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多重散射对40nm SRAM和3D-SRAM单粒子翻转的影响
1
作者 罗云龙 李刚 张宇 《安徽大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期53-60,共8页
基于RPP(rectangular parallelepiped)模型,利用Geant4软件包,构建了一个40 nm SRAM器件模型用于单粒子翻转效应模拟,通过Weibull函数拟合得到σ_(sat)和LET_(th)分别为8.98×10^(-9)cm^(2)·bit^(-1)和0.084 MeV/(mg·cm^(... 基于RPP(rectangular parallelepiped)模型,利用Geant4软件包,构建了一个40 nm SRAM器件模型用于单粒子翻转效应模拟,通过Weibull函数拟合得到σ_(sat)和LET_(th)分别为8.98×10^(-9)cm^(2)·bit^(-1)和0.084 MeV/(mg·cm^(-2)).基于3D-IC技术设计了一种新的3D-SRAM器件,通过Geant4进行了建模和单粒子翻转模拟,结果表明,在同一3D-SRAM器件中上层单元对下层单元有防护作用.通过改变覆盖层中的高Z材料,发现高Z材料可以有效地减少Fe离子在射程末端的多重散射,且Ta的效果优于W.在同一3D-SRAM器件中,下层单元(die3)的多重散射截面峰值更低. 展开更多
关键词 GEANT4 单粒子翻转 多重散射 3D-sram
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纳米级SRAM多位翻转检纠错方法实现
2
作者 薛国凤 安军社 周昌义 《哈尔滨工业大学学报》 北大核心 2025年第9期39-45,共7页
为解决纳米级SRAM(100 nm以内工艺)在航天工程应用中出现的多位翻转问题,依据纳米级SRAM的翻转特性,在传统串行编译码的基础上优化改进,采用并行编译码的方式,实现了基于RS(12,8,4)码的纳米级SRAM的加固方法,在单时钟节拍内实现编译码... 为解决纳米级SRAM(100 nm以内工艺)在航天工程应用中出现的多位翻转问题,依据纳米级SRAM的翻转特性,在传统串行编译码的基础上优化改进,采用并行编译码的方式,实现了基于RS(12,8,4)码的纳米级SRAM的加固方法,在单时钟节拍内实现编译码输出。以FPGA为平台,验证该加固方法的延时和纠错能力。测试结果表明:与Xilinx自带的可检二纠一汉明码的块RAM相比,本文提出的方法访问延时相近,但纠错能力是汉明码的5~8倍;与FUEC-QUAEC、CLC等编译码方法相比,将连续5 bit翻转错误的纠正率提高到100%。采用并行编译码实现的基于RS(12,8,4)码加固方法可用于纳米级SRAM抗多位翻转加固,以较小的延时代价实现纠正一个码字(48 bit)内任意两个符号(最多8 bit)内的错误,可完全纠正空间单粒子环境中出现的单个字内连续5 bit翻转的错误。该加固方法可扩展应用到CPU外部存储器的访问控制以及CPU内部cache的加固,以解决现有航天处理器采用检二纠一码无法纠正其cache多位翻转错误的问题。 展开更多
关键词 单粒子效应 多位翻转 RS编码 纳米级sram
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混洗SRAM:SRAM中的并行按位数据混洗
3
作者 张敦博 曾灵灵 +2 位作者 王若曦 王耀华 沈立 《计算机研究与发展》 北大核心 2025年第1期75-89,共15页
向量处理单元(vector processing unit,VPU)已被广泛应用于神经网络、信号处理和高性能计算等处理器设计中,但其总体性能仍受限于专门用于对齐数据的混洗操作.传统上,处理器使用其数据混洗单元来处理混洗操作.然而,使用数据混洗单元来... 向量处理单元(vector processing unit,VPU)已被广泛应用于神经网络、信号处理和高性能计算等处理器设计中,但其总体性能仍受限于专门用于对齐数据的混洗操作.传统上,处理器使用其数据混洗单元来处理混洗操作.然而,使用数据混洗单元来处理混洗指令将带来昂贵的数据移动开销,并且数据混洗单元只能串行混洗数据.事实上,混洗操作只会改变数据的布局,理想情况下混洗操作应在内存中完成.随着存内计算技术的发展,SRAM不仅可以作为存储部件,同时还能作为计算单元.为了实现存内混洗,提出了混洗SRAM,它可以在SRAM体中逐位地并行混洗多个向量.混洗SRAM的关键思想是利用SRAM体中位线的数据移动能力来改变数据的布局.这样SRAM体中位于同一位线上不同数据的相同位可以同时被移动,从而使混洗操作拥有高度的并行性.通过适当的数据布局和向量混洗扩展指令的支持,混洗SRAM可以高效地处理常用的混洗操作.评测结果表明,对于常用的混洗操作,混洗SRAM可以实现平均28倍的性能增益,对于FFT,AlexNet,VggNet等实际的应用,可以实现平均3.18倍的性能增益.混洗SRAM相较于传统SRAM的面积开销仅增加了4.4%. 展开更多
