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添加纳米IrO_2的新型涂层IrO_2-Ta_2O_5钛阳极的制备及性能 被引量:14
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作者 白少金 魏宗平 +2 位作者 王欣 邵艳群 唐电 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期669-674,共6页
以纳米IrO2晶粒部分取代H2IrCl6分散于前躯体溶液中,以此改进工艺制备一种Ir和Ta的摩尔比为7-3的IrO2-Ta2O5涂层钛阳极,通过XRD和SEM分析所制备钛阳极表面涂层的物相组成和形貌特征,采用析O2极化曲线、循环伏安和强化寿命测试方法分别... 以纳米IrO2晶粒部分取代H2IrCl6分散于前躯体溶液中,以此改进工艺制备一种Ir和Ta的摩尔比为7-3的IrO2-Ta2O5涂层钛阳极,通过XRD和SEM分析所制备钛阳极表面涂层的物相组成和形貌特征,采用析O2极化曲线、循环伏安和强化寿命测试方法分别研究电极的电催化性能与稳定性。结果表明:在纳米种子嵌入电极涂层中存在的物相分别为IrO2基固溶体(Ir,Ta)O2和IrO2;与采用传统方法制备的电极相比,含纳米种子嵌入结构涂层的钛阳极具有更优越的电催化活性和耐蚀性。 展开更多
关键词 IrO2 ta2o5 钛阳极 纳米种子 电催化性能
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基于TaCl_5的Ta_2O_5气凝胶制备工艺 被引量:13
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作者 任洪波 王鲜 +3 位作者 张林 张勇 毕于铁 万小波 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期87-90,共4页
主要介绍了以TaCl5为前驱体,低分子醇类为溶剂,分别采用环氧丙烷和环氧氯丙烷作为凝胶促进剂制备Ta2O5湿凝胶,湿凝胶经过CO2超临界干燥而获得白色Ta2O5气凝胶。透射电镜图谱表明气凝胶是由粒度为10~20nm的颗粒堆积而成。N2等温吸附... 主要介绍了以TaCl5为前驱体,低分子醇类为溶剂,分别采用环氧丙烷和环氧氯丙烷作为凝胶促进剂制备Ta2O5湿凝胶,湿凝胶经过CO2超临界干燥而获得白色Ta2O5气凝胶。透射电镜图谱表明气凝胶是由粒度为10~20nm的颗粒堆积而成。N2等温吸附一脱附分析表明,气凝胶的比表面积为800~900m^2/g。 展开更多
关键词 ICF ta2o5 气凝胶 凝胶促进剂
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Ta_2O_5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响(英文) 被引量:7
3
作者 周帆 张良 +5 位作者 李俊 张小文 林华平 俞东斌 蒋雪茵 张志林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期188-193,共6页
报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增... 报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增加,相应器件的场效应迁移率下降,其数值分别是50.5,59.3,63.8,71.2 cm2/V.s,对应100,85,60,40 nm厚度的绝缘层。从原子力显微图像可以看到,Ta2O5薄膜表面粗糙度随着薄膜厚度的减小而降低,这是场效应迁移率得以提高的主要原因。而100,85,60,40 nm不同厚度的绝缘层相应器件的开关电流比分别是1.2×105,4.8×105,3.2×104,7.2×103,其阈值电压分别为1.9,1.5,1.2,0.9 V。从各项性能综合考虑,85 nm厚度的Ta2O5栅绝缘层所制备的薄膜晶体管器件具有最佳性能。 展开更多
