Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究

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作者 卢茜 吴子景 +2 位作者 吴晓京 Weidian Shen 蒋宾 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第4期282-286,共5页

Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多... Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。 展开更多

关键词 Cu/Ta/sio2/si多层膜结构 纳米压入技术 压痕下微观结构

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非晶SiO2/Si界面缺陷及其钝化/去钝化反应机制 被引量：2

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作者 洪卓呈 左旭 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第12期2362-2375,共14页

研究非晶二氧化硅/硅(a-SiO2/Si)界面处的硅悬挂键缺陷(即Pb类缺陷)的钝化与去钝化过程对提高器件性能具有重要意义。基于分子动力学与第一性原理计算方法,以a-SiO2和晶体Si为基础,构建了a-SiO2/Si(111)界面模型。采用CI-NEB(ClimbingIm... 研究非晶二氧化硅/硅(a-SiO2/Si)界面处的硅悬挂键缺陷(即Pb类缺陷)的钝化与去钝化过程对提高器件性能具有重要意义。基于分子动力学与第一性原理计算方法,以a-SiO2和晶体Si为基础,构建了a-SiO2/Si(111)界面模型。采用CI-NEB(ClimbingImage-NudgedElasticBand)方法分别对a-SiO2/Si(111)界面的Pb缺陷分别于氢气和氢原子的钝化、去钝化反应进行了研究。明确了基于非晶二氧化硅/硅界面缺陷模型的钝化、去钝化反应的反应曲线、反应势垒以及反应的过渡态结构。 展开更多

关键词 第一性原理 a-sio2/si(111)界面 钝化/去钝化 NEB方法

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铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构 被引量：2

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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期758-762,共5页

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 展开更多

关键词 MEVVA离子源 半导体薄膜 铒 光致发光 显微结构 掺杂 sio2/si发光薄膜 富硅氧化硅 光谱

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SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征 被引量：3

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作者 曹亮亮 叶志镇 +4 位作者 张阳 朱丽萍 张银珠 徐伟中 赵炳辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期164-167,共4页

本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO... 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 sio2/si 脉冲激光沉积 光致发光

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用于微机电系统的SiO_2/Si_3N_4驻极体的制备及电荷稳定性 被引量：2

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作者 肖慧明 温中泉 +1 位作者 张锦文 陈钢进 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1297-1299,1303,共4页

驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极... 驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极体,探讨了器件加工工艺及存储环境对双层膜驻极体电荷稳定性的影响。结果表明,电晕充电后SiO2/Si3N4双层膜的电荷存储稳定性明显优于SiO2单层膜;传统的电晕注极方法仅适用于大面积驻极体的制备,但对微米量级的材料表面不适用;微器件制备的工艺流程对驻极体电荷稳定性有显著影响,但存储环境对热极化驻极体电荷稳定性的影响很小。 展开更多

关键词 驻极体 微型发电机 sio2/si3N4双层膜 电荷稳定性 微器件加工

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Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤 被引量：1

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作者 范隆 郝跃 余学峰 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期433-436,共4页

从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对... 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显. 展开更多

关键词 氧化物电荷 界面态 能量分布 MOS电容 总剂量辐射损伤 si/sio2 si/sio2/si3N4

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MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文)

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作者 孙国胜 王雷 +4 位作者 巩全成 高欣 刘兴日方 曾一平 李晋闽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期982-985,976,共5页

本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测... 本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-S iC和S iO2之间没有明显的坑洞形成。 展开更多

关键词 3C—siC LPCVD生长 si台面 sio2/si

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脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜

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作者 王新昌 叶志镇 +1 位作者 曹亮亮 赵炳辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期134-137,145,共5页

本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原... 本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。 展开更多

关键词 LiTaO3薄膜 sio2/si衬底 C轴取向 脉冲激光沉积

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SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究 被引量：3

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作者 王科范 盛斌 +3 位作者 刘金锋 徐彭寿 潘海滨 韦世强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期358-361,366,共5页

Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化... Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点。在650℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成。 展开更多

关键词 GE量子点 sio2薄膜 si(111) 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(RHEED)