关键词 向量单指令多数据体系结构 静态随机访问存储器 混洗操作 向量内存 存内计算
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小容量高性能SRAM的设计与实现
4
作者 秦海阳 李勇 +1 位作者 李振涛 张秋萍 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2014年第S1期110-116,共7页
微处理器的第一级高速缓存需要速度快的小容量SRAM存储器,以8管SRAM单元组成存储阵列,然后构建外围电路,设计一个容量为32×32的SRAM存储器.将定制设计的存储器与Memory Compiler生成的存储器和RTL级代码进行半定制设计的存储器进... 微处理器的第一级高速缓存需要速度快的小容量SRAM存储器,以8管SRAM单元组成存储阵列,然后构建外围电路,设计一个容量为32×32的SRAM存储器.将定制设计的存储器与Memory Compiler生成的存储器和RTL级代码进行半定制设计的存储器进行对比.通过对比发现,定制设计存储器的性能比其他二者在速度、功耗和面积上都要好. 展开更多
关键词 8管sram单元 sram电路设计 sram版图设计 sram性能分析 sram性能比较
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基于数据残留时间的SRAM-PUF预选算法 被引量：1
5
作者 陈泽亮 孔德珠 +2 位作者 尹爱国 陈泽福 张培勇 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1478-1487,共10页
静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function,PUF)利用参数设计完全相同的晶体管在制造过程中存在的工艺偏差,生成每块芯片无法克隆的密钥响应.由于SRAM-PUF内部错误分布的随... 静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function,PUF)利用参数设计完全相同的晶体管在制造过程中存在的工艺偏差,生成每块芯片无法克隆的密钥响应.由于SRAM-PUF内部错误分布的随机性,密钥重构需要使用纠错码,而纠错电路的面积与其纠错能力呈正相关,为了降低SRAM-PUF错误分布,减小纠错电路面积,本文通过对SRAM数据残留特性的研究,提出一种数据残留预选算法,对SRAM单元进行筛选,提高PUF响应稳定性,使用区块择优算法筛选SRAM区块,减小响应的分散度,以更短的时间和资源消耗生成SRAM-PUF响应,测试结果表明,在不同温度(-40℃~80℃)和±10%电压波动下,256位SRAM-PUF响应拥有99.8%的稳定性及1.9×10^(-8)的误码率,相对于通用的临时多数表决(Temporal Majority Voting,TMV)算法提升了1.7%的稳定性,降低2.1×10^(5)倍误码率,与1000次TMV相比,时间复杂度从O(2000n)线性降低到O(900n).经过72小时老化测试后,采用数据残留算法预选的SRAM-PUF稳定性仅下降0.2%. 展开更多
关键词 物理不可克隆函数 sram 预选算法 数据残留 临时多数表决
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SRAM型FPGA单粒子辐照试验系统技术研究 被引量：5
6
作者 孙雷 段哲民 +1 位作者 刘增荣 陈雷 《计算机工程与应用》 CSCD 2014年第1期49-52,共4页
单粒子辐射效应严重制约FPGA的空间应用,为提高FPGA在辐射环境中的可靠性,深入研究抗辐射加固FPGA单粒子效应评估方法,设计优化单粒子效应评估方案,开发相应的评估系统,提出基于SRAM时序修正的码流存储比较技术和基于SelectMAP端口配置... 单粒子辐射效应严重制约FPGA的空间应用,为提高FPGA在辐射环境中的可靠性,深入研究抗辐射加固FPGA单粒子效应评估方法,设计优化单粒子效应评估方案,开发相应的评估系统,提出基于SRAM时序修正的码流存储比较技术和基于SelectMAP端口配置回读技术。借助国内高能量大注量率的辐照试验环境,完成FPGA单粒子翻转(SEU)、单粒子闩锁(SEL)和单粒子功能中断(SEFI)等单粒子效应的检测,试验结果表明,该方法可以科学有效地对SRAM型FPGA抗单粒子辐射性能进行评估。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列(FPGA) 空间辐射 单粒子效应 回读 静态随机存储器(sram) Field PROGRAMMABLE Gate Array(FPGA) Static Random Access Memory(sram)