关键词 ta2o5 绝缘层 氧化性薄膜晶体管 磁控溅射 表面形貌
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添加Ta_2O_5对NiCuZn铁氧体显微结构及磁性能的影响 被引量:6
4
作者 孙科 李垚 +3 位作者 杨艳 兰中文 余忠 郭荣迪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期633-638,共6页
采用固相反应法制备添加Ta2O5的NiCuZn铁氧体,研究了不同Ta2O5含量对NiCuZn铁氧体显微结构,静磁性能和高频损耗的影响。结果表明:Ta2O5具有细化NiCuZn铁氧体晶粒的作用,可降低材料的烧结密度。随着Ta2O5含量的增加,样品的饱和磁感应强... 采用固相反应法制备添加Ta2O5的NiCuZn铁氧体,研究了不同Ta2O5含量对NiCuZn铁氧体显微结构,静磁性能和高频损耗的影响。结果表明:Ta2O5具有细化NiCuZn铁氧体晶粒的作用,可降低材料的烧结密度。随着Ta2O5含量的增加,样品的饱和磁感应强度和起始磁导率单调减小,矫顽力则逐渐增大,截止频率逐渐升高,而高频损耗呈先降低后增加的趋势,其主导因素由剩余损耗逐渐过渡到磁滞损耗。当Ta2O5含量为0.12wt%时,样品在3 MHz、10 mT、100℃下总损耗最小,为139 mW/cm3,其中磁滞损耗和剩余损耗分别为93 mW/cm3和46 mW/cm3。 展开更多
关键词 NICUZN铁氧体 ta2o5添加剂 显微结构 高频损耗
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热处理对离子束溅射Ta_2O_5薄膜特性的影响 被引量:5
5
作者 刘华松 姜承慧 +3 位作者 王利栓 刘丹丹 季一勤 陈德应 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2645-2651,共7页
利用离子束溅射沉积技术制备了Ta2O5薄膜,在100~600℃的大气氛围中对其进行热处理(步进温度为100℃),并对热处理后样品的光学常数(折射率、折射率非均匀性、消光系数和物理厚度)、应力、晶向和表面形貌进行了研究.研究显示,随着热... 利用离子束溅射沉积技术制备了Ta2O5薄膜,在100~600℃的大气氛围中对其进行热处理(步进温度为100℃),并对热处理后样品的光学常数(折射率、折射率非均匀性、消光系数和物理厚度)、应力、晶向和表面形貌进行了研究.研究显示,随着热处理温度增加,薄膜折射率整体呈下降趋势,折射率非均匀性和物理厚度呈增加趋势,结果有效地改善了薄膜的消光系数和应力,但薄膜的晶向和表面形貌均未出现明显的变化.结果表明:热处理可以有效改变薄膜特性,但需要根据Ta2O5薄膜具体应用综合选择最优的热处理温度.本文对离子束溅射Ta2O5薄膜的热处理参数选择具有指导意义. 展开更多
关键词 离子束溅射 ta2o5薄膜 退火温度 光学常数 薄膜折射率
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电子束蒸发沉积Ta_2O_5光学薄膜的研究 被引量:8
6
作者 张光勇 薛亦渝 +2 位作者 郭培涛 王汉华 马中杰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第1期12-15,共4页
通过正交实验,以Ta2O5为初始膜料,采用离子源辅助电子束蒸发技术制备了Ta2O5光学薄膜。透射光谱显示,所制备的Ta2O5光学薄膜具有较高的透射率,极值点透射率约为93%,接近K9玻璃基片的透射率。极差分析表明,基片温度和离子源氧气流量是影... 通过正交实验,以Ta2O5为初始膜料,采用离子源辅助电子束蒸发技术制备了Ta2O5光学薄膜。透射光谱显示,所制备的Ta2O5光学薄膜具有较高的透射率,极值点透射率约为93%,接近K9玻璃基片的透射率。极差分析表明,基片温度和离子源氧气流量是影响薄膜透射率的两个主要因素,而沉积速率的影响很小。分析了各制备参数对Ta2O5薄膜光学性能的影响,得到了采用离子源辅助电子束蒸发制备Ta2O5光学薄膜的最佳工艺参数。 展开更多
