al:zno 透明导电薄膜
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ZnO:Al绒面透明导电薄膜的制备及分析 被引量:9
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作者 薛俊明 黄宇 +4 位作者 熊强 马铁华 孙建 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期701-705,共5页
利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄... 利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄膜的结构特性以及衬底温度、溅射功率和腐蚀时间对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:高温、低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 中频脉冲磁控溅射 zno:al(ZAO)薄膜 绒面结构
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掺Al对ZnO薄膜结构和光电性能的影响 被引量:9
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作者 徐自强 邓宏 +1 位作者 谢娟 李燕 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期503-507,共5页
采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐... 采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐减弱。薄膜电阻率随掺Al浓度变化,当掺Al浓度为1.5%(摩尔分数),薄膜电阻率降至6.2×10-4Ω·cm。掺Al量的增加同时使得薄膜的禁带宽度变大,光吸收边出现蓝移现象。 展开更多
关键词 zno薄膜 溶胶-凝胶法 al掺杂 光学特性 电学特性
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有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电特性对比研究 被引量:5
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作者 杨田林 韩圣浩 +1 位作者 张鹏 王爱芳 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期329-333,共5页
讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃... 讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃时,制备的薄膜密度变化范围为4.6~5.16g/cm3。在柔性衬底和玻璃衬底上制备的薄膜最低电阻率分别为5.3×10-4Ω·cm和5.1×10-4Ω·cm,薄膜在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%,讨论了两种衬底薄膜电学特性的稳定性。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 铝掺杂 薄膜结构 光电性能 射频磁控溅射法
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衬底温度对ZnO:Al薄膜结构和性能的影响 被引量:5
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作者 徐玮 于军 +2 位作者 王晓晶 袁俊明 雷青松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期665-668,共4页
利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和... 利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明,衬底温度对薄膜结构及光电学性能影响最大。溅射功率120W、衬底温度300℃、工作气压0.6Pa制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为79.49%(考虑衬底的影响,电阻率为4.99×10-2Ω.cm)。 展开更多
关键词 磁控溅射 陶瓷靶材 电阻率 透过率 ZAO薄膜
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Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性 被引量:4
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作者 余萍 邱东江 +2 位作者 樊瑞新 施红军 吴惠桢 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1873-1877,共5页
用(ZnO)1-x(Al2O3)x(x=w(Al2O3)=0、0.01、0.02、0.05)陶瓷靶材为原料,通过电子束反应蒸发生长了非故意掺杂及Al掺杂的ZnO薄膜.采用X射线衍射、Raman散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电学特性.结果表明,由(ZnO)1-x(Al2O3)x(x... 用(ZnO)1-x(Al2O3)x(x=w(Al2O3)=0、0.01、0.02、0.05)陶瓷靶材为原料,通过电子束反应蒸发生长了非故意掺杂及Al掺杂的ZnO薄膜.采用X射线衍射、Raman散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电学特性.结果表明,由(ZnO)1-x(Al2O3)x(x≤0.02)的靶材生长得到的Al掺杂ZnO薄膜仍具有高度c-轴取向的纤锌矿晶体结构,但随着薄膜中Al掺入量的增加,其c-轴取向性有所退化;Raman光谱测量表明,Al掺杂ZnO薄膜的本征内应力随着Al掺入量的增加而增大,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜中Al和Zn的原子个数比为6∶94,此时薄膜的内应力已接近饱和;Al掺杂ZnO薄膜的电阻率随着Al掺入量的增加呈现先减小后增大的特征,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜具有最小的电阻率(7.85×10-4Ω.cm),这归因于该类薄膜同时具有高电子浓度(1.32×1021cm-3)和较高的电子迁移率(6.02 cm2/(V.s)). 展开更多
关键词 zno薄膜 al掺杂 微结构 电学特性
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Sol-Gel法制备ZnO∶Al透明导电薄膜 被引量:17
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作者 吕敏峰 崔作林 张志焜 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期224-227,共4页
采用Sol Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜。利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征。研究结果表明 :所制备的薄膜为纤锌矿型结构 ,表面平整、致密。通过标准... 采用Sol Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜。利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征。研究结果表明 :所制备的薄膜为纤锌矿型结构 ,表面平整、致密。通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al3+ 离子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能。实验发现 ,当Al3+ 离子掺杂浓度为 0 8%时 ,前处理温度为 40 0℃ ,退火温度为 5 5 0℃ ,真空退火温度为 5 5 0℃时 ,薄膜具有较好的导电性 ,电阻率为 3 0 3× 10 - 3Ω·cm ,其在可见光区的透过率超过 80 %。 展开更多
关键词 SOL-GEL法 制备 透明导电薄膜 氧化锌 溶胶-凝胶法 铝离子掺杂 性能
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孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其特性研究 被引量:10
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作者 李微 孙云 +2 位作者 何青 刘芳芳 李凤岩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期761-764,815,共5页
本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制... 本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点。ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω.cm,在可见光区的平均透过率达到85%以上,非常适合做为铜铟硒(C IS)薄膜太阳电池窗口层。 展开更多
关键词 孪生对靶 磁控溅射 zno:al
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