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基于SRAM和NVM的存内计算技术综述 被引量：2
7
作者 张章 施刚 +3 位作者 王启帆 马永波 刘钢 钱利波 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2024年第12期2937-2951,共15页
集存储与计算于一身的快速低功耗存内计算架构,突破了存储与计算分离的传统冯·诺依曼体系,解决了限制处理器算力的“内存墙”问题,成为新型计算架构的研究热点.存内计算的基础器件包括高速且工艺成熟的静态随机存取存储器(static R... 集存储与计算于一身的快速低功耗存内计算架构,突破了存储与计算分离的传统冯·诺依曼体系,解决了限制处理器算力的“内存墙”问题,成为新型计算架构的研究热点.存内计算的基础器件包括高速且工艺成熟的静态随机存取存储器(static RAM,SRAM)、低功耗高响应且非易失的忆阻器(memristor)、高密度低静态功耗非易失的磁性随机存取存储器(magnetic RAM,MRAM).研究者们基于上述器件完成大量存内计算研究,但是关于这些存内计算架构全面且系统总结的文献综述仍然缺失.首先从SRAM、忆阻器、MRAM方向出发概述了不同器件的存内计算原理、当前存内计算架构发展状况和实际应用场景等.然后针对当前存内计算架构存在的各种问题和挑战给出了现有解决方案和未来解决方向.最后对基于以上器件的存内计算研究重点进行了总结并概述了目前的研究短板、展望未来的发展方向. 展开更多
关键词 非冯·诺依曼 静态随机存取存储器 忆阻器 磁性随机存取存储器 存内计算
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基于RS和BCH码的SRAM-PUF密钥提取方法及性能分析 被引量：2
8
作者 周昱 于宗光 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期187-193,共7页
物理不可克隆函数(PUF)是芯片制造过程中随机偏差形成的唯一和不可复制的物理指纹,使用这个特征可以鉴别各个芯片,然而PUF芯片因环境变化会影响输出,导致在认证应用时可能失败。介绍了模糊提取器的密钥提取方法,通过在静态随机存取存储... 物理不可克隆函数(PUF)是芯片制造过程中随机偏差形成的唯一和不可复制的物理指纹,使用这个特征可以鉴别各个芯片,然而PUF芯片因环境变化会影响输出,导致在认证应用时可能失败。介绍了模糊提取器的密钥提取方法,通过在静态随机存取存储器(SRAM)-PUF芯片中加入里德-所罗门(RS)硬解码,在认证系统中加入BCH软解码模块,纠正PUF在一定范围内变化来确保通过认证,并对SRAM-PUF电路在三温下进行实验分析。实验结果表明,SRAM-PUF电路的PUF点分布有较好的均衡性,在常温时可靠性接近100%,在低温条件下可靠性范围为98.84%~100%,在高温条件下,可靠性范围为97.77%~99%,当RS码和BCH码设计的纠错能力大于PUF可靠性时能够通过认证。 展开更多
关键词 物理不可克隆函数 静态随机存取存储器 模糊提取器 里德-所罗门码 BCH码
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14MeV中子引发SRAM器件单粒子效应实验研究 被引量：10
9
作者 范辉 郭刚 +9 位作者 沈东军 刘建成 陈红涛 赵芳 陈泉 何安林 史淑廷 惠宁 蔡莉 王贵良 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期171-175,共5页
在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法,获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中... 在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法,获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致,验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致,对实验结果给出了定性的解释。 展开更多
关键词 高压倍加器 sram 单粒子效应 截面
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基于FPGA和SRAM的智能点胶机控制系统设计 被引量：12