关键词 ta2o5 电子束蒸发 透射率
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CeO_2添加对Ta_2O_5低膨胀陶瓷结构与性能的影响 被引量:5
7
作者 李月明 江瑜华 +2 位作者 许素芳 张小珍 周健儿 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1371-1375,共5页
采用干压成型和高温固相反应烧结制备了CeO2改性Ta2O5低膨胀陶瓷材料。研究了CeO2加入量对制备的Ta2O5陶瓷样品的物相组成、微观结构、热膨胀性能、抗折强度和抗热震性能等的影响。结果表明,经1450℃保温2h烧成,纯Ta2O5陶瓷由β-Ta2O5组... 采用干压成型和高温固相反应烧结制备了CeO2改性Ta2O5低膨胀陶瓷材料。研究了CeO2加入量对制备的Ta2O5陶瓷样品的物相组成、微观结构、热膨胀性能、抗折强度和抗热震性能等的影响。结果表明,经1450℃保温2h烧成,纯Ta2O5陶瓷由β-Ta2O5组成,存在明显的开裂现象,表现出负的热膨胀系数(-1.02×10-6℃-1)和低的抗折强度(1.69 MPa)。添加CeO2后,除β-Ta2O5主晶相外,还生成了六方相针状CeTa7O19晶体。适量CeO2的加入可有效抑制Ta2O5陶瓷的高温可逆相转变和消除开裂现象,形成致密的微观结构,样品呈现低的正热膨胀系数,抗折强度和抗热震性能显著提高。 展开更多
关键词 低膨胀陶瓷 ta2o5 CEO2 热膨胀系数 抗折强度
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Ta_2O_5介质膜性能对液体钽电容器性能的影响 被引量:10
8
作者 陆胜 刘仲娥 +2 位作者 梁正书 刘凌 阴学清 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第4期475-477,480,共4页
叙述了钽电解电容器阳极Ta2O5介质膜的形成过程,分析了电解液闪火与氧化膜击穿的微观过程。利用扫描电子显微镜(SEM)分析了阳极氧化后及产品失效后阳极钽芯表面介质膜的微观结构,并对液钽电容器失效机理进行了探讨。结果表明,介质膜内... 叙述了钽电解电容器阳极Ta2O5介质膜的形成过程,分析了电解液闪火与氧化膜击穿的微观过程。利用扫描电子显微镜(SEM)分析了阳极氧化后及产品失效后阳极钽芯表面介质膜的微观结构,并对液钽电容器失效机理进行了探讨。结果表明,介质膜内杂质或缺陷处O2-放电产生的电子发射是电解液闪火和氧化膜击穿的前驱点;在高电场或高温度的作用下,介质膜的场致晶化和热致晶化是液体钽电解电容器失效的主要模式。 展开更多
关键词 ta2o5介质膜 液体钽电解电容器 失效机理
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化学气相沉积法制备Ta_2O_5薄膜的研究进展 被引量:6
9
作者 闫志巧 熊翔 +1 位作者 肖鹏 黄伯云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期511-514,共4页
Ta2O5是重要的介电材料和光波导材料。从前驱体的选择方面综述了化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜的研究进展,说明了五卤化钽和Ta金属有机化合物对CVD过程的影响,对这两类前驱体的优缺点进行了比较和评述,讨论了Ta2O5的生成机理,并对其发展... Ta2O5是重要的介电材料和光波导材料。从前驱体的选择方面综述了化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜的研究进展,说明了五卤化钽和Ta金属有机化合物对CVD过程的影响,对这两类前驱体的优缺点进行了比较和评述,讨论了Ta2O5的生成机理,并对其发展方向作了简要的展望。 展开更多
关键词 化学气相沉积 ta2o5 薄膜 五卤化钽 金属有机化合物
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阳极氧化法制备Ta_2O_5绝缘膜及性能研究 被引量:8
