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镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响: 1; 作者张颖武边义午 +3 位作者陈晨周春锋王云彪兰天平《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期708-712,725,共6页; 由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗... 展开更多; 关键词 6英寸垂直梯度凝固(vgf)法锗单晶镓硼共掺电阻率均匀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

VB/VGF法制备掺FeInP晶体的电阻率均匀性: 2; 作者韩家贤韦华 +5 位作者刘汉保惠峰雷云何永彬唐康中王茺《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期825-831,共7页; 针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化... 展开更多; 关键词 INP 晶体生长垂直布里奇曼(VB)法垂直梯度凝固(vgf)法电阻率均匀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

VGF法生长半导体晶体的研究进展被引量：2: 3; 作者范叶霞《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期476-482,共7页; VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。; 关键词 vgf法半导体晶体晶体生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术: 4; 作者周春锋兰天平 +2 位作者边义午曹志颖罗惠英《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期383-389,共7页; 为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采... 展开更多; 关键词 GAAS 半绝缘单晶单晶生长垂直梯度凝固(vgf)法垂直布里奇曼(VB)法; 在线阅读下载PDF 职称材料

运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体被引量：4: 5; 作者詹琳苏小平 +1 位作者张峰翊李金权《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1056-1059,共4页; 在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统... 展开更多; 关键词数值模拟 vgf法固液界面 GAAS; 在线阅读下载PDF 职称材料

VGF法中降温速率对InP单晶生长的影响: 6; 作者赵兴凯叶晓达 +4 位作者李世强韦华赵茂旭杨春柳孙清《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期985-990,1019,共7页; 垂直梯度凝固(VGF)法生长磷化铟(InP)单晶时产生的缺陷主要有孪晶、位错、多晶等,这些缺陷严重影响了InP单晶的产量与品质。首先简述了VGF法生长InP单晶过程中容易产生的主要缺陷,然后通过实验对各生长阶段的降温速率进行调整,成功改善... 展开更多; 关键词磷化铟垂直梯度凝固(vgf)法降温速率孪晶位错缺陷; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响: 1; 作者张颖武边义午陈晨周春锋王云彪兰天平; 机构中国电子科技集团公司第四十六研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期708-712,725,共6页; 文摘由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。; 关键词 6英寸垂直梯度凝固(vgf)法锗单晶镓硼共掺电阻率均匀性; Keywords 6 inch vertical gradient freeze(vgf)method Ge single crystal Ga-B co-doping resistivity uniformity; 分类号 TN304.11 [电子电信—物理电子学] TN304.053 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名VB/VGF法制备掺FeInP晶体的电阻率均匀性: 2; 作者韩家贤韦华刘汉保惠峰雷云何永彬唐康中王茺; 机构云南鑫耀半导体材料有限公司昆明理工大学冶金与能源工程学院云南大学材料与能源学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期825-831,共7页; 基金昆明市春城青年高层次人才创新项目(CCQNRC2023WH) 昆明市春城青年拔尖人才创新项目(CCQNBJRC2023-009)。; 文摘针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化了坩埚的旋转和下降速度,以调节掺杂剂Fe在熔体中的分凝、固液界面形状及晶体头部与尾部的生长速度。这些措施不仅改善了晶体的固液界面形状,使其由较凹变得平缓,同时实现了晶体生长速率的合理匹配与温度梯度的精确控制,显著提升了晶体的位错密度和电学参数的均匀性。与传统VGF法相比,VB/VGF法掺Fe InP晶体的轴向电阻率差值降低了259%,径向电阻率均匀性提高了2.0%~7.1%。; 关键词 INP 晶体生长垂直布里奇曼(VB)法垂直梯度凝固(vgf)法电阻率均匀性; Keywords InP crystal growth vertical Bridgman(VB)method vertical gradient freeze(vgf)method resistivity uniformity; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.053 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名VGF法生长半导体晶体的研究进展被引量：2: 3; 作者范叶霞; 机构华北光电技术研究所; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期476-482,共7页; 文摘 VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。; 关键词 vgf法半导体晶体晶体生长; Keywords vgf method semiconductor crystal crystal growth; 分类号 O73 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术: 4; 作者周春锋兰天平边义午曹志颖罗惠英; 机构中国电子科技集团公司第四十六研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期383-389,共7页; 文摘为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采用垂直梯度凝固(VGF)法生长晶体肩部,采用垂直布里奇曼(VB)法生长晶体等径部分。在对VGF和VB晶体生长法进行理论分析的基础上,采取优化支撑结构、增加VGF晶体生长降温速率、优化VB晶体生长速度等措施提高6英寸GaAs晶体生长的成晶率至48%以上。基于半绝缘GaAs补偿理论,采取过量碳粉掺杂和El2的控制等措施,提高晶体电阻率至大于4×10^7Ω·cm,降低电阻率不均匀性至小于25%。通过优化生长界面,使GaAs单晶的位错密度降低至小于104 cm^-2。; 关键词 GAAS 半绝缘单晶单晶生长垂直梯度凝固(vgf)法垂直布里奇曼(VB)法; Keywords GaAs semi-insulating single crystal single crystal growth vertical gradient freeze(vgf)method vertical Bridgeman(VB)method; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体被引量：4: 5; 作者詹琳苏小平张峰翊李金权; 机构北京有色金属研究总院; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1056-1059,共4页; 基金 “863”国际重大合作项目(No.2002AAF3102); 文摘在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统。这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面。; 关键词数值模拟 vgf法固液界面 GAAS; Keywords numerical simulation vgf method solid-liquid interface GaAs; 分类号 O795 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名VGF法中降温速率对InP单晶生长的影响: 6; 作者赵兴凯叶晓达李世强韦华赵茂旭杨春柳孙清; 机构云南鑫耀半导体材料有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期985-990,1019,共7页; 基金云南省重大科技专项计划省市一体化专项(202202AH080009)。; 文摘垂直梯度凝固(VGF)法生长磷化铟(InP)单晶时产生的缺陷主要有孪晶、位错、多晶等,这些缺陷严重影响了InP单晶的产量与品质。首先简述了VGF法生长InP单晶过程中容易产生的主要缺陷,然后通过实验对各生长阶段的降温速率进行调整,成功改善了孪晶、位错重复出现的情况。实验结果表明,增大放肩过程的降温速率有利于抑制放肩过程产生的内切孪晶,但容易增加晶体肩部的位错密度,至等径部位发生位错增殖。为解决此问题,实验在增加放肩降温速率的同时,适当减小了等径降温速率,从而有效抑制了等径部位的位错增殖。最终,实验中生长出了平均位错密度低于50 cm-2的高质量掺S InP单晶。; 关键词磷化铟垂直梯度凝固(vgf)法降温速率孪晶位错缺陷; Keywords InP vertical gradient freeze(vgf)method cooling rate twin dislocation defect; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.053 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响	张颖武边义午陈晨周春锋王云彪兰天平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	VB/VGF法制备掺FeInP晶体的电阻率均匀性	韩家贤韦华刘汉保惠峰雷云何永彬唐康中王茺	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	VGF法生长半导体晶体的研究进展	范叶霞	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术	周春锋兰天平边义午曹志颖罗惠英	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体	詹琳苏小平张峰翊李金权	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	VGF法中降温速率对InP单晶生长的影响	赵兴凯叶晓达李世强韦华赵茂旭杨春柳孙清	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料