10
作者 李晓坤 刘百玉 +3 位作者 欧阳娴 白永林 党君礼 雷娟 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1378-1383,共6页
介绍了一种基于FPGA和SRAM的新型点胶机智能控制系统,可以采用手动、自动和连动三种模式对开启时间进行控制,其步进时间为0.01s,调节范围为0.01s～999.99s。此系统利用FPGA高密度、高可靠性、可反复擦写和可以现场编程、灵活调制的特点... 介绍了一种基于FPGA和SRAM的新型点胶机智能控制系统,可以采用手动、自动和连动三种模式对开启时间进行控制,其步进时间为0.01s,调节范围为0.01s～999.99s。此系统利用FPGA高密度、高可靠性、可反复擦写和可以现场编程、灵活调制的特点,将整个系统的大部分功能集成在FPGA里,将系统运行过程中产生的数据存放在SRAM中,利用一个4×5的矩阵键盘为输入,五位的数码管和四个LED为输出,可以很方便地对点胶机的工作状态进行控制,并在不改变硬件结构的情况下,对系统进行升级。此系统还可用作其他设备和仪器的控制开关。 展开更多
关键词 自动模式 连动模式 现场可编程逻辑阵列(FPGA) 静态随机存储器(sram)
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纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究 被引量：8
11
作者 罗尹虹 张凤祁 +3 位作者 郭红霞 周辉 王燕萍 张科营 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2705-2710,共6页
针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可行性进行了分析。... 针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可行性进行了分析。研究表明:特征尺寸减小导致翻转截面降低,测试图形和工作电压对器件单粒子翻转截面影响不大;随着入射角度增加,多位翻转的增加导致器件SEU截面有所增大;余弦倾角的试验方法对于纳米器件的适用性与离子种类和线性能量转移(LET)值相关,具有很大的局限性。 展开更多
关键词 纳米sram 单粒子效应 多位翻转 测试图形 倾角
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浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析 被引量：13
12
作者 贺朝会 耿斌 +3 位作者 杨海亮 陈晓华 李国政 王燕萍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1260-1262,共3页
比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这... 比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的 .在空间辐射环境中 ,不需经常擦写数据的情况下 ,应该选用浮栅ROM器件 . 展开更多
关键词 FLASH ROM EEPROM sram 单粒子效应 总剂量效应
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SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析 被引量：7
13
作者 李豫东 任建岳 +1 位作者 金龙旭 张立国 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期787-793,共7页
为了研究大规模集成电路存储器的总剂量辐射效应，分别对SRAM和ROM两种存储器进行了^40Coγ总剂量辐射实验。结果表明，这两种器件是对总剂量辐射效应敏感的器件，失效阈值在10～15krad（Si）之间。实验还表明，研究SRAM、ROM的总剂量... 为了研究大规模集成电路存储器的总剂量辐射效应，分别对SRAM和ROM两种存储器进行了^40Coγ总剂量辐射实验。结果表明，这两种器件是对总剂量辐射效应敏感的器件，失效阈值在10～15krad（Si）之间。实验还表明，研究SRAM、ROM的总剂量辐射效应，只对数据存取功能进行测试是不完善的，器件的静态功耗电流与动态功耗电流也是总剂量辐射效应的敏感参数，应该作为总剂量辐射效应失效阈值的有效判据。根据器件结构与实验结果。分析了SRAM和ROM器件的损伤机理，认为CMOS SRAM的损伤主要源于辐射产生的界面效应；而浮栅结构ROM的损伤则源于辐射产生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷。 展开更多