10
作者 张永爱 许华安 郭太良 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期977-980,共4页
采用阳极氧化法在纯Ta表面制备绝缘性优良的Ta2O5介质膜,分析阳极氧化制备Ta2O5膜的基本机理,讨论不同电解液、阳极氧化电压及热处理等工艺参数对Ta2O5膜性能的影响。利用XRD、EDS和AFM分析薄膜的组织结构和表面形貌,超高阻微电流测试... 采用阳极氧化法在纯Ta表面制备绝缘性优良的Ta2O5介质膜,分析阳极氧化制备Ta2O5膜的基本机理,讨论不同电解液、阳极氧化电压及热处理等工艺参数对Ta2O5膜性能的影响。利用XRD、EDS和AFM分析薄膜的组织结构和表面形貌,超高阻微电流测试仪测试Ta2O5绝缘膜漏电流特性和耐击穿电压,结果表明,磷酸电解液中添加适当乙二醇溶液能有效地防止"晶化",阳极氧化电压在125~150V范围内制备Ta2O5绝缘膜耐击穿电压能力强,经350℃/60min大气气氛下热处理Ta2O5薄膜,内部结构致密,能有效提高Ta2O5绝缘膜耐击穿电压。 展开更多
关键词 阳极氧化 ta2o5 绝缘膜 击穿电压
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C/C复合材料Ta_2O_5-TaC/SiC抗氧化抗烧蚀涂层研究 被引量:5
11
作者 姚栋嘉 李贺军 +2 位作者 付前刚 陶珺 王永杰 《中国材料进展》 CAS CSCD 2011年第11期1-5,39,共6页
采用包埋法和低压化学气相沉积(CVD)法在碳/碳(C/C)复合材料表面依次制备了Ta2O5-TaC内涂层和SiC外涂层,用X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜(SEM)及电子能谱(EDS)对涂层的相组成、微观形貌和元素组成进行了分析,研究了涂覆涂层后C/C复合材... 采用包埋法和低压化学气相沉积(CVD)法在碳/碳(C/C)复合材料表面依次制备了Ta2O5-TaC内涂层和SiC外涂层,用X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜(SEM)及电子能谱(EDS)对涂层的相组成、微观形貌和元素组成进行了分析,研究了涂覆涂层后C/C复合材料在1 500℃静态空气中的防氧化性能及在氧-乙炔烧蚀中的抗烧蚀性能。结果表明:采用两步法制得的Ta2O5-TaC/SiC复合涂层结构致密,该复合涂层有效提高了C/C复合材料的抗氧化和抗烧蚀性能;Ta2O5-TaC/SiC复合涂层在1 500℃静态空气环境下可对C/C复合材料有效保护100 h以上;涂层试样在氧乙炔烧蚀环境中烧蚀60 s表明涂层可将C/C复合材料的线烧蚀率降低47.07%,质量烧蚀率降低29.20%。 展开更多
关键词 C/C复合材料 CVD-SiC涂层 ta2o5-taC涂层 抗氧化 抗烧蚀
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Li_2O·Al_2O_3·4SiO_2-Ta_2O_5系微晶玻璃分相与析晶机理研究 被引量:4
12
作者 李要辉 梁开明 +1 位作者 成惠峰 吴云龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1319-1326,共8页
采用Ta2O5为晶核剂制备Li2O.Al2O3.4SiO2-Ta2O5微晶玻璃,并研究其分相、析晶机理,构建晶化模型.结果表明Ta2O5能有效促进玻璃的体积析晶,获得了晶粒尺寸为50nm的精细组织.非等温动力学计算显示随Ta2O5含量增加,析晶活化能降低,析晶指数... 采用Ta2O5为晶核剂制备Li2O.Al2O3.4SiO2-Ta2O5微晶玻璃,并研究其分相、析晶机理,构建晶化模型.结果表明Ta2O5能有效促进玻璃的体积析晶,获得了晶粒尺寸为50nm的精细组织.非等温动力学计算显示随Ta2O5含量增加,析晶活化能降低,析晶指数增加,析晶动力学参数K(Tp)作为析晶判据更为合理.研究发现,LAST玻璃冷却时因亚稳分解导致互锁分相,形核前期又借助成核生长机制发生微滴分相,晶体生长则在继承亚稳分相形貌基础上发生"他形"析晶.最终构建了LAST微晶玻璃的晶化模型. 展开更多
