Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构和光学性质 被引量：4

1

作者 吴春霞 吕有明 +5 位作者 李炳辉 魏志鹏 刘益春 申德振 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期277-282,共6页

用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量... 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量的增加 ,薄膜的晶格常数c由 0 5 2 0 5nm减小到 0 5 1 85nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射 (NBE)峰 ,没有观察到深能级 (DL)发射 ,且随着Mg的掺入量的增加 ,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明 ,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动 ,这与室温下光致发光的结果是相吻合的 ,并计算出随着x值增加 ,带隙宽度从 3 338eV逐渐展宽到3 6 82eV。通过研究Mg0 1 2 Zn0 88O样品的变温光谱 ,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中 ,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。 展开更多

关键词 MGxZN1-xO P-MBE x射线双晶衍射 光致发光

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液相外延生长Hg_（1－x）Cd_xTe薄膜及其特性分析 被引量：3

2

作者 李标 陈新强 +2 位作者 褚君浩 曹菊英 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期216-222,共7页

报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法．结果表明Ｈｇ气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响．由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由... 报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法．结果表明Ｈｇ气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响．由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布． 展开更多

关键词 液相外延 x射线双晶衍射 HGCDTE 薄膜

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用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构 被引量：2

3

作者 杨艳 薛晨阳 +1 位作者 张斌珍 张文栋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期105-107,共3页

用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料... 用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现缘进行了理论分析。 展开更多

关键词 分子束外延 超晶格半导体 x射线双晶衍射

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锗/硅短周期超晶格的X射线双晶衍射研究 被引量：1

4

作者 季振国 袁骏 +2 位作者 卢焕明 芮祥新 王龙成 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-4,共4页

用 X射线双晶衍射对气源分子束外延 (GS- MBE)制备的锗 /硅短周期超晶格 (SPS)样品进行了分析。所有样品的锗层厚度固定为 1.5单原子层 ,而硅层厚度为 1.4～ 3.8nm。对于硅层厚度小于 2 .4nm的样品来说 ,双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引... 用 X射线双晶衍射对气源分子束外延 (GS- MBE)制备的锗 /硅短周期超晶格 (SPS)样品进行了分析。所有样品的锗层厚度固定为 1.5单原子层 ,而硅层厚度为 1.4～ 3.8nm。对于硅层厚度小于 2 .4nm的样品来说 ,双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引起的衍射峰较宽 ,而且看不到干涉引起的精细结构 ,这表明超晶格中可能存在位错及界面不平整。对硅层较厚 (>2 .9nm)的样品 ,摇摆曲线中超晶格引起的衍射峰很窄 ,而且有明显的由干涉产生的精细结构 ,表明此时超晶格的质量较高 ,界面平整。对硅层厚度为2 .1～ 2 .9nm的样品 ,超晶格对应的衍射峰可以分解为两个宽度不等的子峰 ,但没有精细结构出现。这个区间与文献 [1]报道的在荧光光谱发现的一个异常带出现区间完全相同。本实验的 X射线双晶衍射测试与分析结果支持文献 展开更多

关键词 锗 硅 短周期 超晶格 双晶衍射

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高精度X射线双晶衍射仪的原理及其应用 被引量：2

5

作者 卢焕明 赵轶 叶志镇 《材料科学与工程》 CSCD 1997年第4期51-53,共3页

本文介绍了Ｘ射线双晶衍射仪的特点及其原理，以及利用Ｘ射线摇摆曲线技术在半导体材料研究方面的应用。

关键词 双晶衍射 摇摆曲线 超晶格 x射线

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组份变化的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响 被引量：1

6

作者 单含 李梅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期68-71,共4页

通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条... 通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰,表明制备的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量。利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征,结果表明,不同组份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1.6～2.28μm范围内可调,样品PL谱的半峰宽最窄可达22 meV。 展开更多

关键词 GaSb衬底 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 x射线双晶衍射 发光性质

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XPS定量测量三元合金ZnS_(1-x)Te_x薄膜组分x的研究 被引量：1

7

作者 孙汪典 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期151-153,共3页

利用XPS定量测量分子束外延生长的三元合金碲硫锌ZnS1-xTex(0 <x <1)薄膜的组分x ,对比用高分辨率X射线双晶衍射技术的测量结果 ,相对误差小于 10 %。

关键词 x射线 光电子能谱 碲硫锌 薄膜 双晶衍射 组分

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x射线双晶衍射测试曲线的计算机模拟分析 被引量：1

8

作者 丁国庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期50-54,共5页

介绍了ｘ射线双晶衍射动力学理论和基于光干涉行为的Ｐｅｎｄｅｌｓｕｎｇ现象，给出了几种典型的模拟摇摆曲线和其组分与结构参数。较详细地介绍了采用计算机模拟摇摆曲线逼近并分析实测摇摆曲线的方法。

关键词 x射线双晶衍射 计算机模拟分析 化合物半导体

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X射线双晶衍射研究LP－MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

9

作者 崔敬忠 陈光华 +5 位作者 甘润今 张仿清 杨树人 刘宝林 陈佰军 刘式墉 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期58-61,共4页

用金属有机气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格．用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线．结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数．

关键词 气相外延生长 超昌格 半导体 INGAAS 砷化镓

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X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析

10

作者 马永强 武一宾 +5 位作者 杨瑞霞 李若凡 商耀辉 牛晨亮 卜夏正 王建峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1042-1044,1081,共4页

X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaA... X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析。 展开更多

关键词 超晶格 分子束外延 x射线双晶衍射 相干长度

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超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究

