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SiO_2内保护层对LiB_3O_5晶体倍频增透膜损伤阈值的影响
被引量：
2
1
作者
于爱芳
范飞镝
+2 位作者
刘中星
朱镛
陈创天
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期603-606,共4页
利用离子辅助电子束沉积方法在LiB3O5基底上镀制了不加SiO2内保护层和加SiO2内保护层的倍频增透膜,测量了两类薄膜在波长1064 nm多脉冲辐照下的激光损伤阈值,获得了两种不同的损伤形貌,并对损伤原因作了初步探讨。实验结果表明:保护层...
利用离子辅助电子束沉积方法在LiB3O5基底上镀制了不加SiO2内保护层和加SiO2内保护层的倍频增透膜,测量了两类薄膜在波长1064 nm多脉冲辐照下的激光损伤阈值,获得了两种不同的损伤形貌,并对损伤原因作了初步探讨。实验结果表明:保护层的加入把由基底膜层界面缺陷吸收所决定的阈值改变到由HfO2膜层内缺陷吸收所决定的阈值,显著提高了倍频增透膜的抗激光损伤能力。
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关键词
LiB3O5
sio2
内保护层
倍频增透膜
激光损伤阈值
损伤形貌
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职称材料
高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭和组件光衰的影响
2
作者
牛晓龙
乔松
+3 位作者
张莉沫
夏新中
高文宽
倪建雄
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期836-841,共6页
研究了预烧结和未烧结的两种高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭少子寿命、氧浓度以及相应光伏组件光致衰减(LID)率的影响。采用含有预烧结隔离层的坩埚和未烧结隔离层的坩埚分别进行多晶硅铸锭实验并测试硅锭及相应光伏组件的性能。结果显示,...
研究了预烧结和未烧结的两种高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭少子寿命、氧浓度以及相应光伏组件光致衰减(LID)率的影响。采用含有预烧结隔离层的坩埚和未烧结隔离层的坩埚分别进行多晶硅铸锭实验并测试硅锭及相应光伏组件的性能。结果显示,两种隔离层对铁杂质都具有阻挡作用,预烧结的隔离层有利于降低硅锭中的氧浓度,其对应的硅锭中氧浓度和组件光致衰减率均为最低,而未经烧结的隔离层并未体现出这一作用。通过两种隔离层的SEM图像可以发现,经过预烧结工艺的隔离层结构更为致密;而未经烧结的隔离层中孔隙较多,可能容易引起硅熔体与隔离层或者坩埚进行反应,将较多的氧杂质引入到硅锭中,从而造成氧含量的增加并引起组件较高的光致衰减率。
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关键词
高纯
sio2
隔离层
多晶硅铸锭
杂质
氧浓度
光致衰减(LID)
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职称材料
题名
SiO_2内保护层对LiB_3O_5晶体倍频增透膜损伤阈值的影响
被引量：
2
1
作者
于爱芳
范飞镝
刘中星
朱镛
陈创天
机构
中国科学院理化技术研究所人工晶体研究与发展中心
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期603-606,共4页
基金
国家863计划项目资助课题
文摘
利用离子辅助电子束沉积方法在LiB3O5基底上镀制了不加SiO2内保护层和加SiO2内保护层的倍频增透膜,测量了两类薄膜在波长1064 nm多脉冲辐照下的激光损伤阈值,获得了两种不同的损伤形貌,并对损伤原因作了初步探讨。实验结果表明:保护层的加入把由基底膜层界面缺陷吸收所决定的阈值改变到由HfO2膜层内缺陷吸收所决定的阈值,显著提高了倍频增透膜的抗激光损伤能力。
关键词
LiB3O5
sio2
内保护层
倍频增透膜
激光损伤阈值
损伤形貌
Keywords
LiB3O5 crystal
sio2 barrier layer
Second harmonics antireflection coating
Laser induced damage threshold（LIDT）
Damage morphology
分类号
TB43 [一般工业技术]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭和组件光衰的影响
2
作者
牛晓龙
乔松
张莉沫
夏新中
高文宽
倪建雄
机构
光伏材料与技术国家重点实验室
英利能源(中国)有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期836-841,共6页
基金
河北省科技支撑计划资助项目(15214303D)
文摘
研究了预烧结和未烧结的两种高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭少子寿命、氧浓度以及相应光伏组件光致衰减(LID)率的影响。采用含有预烧结隔离层的坩埚和未烧结隔离层的坩埚分别进行多晶硅铸锭实验并测试硅锭及相应光伏组件的性能。结果显示,两种隔离层对铁杂质都具有阻挡作用,预烧结的隔离层有利于降低硅锭中的氧浓度,其对应的硅锭中氧浓度和组件光致衰减率均为最低,而未经烧结的隔离层并未体现出这一作用。通过两种隔离层的SEM图像可以发现,经过预烧结工艺的隔离层结构更为致密;而未经烧结的隔离层中孔隙较多,可能容易引起硅熔体与隔离层或者坩埚进行反应,将较多的氧杂质引入到硅锭中,从而造成氧含量的增加并引起组件较高的光致衰减率。
关键词
高纯
sio2
隔离层
多晶硅铸锭
杂质
氧浓度
光致衰减(LID)
Keywords
high-purity
sio2 barrier layer
multicrystalline silicon ingot
impurity
oxygen concentration
light induced degradation（LID）
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiO_2内保护层对LiB_3O_5晶体倍频增透膜损伤阈值的影响
于爱芳
范飞镝
刘中星
朱镛
陈创天
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭和组件光衰的影响
牛晓龙
乔松
张莉沫
夏新中
高文宽
倪建雄
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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职称材料
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