关键词 锂铝硅微晶玻璃 ta2o5 分相 析晶机制
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添加Ta_2O_5对MnZn功率铁氧体性能的影响 被引量:3
13
作者 李乐中 兰中文 +3 位作者 余忠 孙科 罗明 姬海宁 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期379-382,共4页
采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,研究了不同Ta2O5含量对MnZn功率铁氧体微观结构和磁性能的影响.结果表明:少量Ta2O5的加入可以使铁氧体烧结样品的晶粒尺寸增大,气孔率下降,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率升高,损耗降低.而... 采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,研究了不同Ta2O5含量对MnZn功率铁氧体微观结构和磁性能的影响.结果表明:少量Ta2O5的加入可以使铁氧体烧结样品的晶粒尺寸增大,气孔率下降,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率升高,损耗降低.而加入过多的Ta2O5会导致异常晶粒长大,气孔率升高,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率降低,损耗增大.当Ta2O5含量为0.04wt%时,铁氧体烧结样品的晶粒尺寸大小均匀,气孔率最低,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率达到最大值,损耗最低. 展开更多
关键词 MNZN功率铁氧体 ta2o5添加剂 微观结构 磁性能
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La掺杂的SnO_2-Sb中间层对钛基IrO_2+Ta_2O_5电极性能的影响 被引量:5
14
作者 庞海丽 蒙鹏君 +1 位作者 杨莹 张红瑛 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期51-56,共6页
目的改善Ti/IrO_2+Ta_2O_5涂层电极的析氧电催化性能。方法用热分解法在钛基材上制备了La掺杂的SnO_2-Sb中间层,并以此作为基体涂覆IrO_2+Ta_2O_5活性层,制备了Ti/SnO_2-Sb-La/IrO_2+Ta_2O_5涂层电极。采用扫描电子显微镜(SEM)、能量散... 目的改善Ti/IrO_2+Ta_2O_5涂层电极的析氧电催化性能。方法用热分解法在钛基材上制备了La掺杂的SnO_2-Sb中间层,并以此作为基体涂覆IrO_2+Ta_2O_5活性层,制备了Ti/SnO_2-Sb-La/IrO_2+Ta_2O_5涂层电极。采用扫描电子显微镜(SEM)、能量散射能谱(EDS)及X-射线衍射光谱(XRD)技术分别分析了中间层和活性层的表面形貌、元素组成及晶相结构。采用线性扫描伏安曲线(LSV)和强化寿命测试方法在硫酸溶液中分别研究了Ti/SnO_2-Sb-La/IrO_2+Ta_2O_5涂层电极的析氧电催化活性和使用稳定性。同时,考察了La的掺杂比例对Ti/SnO_2-Sb-La/IrO_2+Ta_2O_5电极强化寿命的影响。结果相对未掺杂La的中间层,掺杂La后的中间层表面裂纹减少,有更高的析氧过电位和更低的析氧电流密度。La掺杂对活性层的表面形貌和晶相结构基本没有影响,但电极的析氧电流密度有所提高。通过测试不同La掺杂比例涂层电极的强化寿命,发现La最佳掺杂比例为nLa:nSn=0.5:100。和未掺杂La涂层相比,La最佳掺杂比例涂层电极的强化寿命提高了22.8%。结论相对于未掺杂的Ti/SnO_2-Sb/IrO_2+Ta_2O_5电极,La掺杂后的Ti/SnO_2-Sb-La/IrO_2+Ta_2O_5涂层电极析氧电催化活性和强化寿命都得到改善。 展开更多