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第一性原理研究厚度和空位缺陷对Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的影响 被引量：3

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作者 顾芳 陈云云 +2 位作者 张仙岭 李敏 张加宏 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期993-999,共7页

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,在局域密度近似(LDA)下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si/Si O2界面电子结构及光学性质的影响.电子结构计算结果表明:在0.815~2.580nm的Si层厚度范围内,Si/Si O2界面结构的能隙随着厚度减... 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,在局域密度近似(LDA)下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si/Si O2界面电子结构及光学性质的影响.电子结构计算结果表明:在0.815~2.580nm的Si层厚度范围内,Si/Si O2界面结构的能隙随着厚度减小而逐渐增大,表现出明显的量子尺寸效应,这与实验以及其他理论计算结果一致;三种不同的O空位缺陷的存在均使得Si/Si O2界面能隙中出现了缺陷态,费米能级向高能量方向移动,且带隙有微弱增加.光学性质计算结果表明:随着Si纳米层厚度的减小,Si/Si O2界面吸收系数产生了蓝移;O空位缺陷引入后,界面光学性质的变化主要集中在低能区,即低能区的吸收系数和光电导率显著增加.可见,改变厚度和引入缺陷能够有效地调控Si/Si O2界面体系的电子和光学性质,上述研究结果为Si/Si O2界面材料的设计与应用提供了一定的理论依据. 展开更多

关键词 si/sio2界面 第一性原理 空位缺陷 电子结构 光学性质

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Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光 被引量：3

11

作者 陈青云 段满益 +6 位作者 周海平 董成军 魏屹 纪红萱 黄劲松 陈卫东 徐明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期363-370,共8页

采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分... 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。 展开更多

关键词 si/siNx/sio2多层膜 红外吸收 光致发光

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Si表面Si-OH、SiO2结构的LDA与GGA研究 被引量：2

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作者 杨春 廖子夷 +3 位作者 余毅 周明秀 郁卫飞 黄辉 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2008年第2期187-191,共5页

在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和... 在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和SiO2结构的计算. 展开更多

关键词 si—OH sio2 密度泛函 局域密度近似 广义梯度近似

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SiO_2:Sm粉体:溶胶-凝胶法制备及特殊荧光性能(英文) 被引量：3

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作者 谭伟民 陆春华 +2 位作者 倪亚茹 王晓钧 许仲梓 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第4期635-640,共6页

采用溶胶-凝胶法制备SiO2:Sm粉体,通过TG-DSC、FTIR、MAS-NMR、PL对材料的结构和性能进行测试表征。FTIR分析显示样品位于960cm-1的吸收峰归属于Si-O-Sm键的变形振动,29Si MAS-NMR证实Sm3+进入SiO2网络结构。在380nm入射光激发下样品产... 采用溶胶-凝胶法制备SiO2:Sm粉体,通过TG-DSC、FTIR、MAS-NMR、PL对材料的结构和性能进行测试表征。FTIR分析显示样品位于960cm-1的吸收峰归属于Si-O-Sm键的变形振动,29Si MAS-NMR证实Sm3+进入SiO2网络结构。在380nm入射光激发下样品产生除Sm3+特征发光以外的蓝绿荧光,对不同Sm3+掺量样品荧光性能进行对比分析,结果表明这种特殊的荧光发射与Si-O-Sm键的形成有关。 展开更多

关键词 sio2:Sm 溶胶-凝胶 光致发光 si-O-Sm键

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基于最小Gibbs自由能原理的CaO-SiO_2炉渣和Si-Ca金属两相体系平衡热力学模型 被引量：4

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作者 王飞 郭汉杰 杨学民 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1785-1790,共6页

