适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析 被引量：1

1

作者 张国艳 廖怀林 +3 位作者 黄如 Mansun CHAN 张兴 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期232-235,共4页

本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模... 本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 . 展开更多

关键词 场效应晶体管 数模混合集成 失真分析 soi mosfet

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一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型

2

作者 张国艳 廖怀林 +3 位作者 黄如 Mansun chan 张兴 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1601-1604,共4页

提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ... 提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 . 展开更多

关键词 soi mosfet's 高频噪声 模型 短沟soi器件 热噪声

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全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型

3

作者 万新恒 张兴 +3 位作者 谭静荣 高文钰 黄如 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1519-1521,共3页

报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 ... 报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 .结果表明 ,对于全耗尽SOI加固工艺 ,辐照导致的埋氧层 (BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素 ,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOIMOSFET的抗辐照性能 . 展开更多

关键词 soi mosfet 阈值电压漂移模型 场效应晶体管

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SOI MOSFET自加热效应测试方法 被引量：1

4

作者 王娟娟 曾传滨 +4 位作者 李江江 倪涛 李晓静 李多力 罗家俊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期164-168,共5页

为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲I-V测试方法。将被测器件栅漏短接、源体短接后串联接入超快脉冲测试系... 为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲I-V测试方法。将被测器件栅漏短接、源体短接后串联接入超快脉冲测试系统,根据示波器在源端采集的电压脉冲的幅值计算漏电流受自加热影响的动态变化过程。选取体硅NMOSFET和SOI NMOSFET进行验证测试,并对被测器件的温度分布进行仿真,证实该方法用于自加热效应的测试是准确有效的,能为建立准确的器件模型提供数据支撑。采用该方法对2μm SOI工艺不同宽长比的NMOSFET进行测试,结果表明栅宽相同的器件,栅长越短,自加热现象越明显。 展开更多

关键词 超快脉冲测试方法 自加热效应 绝缘体上硅(soi) mosfet 温度分布

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全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势的二维半解析模型 被引量：1

5

作者 常红 孙桂金 +1 位作者 杨菲 柯导明 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期75-81,共7页

根据SOI MOSFET的工作原理,在SOI MOSFET的氧化层、耗尽层和埋氧化层分别引入矩形等效源,提出了电势二维分布的定解问题.再通过半解析法、傅里叶级数展开法和积分法相结合对每个区域的定解问题进行求解,得到了定解问题的二维半解析解,... 根据SOI MOSFET的工作原理,在SOI MOSFET的氧化层、耗尽层和埋氧化层分别引入矩形等效源,提出了电势二维分布的定解问题.再通过半解析法、傅里叶级数展开法和积分法相结合对每个区域的定解问题进行求解,得到了定解问题的二维半解析解,解得结果是无穷级数形式的特殊函数.计算和仿真结果表明,提出的模型求解时精度高,运算量较小,可用于的电路模拟程序. 展开更多

关键词 soi MOSFE 短沟道效应 电势 半解析模型

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部分耗尽SOI MOSFETs中翘曲效应的温度模型

6

作者 唐俊雄 唐明华 +3 位作者 杨锋 张俊杰 周益春 郑学军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期872-877,共6页

提出了一种部分耗尽SOI MOSFETs器件翘曲效应的一个温度模型。详细地分析了漏电流在不同温度下的导通机制。总的电流由两部分组成：一部分是上MOS的电流，另一部分是由下部的寄生三极管电流。漏电流的突然增加来源于浮体区电势的增加。... 提出了一种部分耗尽SOI MOSFETs器件翘曲效应的一个温度模型。详细地分析了漏电流在不同温度下的导通机制。总的电流由两部分组成：一部分是上MOS的电流，另一部分是由下部的寄生三极管电流。漏电流的突然增加来源于浮体区电势的增加。在本模型还分析了浮体电势、阈值电压与温度的变化关系。 展开更多

关键词 部分耗尽soi mosfetS 浮体电势 阈值电压

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SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟 被引量：2

7

作者 王煜 张鹏飞 +2 位作者 侯东彦 钱佩信 罗台秦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期30-34,共5页

本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速... 本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。 展开更多

关键词 计算机模拟 soi/MOS器件 I-V特性 场效应晶体管

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全耗尽SOI　MOSFET的阈电压的解析模型 被引量：2

8

作者 付军 田立林 +1 位作者 钱佩信 罗台秦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期48-52,共5页

本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理... 本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理意义明确等优点。本模型的建立对于全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ电路模拟、器件物理特性研究及相关的工艺设计是很有意义的。 展开更多

关键词 全耗尽 soi mosfet 阈电压 场效应器件

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热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征 被引量：2

