微束斑RHEED类平行束电子枪设计

1

作者 赵伟霞 史丽娜 +2 位作者 刘俊标 殷伯华 韩立 《光学精密工程》 北大核心 2025年第12期1876-1888,共13页

针对高分辨率反射式高能电子衍射仪(RHEED)在微电子制造与表面分析领域的应用需求,而且长工作距离、微束斑、小束半角的电子枪是实现RHEED高分辨检测的关键核心部件,研制了微束斑的RHEED类平行束电子枪,分析了电子枪的电子光学系统特性... 针对高分辨率反射式高能电子衍射仪(RHEED)在微电子制造与表面分析领域的应用需求,而且长工作距离、微束斑、小束半角的电子枪是实现RHEED高分辨检测的关键核心部件,研制了微束斑的RHEED类平行束电子枪,分析了电子枪的电子光学系统特性,采用电子光学仿真软件仿真设计了低像差聚焦透镜;搭建了实验平台对研制的电子枪进行了束斑直径、束流和束半角性能测试与高定向热解石墨(HOPG)样品的衍射成像测试。实验结果表明:在工作距离500 mm下,RHEED类平行束电子枪的束斑直径为47.1μm(加速电压30 kV),发射束流与束半角分别为144.96μA,0.289 mrad(加速电压15 kV),在HOPG样品上获得了清晰的强度与晶体结构因子相对应的衍射斑点。 展开更多

关键词 电子光学 反射式高能电子衍射 电子枪 类平行电子束

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LaAlO_3/BaTiO_3/SrTiO_3三色超晶格的RHEED原位监测 被引量：5

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作者 秦文峰 熊杰 +4 位作者 朱俊 唐金龙 张鹰 罗文博 李言荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期508-511,共4页

采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的STO单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/BaTiO3/SrTiO3超晶格。在超晶格薄膜生长过程中采用反射高能电子衍射(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3/SrTiO3超晶格的生长过程进行了分析。通过对超晶格中各层RHEE... 采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的STO单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/BaTiO3/SrTiO3超晶格。在超晶格薄膜生长过程中采用反射高能电子衍射(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3/SrTiO3超晶格的生长过程进行了分析。通过对超晶格中各层RHEED图像分析,发现由于各层面内晶格失配的不同,超晶格各层生长特性有所区别。借助原子力显微镜(AFM)对超晶格表面形貌进行了表征,表明制备的超晶格具有原子级平整的表面。 展开更多

关键词 薄膜 LAO/BTO/STO三色超晶格 反射高能电子衍射

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机器学习在分子束外延生长的应用进展

3

作者 杨再洪 周灿 +3 位作者 范柳燕 张燕辉 陈泽中 陈平平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期924-934,共11页

最近几年,人工智能在材料领域得到广泛应用,机器学习在分子束外延(MBE)技术中的应用引人关注。基于原位反射高能电子衍射(RHEED)及相关物性的智能识别和反馈的MBE技术,能够显著提升生长材料的质量和生长效率,有望实现薄膜的MBE智能外延... 最近几年,人工智能在材料领域得到广泛应用,机器学习在分子束外延(MBE)技术中的应用引人关注。基于原位反射高能电子衍射(RHEED)及相关物性的智能识别和反馈的MBE技术,能够显著提升生长材料的质量和生长效率,有望实现薄膜的MBE智能外延。本综述聚焦机器学习MBE中的应用研究,首先介绍了MBE中常用的机器学习算法模型,阐述了机器学习在优化MBE生长条件中的应用,着重总结了不同材料体系(半导体薄膜和量子结构材料、氧化物材料和二维材料等)基于RHEED图像机器学习的研究进展,并就存在的问题和未来的发展策略进行了总结展望。 展开更多

关键词 分子束外延 机器学习 反射高能电子衍射 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 人工智能

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高压强下外延生长的差分RHEED原位监测 被引量：1

4

作者 雷震霖 杨乃恒 +4 位作者 于卓 成步文 李代宗 余金中 王启明 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第6期470-474,共5页

给出了能在较高压强（10（-1）Pa）下进行原位监控生长的差分RHEED系统的设计思想、结构性能等，同时给出了在LMBE技术中实际应用的结果，包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化。阐述了产生这一现象的原因，提出了需要进一步研究... 给出了能在较高压强（10（-1）Pa）下进行原位监控生长的差分RHEED系统的设计思想、结构性能等，同时给出了在LMBE技术中实际应用的结果，包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化。阐述了产生这一现象的原因，提出了需要进一步研究和改进的问题。 展开更多

关键词 反射式 高能电子衍射 外延生长 激光 薄膜

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RHEED在计算Al_2O_3晶面间距中的应用 被引量：2

5

作者 王兆阳 胡礼中 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期73-75,共3页

反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关... 反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关系,并尝试利用RHEED来分析和计算Al2O3(0001)面上两个重要方向上的晶面间距,得到了理想的结果。由于RHEED是一种原位监测仪器,所以可对薄膜的生长进行实时原位监测。在测晶面间距等常数时,与对样品要求极高的透射电子显微镜相比,RHEED更方便。 展开更多