基于封闭平衡体系Gibbs自由能最小原理对精炼Si液中杂质Ca的炉渣金属体系建立热力学模型,由该热力学模型得到Si液中Ca的摩尔分数xCa与CaO-SiO2二元渣系CaO的摩尔分数xCaO的关系和文献报道的实验结果吻合良好,即0.3<xCaO<0.4较有利... 基于封闭平衡体系Gibbs自由能最小原理对精炼Si液中杂质Ca的炉渣金属体系建立热力学模型,由该热力学模型得到Si液中Ca的摩尔分数xCa与CaO-SiO2二元渣系CaO的摩尔分数xCaO的关系和文献报道的实验结果吻合良好,即0.3<xCaO<0.4较有利于Si液脱Ca。热力学模型计算结果表明:Si液中Si和Ca的活度分别与SiO2和CaO质量作用浓度的比值符合炉渣金属组元活度之间的关系式,且计算结果比文献报道的数据精度更高。因此,基于炉渣离子分子共存理论的质量作用浓度可与经典的炉渣活度一样表征CaO-SiO2二元渣系组元的反应能力。由建立的热力学模型计算结果确定的反应[Ca]+0.5(SiO2)=(CaO)+0.5[Si]的标准摩尔反应Gibbs自由能变化表达式为r m,CaO G=89 532.7 21.8T(J/mol)。 展开更多

关键词 CaO-sio2渣系 si-Ca熔体 最小自由能原理 热力学模型 离子分子共存理论 si液精炼 活度

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添加纳米SiO_2对Mg-Al-Si-O系陶瓷烧结及介电性能的影响 被引量：5

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作者 支晓洁 彭金辉 +4 位作者 郭胜惠 孟彬 陈菓 李军 吴小方 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2009年第4期419-422,共4页

通过在分析纯MgO、Al2O3、SiO2原料中添加纳米SiO2,采用直接烧结法在1400℃合成Mg-Al-Si-O系陶瓷材料。系统研究了纳米SiO2含量对Mg-Al-Si-O系陶瓷材料力学和介电性能的影响。实验结果表明:纳米SiO2含量为10～20%时可以有效降低材料的... 通过在分析纯MgO、Al2O3、SiO2原料中添加纳米SiO2,采用直接烧结法在1400℃合成Mg-Al-Si-O系陶瓷材料。系统研究了纳米SiO2含量对Mg-Al-Si-O系陶瓷材料力学和介电性能的影响。实验结果表明:纳米SiO2含量为10～20%时可以有效降低材料的介电常数;含量为30%时可以获得最大体积密度和弯曲强度。 展开更多

关键词 Mg-Al-si-O系陶瓷 纳米sio2 介电常数

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掺Al富Si/SiO_2薄膜制备及紫外发光特性研究 被引量：1

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作者 王国立 郭亨群 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期109-112,共4页

采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si／SiO2复合薄膜，以不同退火温度对样品进行热处理。对样品进行X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（FFIR）、光致发光（PL）和光致发光激发谱（PLE）检测。结果表明SiO2薄... 采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si／SiO2复合薄膜，以不同退火温度对样品进行热处理。对样品进行X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（FFIR）、光致发光（PL）和光致发光激发谱（PLE）检测。结果表明SiO2薄膜中存在纳米Si晶粒，并且含有AlOx成分。室温下，可以观察到位于3．24～3．42ev的较强紫外光致发光，其发光强度随退火温度和Al含量的变化而变化。分析表明该发光带与SiO2中的氧空位缺陷有关，缺陷分布与纳米＆的形成以及不同Al含量的氧化有关，从而影响薄膜发光强度。 展开更多

关键词 纳米硅/二氧化硅 铝掺杂 紫外光致发光 射频磁控溅射

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Si/Ti摩尔比对SiO_2-TiO_2气凝胶催化性能的影响 被引量：3

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作者 张波 姜剑锋 +1 位作者 邓冰心 陈银飞 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2015年第4期374-378,共5页

