检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

一种和差波束可重构的微带贴片天线被引量：1: 1; 作者王健华昌洲俞意《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第5期44-49,共6页; 本文设计了一种工作在TM03模式的单层方形和差波束可重构的开槽微带贴片天线。该天线由同轴探针馈电,没有复杂的和差网络和馈电结构。顶层辐射贴片上三个平行排布的矩形槽用于和波束方向图的旁瓣降低和增益增强。槽两侧的八个金属过孔... 展开更多; 关键词和差波束天线贴片天线旁瓣降低高增益 tm03模式; 在线阅读下载PDF 职称材料

增益开关锁模2μm铥/钬共掺光纤激光器被引量：9: 2; 作者杨未强张斌 +2 位作者侯静宋锐刘泽金《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2521-2522,共2页; 首次报道了中心波长为1958nm的增益开关锁模铥/钬共掺光纤激光器,增益开光脉冲包络和锁模次脉冲的重复频率分别为20kHz和14.8MHz。将此增益开关锁模光纤激光作为种子源,在掺铥光纤放大器中产生了平坦的超连续谱光源。超连续谱的最大输... 展开更多; 关键词光纤激光器增益开关锁模掺铥光纤放大器超连续谱产生; 在线阅读下载PDF 职称材料

混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性被引量：1: 3; 作者段子刚《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1453-1455,共3页; 采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1- y多量子阱材料 ,对应1.3μm波段平均应变量 - 0 .16 % ,周期 11nm 采用三个周期外延材料的芯片制作的LD 。; 关键词 SOA 偏振无关 tm模增益混合应变量子阱; 在线阅读下载PDF 职称材料

混合应变量子阱SOA的增益特性: 4; 作者段子刚《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 2004年第1期30-32,共3页; 报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性.引入张应变量子阱的SOA器件,增益带宽约为50nm,偏振相关损耗小于1dB,峰值增益随偏置电流增大蓝移.在高偏置条件下,芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱... 展开更多; 关键词混合应变量子阱 SOA 偏振无关 tm模增益外腔反馈半导体光放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种和差波束可重构的微带贴片天线被引量：1: 1; 作者王健华昌洲俞意; 机构宁波大学信息科学与工程学院浙江省国防科技工业促进中心; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第5期44-49,共6页; 基金国家自然科学基金(62271273) 宁波市自然科学基金(2022J097)。; 文摘本文设计了一种工作在TM03模式的单层方形和差波束可重构的开槽微带贴片天线。该天线由同轴探针馈电,没有复杂的和差网络和馈电结构。顶层辐射贴片上三个平行排布的矩形槽用于和波束方向图的旁瓣降低和增益增强。槽两侧的八个金属过孔用于产生差波束。底层金属地上设计了简单的二极管开关控制电路用于实现和波束与差波束的切换。测试结果表明,该和差波束天线的中心工作频率为3.53 GHz,-10 dB阻抗带宽为1.4%,和波束的增益为11.35 dBi,旁瓣电平为-22.9 dB,半功率波束宽度为45°,差波束的增益为9.62 dBi,零深深度为-17.95 dB。本文提出的和差波束可重构微带贴片天线结构紧凑,低剖面、高增益,且具有良好的辐射特性,易于在PCB板上与其他平面电路集成。; 关键词和差波束天线贴片天线旁瓣降低高增益 tm03模式; Keywords sum-difference beam antenna patch antenna sidelobe reduction high gain tm 03 mode; 分类号 TN822 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名增益开关锁模2μm铥/钬共掺光纤激光器被引量：9: 2; 作者杨未强张斌侯静宋锐刘泽金; 机构国防科学技术大学光电科学与工程学院; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2521-2522,共2页; 基金国家自然科学基金项目(61077076) 科技部国际科技合作专项项目(2012DFG11470); 文摘首次报道了中心波长为1958nm的增益开关锁模铥/钬共掺光纤激光器,增益开光脉冲包络和锁模次脉冲的重复频率分别为20kHz和14.8MHz。将此增益开关锁模光纤激光作为种子源,在掺铥光纤放大器中产生了平坦的超连续谱光源。超连续谱的最大输出功率为2.17 W,其长波长边已扩展到2750nm,10dB带宽约为640nm(光谱范围1953～2593nm)。; 关键词光纤激光器增益开关锁模掺铥光纤放大器超连续谱产生; Keywords fiber laser gain-switching mode-locking tm-doped fiber amplifier supercontinuum generation; 分类号 TN212 [电子电信—物理电子学] TN248 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性被引量：1: 3; 作者段子刚; 机构深圳大学光电子学研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1453-1455,共3页; 文摘采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1- y多量子阱材料 ,对应1.3μm波段平均应变量 - 0 .16 % ,周期 11nm 采用三个周期外延材料的芯片制作的LD 。; 关键词 SOA 偏振无关 tm模增益混合应变量子阱; Keywords SOA Polarization independence tm mode gain Mix strained quantum wells; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名混合应变量子阱SOA的增益特性: 4; 作者段子刚; 机构深圳大学光电子学研究所; 出处《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 2004年第1期30-32,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60377012); 文摘报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性.引入张应变量子阱的SOA器件,增益带宽约为50nm,偏振相关损耗小于1dB,峰值增益随偏置电流增大蓝移.在高偏置条件下,芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱收缩,增益下降.高性能SOA必须克服芯片剩余反射和抑制外腔反馈.; 关键词混合应变量子阱 SOA 偏振无关 tm模增益外腔反馈半导体光放大器; Keywords SOA polarization independence tm mode gain mix strained quantum wells external cavity feedback; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统] TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料