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SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响
被引量：
2
1
作者
任世荣
陈新亮
+4 位作者
张存善
孙建
张晓丹
耿新华
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期843-847,共5页
利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2...
利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm.2V-.1s-1,电阻率ρ～5.86×10-4Ω.cm,电子载流子浓度n～1.95×1020 cm-3,400～1600 nm光谱区域内的平均透过率～76%。
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关键词
电子束沉积技术
sio2
阻挡层
IWO薄膜
高迁移率
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职称材料
题名
SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响
被引量：
2
1
作者
任世荣
陈新亮
张存善
孙建
张晓丹
耿新华
赵颖
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
河北工业大学信息工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期843-847,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(No.2011CBA00705,2011CBA00706&2011CBA00707)
天津市应用基础及前沿技术研究计划(No.09JCYBJC06900)
中央高校基本科研业务费专项资金项目(No.65010341)
文摘
利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm.2V-.1s-1,电阻率ρ～5.86×10-4Ω.cm,电子载流子浓度n～1.95×1020 cm-3,400～1600 nm光谱区域内的平均透过率～76%。
关键词
电子束沉积技术
sio2
阻挡层
IWO薄膜
高迁移率
Keywords
electron beam deposition
sio2 buffer layer
IWO（In2O3∶WO3） thin films
high mobility
分类号
O484 [理学—固体物理]
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作者
出处
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被引量
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1
SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响
任世荣
陈新亮
张存善
孙建
张晓丹
耿新华
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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