通过溶胶凝胶—常压干燥法制备了不同Si/Ti摩尔比的SiO2-TiO2复合气凝胶,结合Uv-vis,FT-IR等表征手段研究Si/Ti摩尔比对其在以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,H2O2((H2O2)=30%)为氧化剂的苯乙烯环氧化反应中催化性能的影响.结果表明:反... 通过溶胶凝胶—常压干燥法制备了不同Si/Ti摩尔比的SiO2-TiO2复合气凝胶,结合Uv-vis,FT-IR等表征手段研究Si/Ti摩尔比对其在以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,H2O2((H2O2)=30%)为氧化剂的苯乙烯环氧化反应中催化性能的影响.结果表明:反应产物只有环氧苯乙烷(SO)和苯甲醛(BA).随着Si/Ti摩尔比的降低,催化剂的TON和双氧水的有效利用率逐渐降低,但苯乙烯的转化率先迅速增加后增加缓慢,SO的选择性先增加后降低,当Si/Ti摩尔比为16.4时,SO的选择性和收率最高,这归因于随着钛含量的增加,三种不同钛物种相对含量的变化. 展开更多

关键词 苯乙烯 环氧化 sio2-TiO2复合气凝胶 si/Ti比 选择性

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PECVD非晶SiO_2薄膜的红外吸收特性研究 被引量：3

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作者 何乐年 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期76-78,共3页

用傅里叶红外吸收（ＦＴ－ＩＲ）光谱研究了等离子体化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的非晶ＳｉＯ２薄膜（ａ－ＳｉＯ２）的Ｓｉ—Ｏ—Ｓｉ键的红外吸收特性与膜厚的关系。Ｓｉ—Ｏ—Ｓｉ伸缩振动模在１０５０ｃｍ－１和１１５０ｃｍ... 用傅里叶红外吸收（ＦＴ－ＩＲ）光谱研究了等离子体化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的非晶ＳｉＯ２薄膜（ａ－ＳｉＯ２）的Ｓｉ—Ｏ—Ｓｉ键的红外吸收特性与膜厚的关系。Ｓｉ—Ｏ—Ｓｉ伸缩振动模在１０５０ｃｍ－１和１１５０ｃｍ－１附近分别有两个吸收峰，弯曲振动模在８００ｃｍ－１附近有一个吸收峰。１０５０ｃｍ－１和１１５０ｃｍ－１吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加，而８００ｃｍ－１吸收带的积分强度不随膜层的递增而变化。因此我们推测薄膜密度不随膜厚而变化，１０５０ｃｍ－１吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加的原因是由于１１５０　ｃｍ－１吸收带对１０５０ｃｍ－１吸收带的影响。另外，８００ｃｍ－１和１０５０ｃｍ－１这两个吸收峰的表观吸收系数αａｐｐ被发现和膜厚ｄ成正比：αａｐｐ＝ｋ×ｄ。利用αａｐｐ和ｄ的正比关系，ＰＥＣＶＤ　ａ－ＳｉＯ２的膜厚可用非破坏性的ＦＴ－ＩＲ快速方便地测定。 展开更多

关键词 非晶sio2薄膜 PECVD 红外光谱 si-O-si键

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新型SiO_2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器 被引量：1

19

作者 刘兴明 韩琳 刘理天 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期764-766,770,共4页

对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更... 对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 sio2栅介质

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NaCl-KCl-NaF-SiO_2熔盐体系电沉积渗硅的研究 被引量：1

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作者 何小凤 李运刚 李智慧 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2014年第11期21-27,56,共8页

在KCl-NaCl-NaF-（SiO2）熔盐体系中,以钼为基体,以电沉积法得到的硅为硅源,在电沉积硅的同时进行渗硅,成功制备了Mo-MoSi2梯度材料。考察了电沉积给电方式、电流密度、温度、时间和脉冲形式对沉积扩散层表面形貌、相结构、断面厚度以... 在KCl-NaCl-NaF-（SiO2）熔盐体系中,以钼为基体,以电沉积法得到的硅为硅源,在电沉积硅的同时进行渗硅,成功制备了Mo-MoSi2梯度材料。考察了电沉积给电方式、电流密度、温度、时间和脉冲形式对沉积扩散层表面形貌、相结构、断面厚度以及硅含量分布的影响。结果表明,脉冲给电比直流给电的沉积效果好。合适的脉冲沉积参数为：电流密度750-1 000A/cm2、温度800-850℃、t1/t2=0.7-1.5、沉积时间120-180min。 展开更多

关键词 NaCl-KCl-NaF-sio2熔盐体系 电沉积 si Mo-Mosi2梯度材料

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