9

作者 何进 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期252-254,共3页

本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度 ,从而表征器件的抗热载流子特性 .实验结果表明 :通过体接触方式测得的MOSFE... 本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度 ,从而表征器件的抗热载流子特性 .实验结果表明 :通过体接触方式测得的MOSFET/SOI栅控二极管R G电流峰可以直接给出诱生的界面陷阱密度 .抽取出来的热载流子诱生界面陷阱密度与累积应力时间呈幂指数关系 ,指数因子约为 0 展开更多

关键词 热载流子 应力效应 界面陷阱 正向栅控二级管 mosfet/soi

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深亚微米SOIMOSFET阈值电压特性研究

10

作者 龚仁喜 蒋超 邓艳 《广西大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2004年第z1期63-65,68,共4页

在建立 SOI MOSFET阈值电压模型的基础上 ,对其阈值电压特性进行了研究 ,分析了阈值电压与硅膜掺杂浓度、前栅、背栅氧化层厚度。

关键词 soi mosfet 阈值电压 模型

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深亚微米薄膜SOI　MOSFET的二维数值模拟

11

作者 张兴 石涌泉 黄敞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期93-95,共3页

本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此... 本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ不同于厚膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的工作机理及特性，发现薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比，两者吻合得较好。 展开更多

关键词 数值模拟 深亚微米薄膜 soi器件 集成电路

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适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD／LDS　SOI　MOSFET器件模型

12

作者 奚雪梅 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期53-57,62,共6页

本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电流电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的... 本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电流电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。模型计算结果与实验曲线吻合较好。同时，本电流模型将本征ＭＯＳＦＥＴ模型与ＬＤＤ／ＬＤＳ区分开，形式简洁，参数提取方便，便于移植入电路模拟程序中。 展开更多

关键词 LDD/LDS soi-mosfet 器件模型 半导体集成电路

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高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)

13

作者 李哲 吕垠轩 +1 位作者 何燕冬 张钢刚 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期637-641,共5页

对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋... 对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。 展开更多

关键词 正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质 绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soi mosfet) 退化 应力诱导漏电流(SILC)

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超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制 被引量：2

14

作者 奚雪梅 张兴 +2 位作者 倪卫华 阎桂珍 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期44-46,共3页

利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出... 利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能 ,5V电源电压下单门延迟时间达到 92ps,同时可工作的电源电压范围较宽 ,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景 . 展开更多

关键词 CMOS/soi 环振电路 集成电路

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基于MOSFET漏电流温度特性的室温红外探测器 被引量：2

15

作者 董良 岳瑞峰 刘理天 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第6期534-539,共6页

基于MOSFET的漏电流温度特性,提出了一种可与CMOS工艺兼容的新型室温红外探测器。它采用在SOI衬底上实现的MOSFET作为探测红外灵敏元,在MOSFET的钝化层上制作可提高红外吸收率的光学谐振腔,并利用硅微机械加工技术将SOI的隐埋氧化层悬空... 基于MOSFET的漏电流温度特性,提出了一种可与CMOS工艺兼容的新型室温红外探测器。它采用在SOI衬底上实现的MOSFET作为探测红外灵敏元,在MOSFET的钝化层上制作可提高红外吸收率的光学谐振腔,并利用硅微机械加工技术将SOI的隐埋氧化层悬空,形成热绝缘微桥结构。MOSFET在担当探测红外辐射灵敏元的同时,又作为放大处理电路的一部分,简化了电路。分析表明,探测器的探测率可高达109～1010cmHz1/2W-1。 展开更多

关键词 mosfet 漏电流温度特性 室温红外探测器 soi

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SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟

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作者 李树荣 刘真 +4 位作者 张生才 王静 郭维廉 郑云光 陈培毅 《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期682-685,共4页

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGeSOIBMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能 对不同导电类型的SiGeSOIBMHMT、SiGeSOIMOSFET、SOIBMHMT和SOIMOSFET器件进行了工... 提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGeSOIBMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能 对不同导电类型的SiGeSOIBMHMT、SiGeSOIMOSFET、SOIBMHMT和SOIMOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGeSOIBMHMT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低,存在衬底栅极和横向双极晶体管。 展开更多

关键词 SiGe沟道 soi结构 混合模式晶体管 设计 soi mosfet 动态阈值电压 横中双极晶体管

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中子辐照半绝缘硅衬底上的SOI技术

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作者 李琼 徐静芳 林成鲁 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1991年第1期35-40,共6页

本文描述了一种新奇的SOI技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了SOI结构.在这个结构上我们制作了n沟MOSFET.本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得... 本文描述了一种新奇的SOI技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了SOI结构.在这个结构上我们制作了n沟MOSFET.本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得的MOS器件的性能. 展开更多

关键词 soi技术 MOS器件 激光退火 soi结构

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