提出一种高质高效、自上而下的纳米硅制备方法,从半导体复合加工方法入手,以重掺杂晶体硅为原料,采用火花放电法高效预制备微米/亚微米硅材料,其平均粒径(D50)约1.45μm,进而通过高能球磨法将尺寸缩减至数十纳米,获得尺寸均布、平均粒径...提出一种高质高效、自上而下的纳米硅制备方法,从半导体复合加工方法入手,以重掺杂晶体硅为原料,采用火花放电法高效预制备微米/亚微米硅材料,其平均粒径(D50)约1.45μm,进而通过高能球磨法将尺寸缩减至数十纳米,获得尺寸均布、平均粒径(D50)约60 nm的硅颗粒。微米/亚微米硅材料首次放电比容量较高,超过3500 m Ah/g,但经65次循环,电极的可逆比容量仅剩300 m Ah/g,容量保持率不足15%。纳米硅颗粒首次放电比容量为2717.3 m Ah/g,经65次循环,电极的可逆比容量仍保持有1458.6 m Ah/g,容量保持率高达66.84%。展开更多
文摘提出一种高质高效、自上而下的纳米硅制备方法,从半导体复合加工方法入手,以重掺杂晶体硅为原料,采用火花放电法高效预制备微米/亚微米硅材料,其平均粒径(D50)约1.45μm,进而通过高能球磨法将尺寸缩减至数十纳米,获得尺寸均布、平均粒径(D50)约60 nm的硅颗粒。微米/亚微米硅材料首次放电比容量较高,超过3500 m Ah/g,但经65次循环,电极的可逆比容量仅剩300 m Ah/g,容量保持率不足15%。纳米硅颗粒首次放电比容量为2717.3 m Ah/g,经65次循环,电极的可逆比容量仍保持有1458.6 m Ah/g,容量保持率高达66.84%。