关键词 反射式高能电子衍射仪 晶面间距 氧化铝

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GaAs同质外延生长过程的RHEED分析

6

作者 熊政伟 王学敏 +3 位作者 张伟斌 姜帆 吴卫东 孙卫国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期831-835,共5页

采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄膜外延生长的适宜激光能量和沉积温度分别为500 mJ和570℃。RHEED强... 采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄膜外延生长的适宜激光能量和沉积温度分别为500 mJ和570℃。RHEED强度随时间的变化曲线表明,GaAs为良好的层状外延生长模式,并随着沉积时间延长,层状生长模式逐渐向岛状模式转变。实验研究还表明层状生长的GaAs薄膜经表面弛豫后,可以得到更好的平整表面,并出现GaAs(001)-(2×4)的表面重构。原位X射线光电子能谱仪(XPS)研究表明沿(001)面外延的GaAs薄膜表面Ga∶As化学计量比约为52∶48,出现Ga的聚集。 展开更多

关键词 激光分子束外延 反射式高能电子衍射 生长模式 表面驰豫 表面重构

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GaAs(001)_β2(2×4)表面RHEED图谱的虚拟设计

7

作者 崔英善 张正平 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2009年第6期82-84,88,共4页

为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用... 为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用图形化编程语言,采用数据流编程方式,设计实现了理论情况下的GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构RHEED图谱。该阶段性成果使得虚拟RHEED实验系统的研究开发有了突破性进展。 展开更多

关键词 虚拟仪器 虚拟仪器开发平台(LabVIEW) 砷化镓(GaAs) 反射式高能电子衍射仪(rheed)图谱

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表面分析的新方法—（RHEED－TRAXS）和（SEM－TRAXS）

8

作者 姚子华 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1994年第2期90-95,共6页

本文综述在反射高能电子衍射仪中测量全反射角ｘ射线谱（简称ＲＨＥＥＤ－ＴＲＡＸＳ）的表面化学分析方法。对这种分析方法的基本原理、主要优点及应用作了概略介绍。本文还介绍了在扫描电镜中进行全反射角ｘ射线谱（简称ＳＥＭ－ＴＲ... 本文综述在反射高能电子衍射仪中测量全反射角ｘ射线谱（简称ＲＨＥＥＤ－ＴＲＡＸＳ）的表面化学分析方法。对这种分析方法的基本原理、主要优点及应用作了概略介绍。本文还介绍了在扫描电镜中进行全反射角ｘ射线谱（简称ＳＥＭ－ＴＲＡＸＳ）测量的方法及结果，并在文章的末尾指出了在扫描中实现（ＳＥＭ－ＲＨＥＥＤ－ＴＫＡＸＳ）的可能性。 展开更多

关键词 rheed SEM TRAXS 表面分析

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不同衬底温度下预沉积Ge对SiC薄膜生长的影响 被引量：5

9

作者 刘忠良 唐军 +3 位作者 任鹏 刘科 徐彭寿 潘国强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期423-426,共4页

分别在未沉积Ge和不同衬底温度(300、500、700℃)沉积Ge条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)等仪器对样品进行... 分别在未沉积Ge和不同衬底温度(300、500、700℃)沉积Ge条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)等仪器对样品进行测试。测试结果表明,预沉积Ge的样品质量明显好于未沉积Ge的样品,而且随着预沉积温度的升高,薄膜的质量在逐渐地变好。 展开更多

关键词 锗 碳化硅 反射高能电子衍射 固源分子束外延 预沉积温度

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一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究 被引量：16

10

作者 王科范 刘金锋 +4 位作者 邹崇文 徐彭寿 潘海滨 张西庚 王文君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期75-78,共4页

我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器 ,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长。由于采用悬臂式设计 ,它完全克服了高压短路的问题。电子束蒸发器的性能试验表明 ,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流。应用这种电子束蒸发器可以... 我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器 ,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长。由于采用悬臂式设计 ,它完全克服了高压短路的问题。电子束蒸发器的性能试验表明 ,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流。应用这种电子束蒸发器可以在 70 0℃ ,成功沉积出平整的单晶Si薄膜。进一步的试验表明 ,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点。 展开更多

关键词 电子束蒸发 量子点 缓冲层 SI(111) 输出功率 薄膜 束流 自组装 单晶 表面

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PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究 被引量：4

11

作者 赵杰 胡礼中 +4 位作者 王兆阳 李银丽 王志俊 张贺秋 赵宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1879-1882,共4页

用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,... 用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜。XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善。在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 反射式高能电子衍射 X射线衍射 光致发光

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应力对LaAlO_3/BaTiO_3超晶格结构及性能的影响 被引量：3

12

作者 李燕 郝兰众 +2 位作者 邓宏 张鹰 姬红 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期399-402,共4页

