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不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法被引量：6: 1; 作者陈睿余永涛 +5 位作者董刚上官士鹏封国强韩建伟马英起朱翔《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期264-269,共6页; 基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、... 展开更多; 关键词不同工艺尺寸单粒子闩锁效应 sel三维仿真模型防护结构重离子辐照; 在线阅读下载PDF 职称材料

SRAM单粒子效应监测平台的设计被引量：2: 2; 作者高山山苏弘 +6 位作者孔洁千奕童腾张战刚刘杰侯明东孙友梅《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期209-213,共5页; SRAM单粒子效应监测平台用于兰州重离子加速器(HIRFL)辐照终端开展单粒子效应实验,采用"承载子板—主控制板—上位机"结构。简要分析了SRAM单粒子效应产生机理,详细描述了该平台的硬件系统、软件系统和性能指标。重离子辐照... 展开更多; 关键词 SRAM 单粒子翻转单粒子闩锁重离子; 在线阅读下载PDF 职称材料

VA140的单粒子闩锁试验研究被引量：1: 3; 作者张云龙崔兴柱 +12 位作者龚依民彭文溪王焕玉张飞樊瑞睿梁晓华高旻龚珂王钇心杨彦佶祝贵阳刘彦良祝晓龙《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期1518-1519,1523,共3页; 专用集成电路是为特定用户或特定电子系统制作的集成电路,具有高性能、高可靠性等优点。专用集成电路VA140是中国暗物质卫星有效载荷硅微条探测器的关键器件。为测试VA140的抗单粒子闩锁特性,设计了简单的测试系统。应用兰州近代物理研... 展开更多; 关键词单粒子闩锁(sel) 专用集成电路(ASIC) 线性能量传输(LET) 重离子; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法	陈睿余永涛董刚上官士鹏封国强韩建伟马英起朱翔	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SRAM单粒子效应监测平台的设计	高山山苏弘孔洁千奕童腾张战刚刘杰侯明东孙友梅	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	VA140的单粒子闩锁试验研究	张云龙崔兴柱龚依民彭文溪王焕玉张飞樊瑞睿梁晓华高旻龚珂王钇心杨彦佶祝贵阳刘彦良祝晓龙	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料