11

作者 卢焕明 叶志镇 +3 位作者 黄靖云 汪雷 赵炳辉 张昊翔 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第1期61-65,共5页

利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,... 利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层 。 展开更多

关键词 双晶x射线衍射 锗 硅 应变外延层 CVD 超高真空

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（ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍

12

作者 朱南昌 李润身 +2 位作者 陈京一 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期167-174,共8页

给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与... 给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零，而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格，表明多量子阱结构有较好的结构完整性．缓冲层与衬底之间有晶向偏角，而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角．在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰．多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小２０％～３０％，说明生长过程中存在表面原子的逃逸，致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了Ｘ射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别． 展开更多

关键词 x射线双晶衍射 多量子阱 硒化镉

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双晶x射线衍射法测量超薄层外延材料厚度

13

作者 曲轶 高欣 +2 位作者 张宝顺 薄报学 张兴德 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期45-46,58,共3页

介绍了通过双晶ｘ 射线衍射测量超薄外延层厚度的一种方法。利用回摆曲线中的干涉条纹测量了通过ＭＢＥ生长的Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ／Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ａｓ／Ｇａ０．７Ａｌ０．

关键词 量子阱激光器 外延材料 厚度 x射线衍射法

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用双晶 X 射线衍射研究 Si 液相外延层

14

作者 张仕国 江鉴 +2 位作者 陈立登 袁骏 张民杰 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1998年第2期188-192,共5页

以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层... 以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层含有Ｉｎ．由此得出结论，只用双晶Ｘ射线衍射难以确定外延层的掺杂情况． 展开更多

关键词 双晶x射线衍射 液相外延 掺杂 硅

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超晶格结构的X射线衍射拟合计算 被引量：2

15

作者 马琳 王玉田 庄蔚华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期37-42,共6页

运用X射线衍射运动学理论研究了[(Ga_(1-x)Al_xAs)_m(GaAs)_n ]_N/GaAs(001)-维超晶格的结构,通过模拟计算,精确确定了超晶格的结构参数.本方法可用于各种超晶格结构,具有普遍意义.另外,还对超晶格卫星峰强度的非称性和超晶格中叠层界... 运用X射线衍射运动学理论研究了[(Ga_(1-x)Al_xAs)_m(GaAs)_n ]_N/GaAs(001)-维超晶格的结构,通过模拟计算,精确确定了超晶格的结构参数.本方法可用于各种超晶格结构,具有普遍意义.另外,还对超晶格卫星峰强度的非称性和超晶格中叠层界面处存在过渡层的影响进行了讨论. 展开更多

关键词 超晶格 x射线 衍射 模拟计算

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多层结构的X射线双晶衍射研究

16

作者 武蕴忠 许学敏 +1 位作者 王渭源 滕琴 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第3期347-351,共5页

用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向... 用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向的附加电阻。选择适当材料的玻璃层，使热失配在铂膜内产生相反的应力，从而造成相反的附加电阻。以这种应力补偿方法提高了薄膜铂电阻的可靠性。 展开更多

关键词 x射线双晶衍射 多层结构 薄膜 玻璃 铂膜 陶瓷

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Ge_xSi_（1－x）／Si应变超晶格的质量鉴别

17

作者 李梅 葛中久 张志舜 《吉林大学自然科学学报》 CSCD 1996年第2期63-65,共3页

采用分子束外延（ＭＢＥ）方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格．利用Ｘ射线双晶衍射、小角衍射和宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线．运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析、模拟了样品的实验曲线，得到了精确的... 采用分子束外延（ＭＢＥ）方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格．利用Ｘ射线双晶衍射、小角衍射和宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线．运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析、模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据．并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价． 展开更多

关键词 双晶回摆曲线 应变层超晶格 半导体 超晶格

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半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析

18

作者 丁国庆 《光通信研究》 1994年第4期39-46,共8页

本文介绍Ｘ射线晶体衍射的测试原理，讨论了半导体薄片异质结构材料Ｘ射线晶体衍射测量中正、负失配，晶片微弯曲，摇摆曲线的对称性，复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对ＭＯＣＶＤ、ＬＰＥ工艺调整的重要性。

关键词 半导体 异质结构 材料 x射线 晶体衍射 测试

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热退火对KDP晶体微结构的影响 被引量：11

19

作者 王圣来 李丽霞 +5 位作者 胡小波 高樟寿 付有君 孙洵 李义平 曾红 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期331-333,共3页

　用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化。实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放。对于快速生长的晶... 　用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化。实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放。对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著。 展开更多

关键词 惯性约束聚变 KDP晶体 微结构 热退火 x射线衍射 RAMAN光谱 晶体生长 晶格畸变

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MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究 被引量：6

20

作者 江风益 李述体 +4 位作者 王立 熊传兵 彭学新 辛勇 姚冬敏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期120-124,共5页

获得高质量的ｎ型ＧａＮ单晶膜是制作ＧａＮ基光电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜，通过优化生长工艺，获得了电子载流于浓度高达２ ×１０１９ｃｍ－３，迁移率达１２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ的ｎ... 获得高质量的ｎ型ＧａＮ单晶膜是制作ＧａＮ基光电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜，通过优化生长工艺，获得了电子载流于浓度高达２ ×１０１９ｃｍ－３，迁移率达１２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ的ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜；并有效地抑制了ＧａＮ中由深能级引起的黄带发射，大大提高带边发光强度。研究结果还表明：随着Ｓ掺杂量的增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的电子载流于浓度增加，迁移率下降，Ｘ光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺Ｓ量增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的生长速率显著下降的现象。 展开更多

关键词 MOCVD 单晶膜 氮化镓

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