关键词 IrO2+ta2o5涂层电极 析氧 LA掺杂 SnO2-Sb中间层 热分解
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离子束溅射参数与Ta_2O_5薄膜特性的关联性 被引量:2
15
作者 刘华松 傅翾 +4 位作者 王利栓 姜玉刚 冷健 庄克文 季一勤 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第7期1770-1775,共6页
离子束溅射技术是制备Ta2O5薄膜的重要技术之一。采用正交试验设计方法,系统研究了Ta2O5薄膜的折射率、折射率非均匀性、消光系数、沉积速率和应力与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性。通过使用分光光度... 离子束溅射技术是制备Ta2O5薄膜的重要技术之一。采用正交试验设计方法,系统研究了Ta2O5薄膜的折射率、折射率非均匀性、消光系数、沉积速率和应力与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性。通过使用分光光度计和椭圆偏振仪测量Ta2O5薄膜透过率光谱和反射椭偏特性,再利用全光谱反演计算的方法获得薄膜的折射率、折射率非均匀性、消光系数和物理厚度。Ta2O5薄膜的应力通过测量基底镀膜前后的表面变形量计算得到。实验结果表明:基板温度是影响Ta2O5薄膜特性的共性关键要素,其他工艺参数的选择与需求的薄膜特性相关。研究结果对于制备不同应用的Ta2O5薄膜制备工艺参数选择具有指导意义。 展开更多
关键词 离子束溅射 ta2o5薄膜 正交实验 光学常数 沉积速率 应力
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Ta_2O_5薄膜制备的研究现状及进展 被引量:5
16
作者 陈胜龙 杨建广 高亮 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期25-30,共6页
Ta2O5薄膜具有很好的电学性能和光学性能,制备方法种类繁多,如溶胶-凝胶法(Sol-gel)、化学气相沉积法、电子束蒸发技术、溅射法、Ta层阳极氧化或热氧化法、离子辅助沉积法(IBAD)、原子层沉积法(ALD)等。评述了现有各种制备方法的优缺点... Ta2O5薄膜具有很好的电学性能和光学性能,制备方法种类繁多,如溶胶-凝胶法(Sol-gel)、化学气相沉积法、电子束蒸发技术、溅射法、Ta层阳极氧化或热氧化法、离子辅助沉积法(IBAD)、原子层沉积法(ALD)等。评述了现有各种制备方法的优缺点,综述了Ta2O5薄膜各种方法制备的条件、薄膜的功能性质等,并评析了金属有机化合物为前驱体制备性能优良的Ta2O5薄膜的前景。 展开更多
关键词 ta2o5 薄膜 制备方法
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Ta_2O_5/Ni60激光熔覆层的耐蚀性研究 被引量:4
17
作者 梁会琴 晁明举 +1 位作者 王东升 梁二军 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期78-79,共2页
利用激光熔覆技术,在A3钢表面进行了Ni60合金添加Ta_2O_5的激光熔覆实验。采用静态浸泡法对相同工艺条件下获得的纯Ni60熔覆层和Ta_2O_5/Ni60熔覆层的耐腐蚀性进行了研究。在光学显微镜下观察样品表面腐蚀形貌,并对Ta_2O_5/Ni60熔覆层... 利用激光熔覆技术,在A3钢表面进行了Ni60合金添加Ta_2O_5的激光熔覆实验。采用静态浸泡法对相同工艺条件下获得的纯Ni60熔覆层和Ta_2O_5/Ni60熔覆层的耐腐蚀性进行了研究。在光学显微镜下观察样品表面腐蚀形貌,并对Ta_2O_5/Ni60熔覆层的腐蚀机理进行了分析。结果表明:在Ni60自熔合金粉末中加入Ta_2O_5,可以形成一种新的耐腐蚀体系。然而加入的Ta_2O_5必须有足够的量(>7wt.%),才有提高耐蚀性的作用。随着Ta_2O_5的加入量的增加,试样的耐腐蚀性也增加。当Ta_2O_5的加入量为11wt.%时,可以使耐蚀性提高20%。 展开更多