关键词 sram ROM 静态功耗电流 动态功耗电流 总剂量辐射效应
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SRAM型FPGA抗单粒子翻转技术研究 被引量：24
14
作者 郑晓云 陶淑苹 +1 位作者 冯汝鹏 王绍举 《电子测量技术》 2015年第1期59-63,共5页
随着CMOS电路的高速发展以及SRAM型FPGA在航天领域的不断应用,空间辐照的影响,特别是单粒子效应对FPGA的影响尤为显著。为了提高FPGA在空间环境的可靠性,介绍了几种抗单粒子翻转方法,并对其进行了比较分析,实现了SRAM型FPGA抗单粒子翻... 随着CMOS电路的高速发展以及SRAM型FPGA在航天领域的不断应用,空间辐照的影响,特别是单粒子效应对FPGA的影响尤为显著。为了提高FPGA在空间环境的可靠性,介绍了几种抗单粒子翻转方法,并对其进行了比较分析,实现了SRAM型FPGA抗单粒子翻转的系统设计,采用定时刷新的方法抑制翻转位累加,同时通过故障注入的方式对系统进行了实验测试,结果表明系统设计方法有效可行,既不中断FPGA正常工作,又可以及时纠正翻转位,为SRAM型FPGA在航天领域中应用提供可靠性保障。 展开更多
关键词 sram型 FPGAA 单粒子翻转 刷新 空间辐照
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极低电源电压和极低功耗的亚阈值SRAM存储单元设计 被引量：5
15
作者 柏娜 冯越 +1 位作者 尤肖虎 时龙兴 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期268-273,共6页
提出一款可以工作在极低电源电压条件下,功耗极低的亚阈值SRAM存储单元.为使本设计在极低电源电压(200 mV)条件下依然能够保持足够的鲁棒性,采用差分读出方式和可配置的操作模式.为极大限度地降低电路功耗,采用自适应泄漏电流切断机制,... 提出一款可以工作在极低电源电压条件下,功耗极低的亚阈值SRAM存储单元.为使本设计在极低电源电压(200 mV)条件下依然能够保持足够的鲁棒性,采用差分读出方式和可配置的操作模式.为极大限度地降低电路功耗,采用自适应泄漏电流切断机制,该机制在不提高动态功耗与不增加性能损失的前提下,可同时降低动态操作(读/写操作)和静态操作时的泄漏电流.基于IBM 130 nm工艺,实现了一款256×32 bit大小的存储阵列.测试结果表明,该存储阵列可以在200 mV电源电压条件下正常工作,功耗(包括动态功耗和静态功耗)仅0.13μW,为常规六管存储单元功耗的1.16%. 展开更多
关键词 极低功耗 亚阈值 sram存储单元 泄漏电流
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手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计 被引量：11
16
作者 岳帮辉 魏廷存 樊晓桠 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期566-570,共5页
内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单... 内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法。在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右。采用0.25μmCMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418kbits。NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,当访存时钟频率为3.8MHz时,静态功耗为0.9mW,动态功耗小于3mW。 展开更多
关键词 TFT—LCD驱动芯片 单端口sram 存储单元 预充电路
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嵌入式SRAM测试算法及其诊断实现 被引量：6
17
作者 陈则王 苏建华 王友仁 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期865-870,共6页