关键词 激光熔覆 ta2o5 耐蚀性
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IrO_2/Ta_2O_5-石墨电Fenton降解对硝基酚的研究 被引量:6
18
作者 杨志新 袁松虎 陆晓华 《环境科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期22-24,共3页
采用最高的电化学稳定性钛基镀IrO2/Ta2O5为阳极,以石墨为阴极,通过外加Fe2+,构成一种新的高效电Fenton体系对难降解有机物对硝基酚(4NP)废水进行了降解研究。在最佳工艺条件:恒电流0.3A,Na2SO4浓度3g/L,Fe2+浓度为1mmoL/L,曝气量40mL/m... 采用最高的电化学稳定性钛基镀IrO2/Ta2O5为阳极,以石墨为阴极,通过外加Fe2+,构成一种新的高效电Fenton体系对难降解有机物对硝基酚(4NP)废水进行了降解研究。在最佳工艺条件:恒电流0.3A,Na2SO4浓度3g/L,Fe2+浓度为1mmoL/L,曝气量40mL/min,初始pH为5.30对100mg/L的4NP电解2h,COD去除率达84%。并且钛基镀IrO2/Ta2O5阳极相对于目前常用的Pt、PbO2等阳极具有特有的优势,为废水处理中选择新型阳极材料和新的反应体系提供了新思路。 展开更多
关键词 钛基阳极IrO2/ta2o5 电FENTON 对硝基酚
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TiO_2/Ta_2O_5复合薄膜对医用NiTi合金的表面改性 被引量:3
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作者 陈吉华 陈鼎 杨大智 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期27-33,共7页
采用 AFM,XRD和 XPS等对 Ni Ti表面离子束合成 Ti O2 /Ta2 O5复合薄膜的表面微观形貌、微结构和表面化学组成进行了表征。同时研究了膜层的力学性能、抗模拟体液腐蚀性和抗凝血性。结果表明 ,适当组成的 Ti O2 /Ta2 O5复合薄膜能显著提... 采用 AFM,XRD和 XPS等对 Ni Ti表面离子束合成 Ti O2 /Ta2 O5复合薄膜的表面微观形貌、微结构和表面化学组成进行了表征。同时研究了膜层的力学性能、抗模拟体液腐蚀性和抗凝血性。结果表明 ,适当组成的 Ti O2 /Ta2 O5复合薄膜能显著提高 Ni 展开更多
关键词 TiO2/ta2o5复合薄膜 医用NiTi合金 表面改性 离子束改性 抗蚀性 抗凝血性 镍钛合金 表面微观形貌
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TaC及Ta_2O_5涂覆纳米碳管的制备与表征 被引量:2
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作者 秦云 丛野 +3 位作者 崔正威 董志军 袁观明 李轩科 《武汉科技大学学报》 CAS 2012年第5期366-370,376,共6页
以纳米碳管为反应性模板、金属钽粉为金属源,采用熔盐法在纳米碳管表面反应原位生成TaC涂层,在混合空气下将TaC涂层于不同温度氧化转化为Ta2O5涂层,并运用XRD和SEM对生成产物的晶体组成和形貌进行表征。结果表明,采用熔盐反应法可在纳... 以纳米碳管为反应性模板、金属钽粉为金属源,采用熔盐法在纳米碳管表面反应原位生成TaC涂层,在混合空气下将TaC涂层于不同温度氧化转化为Ta2O5涂层,并运用XRD和SEM对生成产物的晶体组成和形貌进行表征。结果表明,采用熔盐反应法可在纳米碳管表面生成较为均匀的TaC涂层,经不同温度氧化后生成Ta2O5涂覆纳米碳管复合材料,在较高温度下其仍能保持纳米碳管原有的形貌。 展开更多
关键词 taC ta2o5 纳米碳管 涂层
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