为有效定位和识别嵌入式静态随机访问存储器(SRAM)中的各种故障,改进SRAM的设计和生产流程,提出一种有效的March19N(N表示存储器的深度)测试算法.把故障注入64×8位的SRAM;再将测试算法的读/写操作转化为控制器的控制状态,并设计带... 为有效定位和识别嵌入式静态随机访问存储器(SRAM)中的各种故障,改进SRAM的设计和生产流程,提出一种有效的March19N(N表示存储器的深度)测试算法.把故障注入64×8位的SRAM;再将测试算法的读/写操作转化为控制器的控制状态,并设计带诊断支持功能的内建自测试(BIST)模块;最后用该BIST模块测试注入的故障,并对测试数据进行比较与合成,从而实现故障的测试和定位.通过对仿真实验结果的分析,得出了包括固定型故障、开路故障、跳变故障、跳变耦合故障、幂等耦合故障、状态耦合故障和地址译码故障在内的故障字典表;并由此得出各类故障所具有的不同的故障识别标志,表明文中算法具有较高的故障分辨率. 展开更多
关键词 sram BIST 故障字典表 故障识别标志 故障分辨率
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单片集成TFT-LCD驱动芯片内置SRAM验证技术研究 被引量：6
18
作者 梁茂 魏廷存 +1 位作者 魏晓敏 李博 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期91-95,共5页
介绍了TFT-LCD驱动芯片内置SRAM验证方法:(1)采用模拟验证和形式验证相结合的前端设计验证方法,完成各模块的功能验证及整个SRAM的功能和时序验证。模拟验证技术,利用模拟工具对被测试模块施加测试激励信号,检查输出信号是否符合预期要... 介绍了TFT-LCD驱动芯片内置SRAM验证方法:(1)采用模拟验证和形式验证相结合的前端设计验证方法,完成各模块的功能验证及整个SRAM的功能和时序验证。模拟验证技术,利用模拟工具对被测试模块施加测试激励信号,检查输出信号是否符合预期要求;模拟方法可以同时检查被测试模块的功能及时序方面的响应情况,能够全面体现电路的行为。形式验证技术,在集成电路设计中,是通过算法的手段进行等价性检查,比较两种设计之间的功能等价性。(2)采用结构化抽取寄生参数和建立关键路径的方法,完成SRAM性能的评估,即后端设计验证。并且用具体实例详细描述了以上方法在电路仿真验证中的应用,并给出了部分电路结构及仿真结果,进一步论述了该方法的可行性及实用性。 展开更多
关键词 TFT-LCD 内置sram 验证
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SRAM型FPGA单粒子效应敏感性分析研究 被引量：5
19
作者 杜守刚 范隆 +5 位作者 岳素格 郑宏超 于春青 董攀 杨晓飞 贾海涛 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期272-278,共7页
首先描述了典型的SRAM型FPGA内部通常包含的三类基本资源,并分析三类基本资源内部不同功能的电路单元对单粒子效应的敏感性,归纳出Virtex系列SRAM型FPGA中6种类型的单粒子效应敏感结构单元,并得出这些敏感结构单元的单粒子翻转、单粒子... 首先描述了典型的SRAM型FPGA内部通常包含的三类基本资源,并分析三类基本资源内部不同功能的电路单元对单粒子效应的敏感性,归纳出Virtex系列SRAM型FPGA中6种类型的单粒子效应敏感结构单元,并得出这些敏感结构单元的单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子闩锁的检测方式,最后对SRAM型FPGA单粒子效应评估研究的发展趋势做了简要总结。 展开更多
关键词 sram型FPGA 单粒子效应敏感性 单粒子翻转 单粒子功能中断 单粒子闩锁
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脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究 被引量：3
20
作者 上官士鹏 封国强 +2 位作者 余永涛 姜昱光 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2137-2141,共5页
针对0.13μm和0.35μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测... 针对0.13μm和0.35μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测试两者的影响。试验结果表明:只有聚焦到芯片有源区才可测得最低的翻转阈值和最大的翻转截面,此时的结果与重离子结果基本一致;注量对翻转阈值测试无影响,但注量增大时翻转截面会减小,测试时激光脉冲注量应小于1×107 cm-2;测试模式和存储数据对翻转阈值和翻转截面的影响不大,测试时可不考虑。 展开更多
关键词 sram 脉冲激光 单粒子翻转效应 激光聚焦深度 激光脉冲注量
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