采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格。利用高能电子衍射技术和X射线衍射技术对LaAlO3/BaTiO3超晶格的生长过程和微结构进行了表征。发现由于LaAlO3和BaTiO3... 采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格。利用高能电子衍射技术和X射线衍射技术对LaAlO3/BaTiO3超晶格的生长过程和微结构进行了表征。发现由于LaAlO3和BaTiO3晶格常数的不匹配,在LaAlO3/BaTiO3超晶格中存在应变,该应变又对超晶格的铁电性能具有很大的影响。而不同的结构存在的应变不同,非对称结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格的应变随每个周期中LaAlO3层厚度的增加、BaTiO3层厚度的减少而增大,其剩余极化强度不仅未减少,反而增加。 展开更多

关键词 超晶格 反射式高能电子衍射 X射线衍射 剩余极化

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Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长 被引量：9

13

作者 刘金锋 刘忠良 +2 位作者 王科范 徐彭寿 汤洪高 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期5-9,共5页

国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜... 国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜与衬底的外延取向关系,并考察了薄膜制备过程中衬底的碳化对薄膜质量的影响。结果表明,外延膜与衬底晶格取向完全一致;碳化可以减小SiC和衬底Si之间的晶格失配、释放应力、引入成核中心,有利于薄膜单晶质量的提高;碳化温度存在最佳值,这一现象与成核过程有关。 展开更多

关键词 碳化硅 碳化 固源分子束外延 反射高能电子衍射

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SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究 被引量：3

14

作者 王科范 盛斌 +3 位作者 刘金锋 徐彭寿 潘海滨 韦世强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期358-361,366,共5页

Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化... Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点。在650℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成。 展开更多

关键词 GE量子点 SIO2薄膜 SI(111) 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(rheed)

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衬底温度对PLD法制备ZnO薄膜结构及发光特性的影响 被引量：4

15

作者 赵杰 胡礼中 +1 位作者 宫爱玲 刘维峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期724-726,729,共4页

在60Pa的高氧压气氛中，用脉冲激光沉积法以Si（111）为衬底在不同温度下制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD结果表明，所有样品都是c轴高度择优取向的多晶ZnO薄膜。随衬底温度的升高，ZnO薄膜（002）衍射峰的半高宽不断减小，从0．227～0．185&... 在60Pa的高氧压气氛中，用脉冲激光沉积法以Si（111）为衬底在不同温度下制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD结果表明，所有样品都是c轴高度择优取向的多晶ZnO薄膜。随衬底温度的升高，ZnO薄膜（002）衍射峰的半高宽不断减小，从0．227～0．185°。对（002）衍射峰的2θ值分析表明，650℃下生长的ZnO薄膜几乎处于元应力的状态，而在较低或较高温度下生长的薄膜中都存在着一定程度的c轴压应力。室温PL谱测试说明在650℃生长的ZnO薄膜具有最强的紫外发射峰和最窄的UV峰半高宽（83meV）。在700℃得到的样品PL谱中，检测到一个位于3．25eV处的低能发射峰。经分析，该峰可能是来自于施主-受主对（DAP）的跃迁。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 反射式高能电子衍射 X射线衍射 光致发光

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InAs薄膜的分子束外延生长与表面形貌及表面重构分析 被引量：2

16

作者 王继红 罗子江 +3 位作者 周勋 张毕禅 郭祥 丁召 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期90-92,共3页

利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜。利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及... 利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜。利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及表面重构进行扫描分析,证实样品表面为原子级平整,并指出样品表面处于β2(2×4)与α2(2×4)两种重构混合的重构相。 展开更多

关键词 InAs薄膜 分子束外延 反射高能电子衍射 扫描隧道显微镜 表面重构

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Fe3O4/MgO(100)薄膜外场诱导电阻变化特性 被引量：1

17

作者 曹林洪 吴卫东 +1 位作者 唐永建 王雪敏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1841-1845,共5页

采用激光分子束外延(L-MBE)方法,以MgO(100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻变化特性。X射线衍射(XRD)分析表明Fe3O4薄膜是沿MgO(200)晶面外延生长的单晶薄膜;反射高能电子衍射(RHE... 采用激光分子束外延(L-MBE)方法,以MgO(100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻变化特性。X射线衍射(XRD)分析表明Fe3O4薄膜是沿MgO(200)晶面外延生长的单晶薄膜;反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡曲线分析表明Fe3O4薄膜表面平整,而且生长模式为2维层状生长;原子力显微镜(AFM)分析表明Fe3O4薄膜表面粗糙度为0.201 nm,说明薄膜表面达到原子级平整度。外场作用下Fe3O4薄膜的电阻测试表明:薄膜样品的电阻在120 K(Verwey转变温度)出现一峰值,略微下降后继续增大,展现出半导体型的导电特性;在激光作用下,整个测量温度范围内薄膜样品的电阻减小,样品展示出瞬间光电导的特性;从降温曲线可以看出,Verwey转变温度由无激光作用时的120 K上升到有激光作用时的140 K;光致电阻变化率随着温度的降低而增大,这主要是由于激光作用导致电荷有序态的退局域化。 展开更多

关键词 Fe3O4薄膜 反射高能电子衍射 磁电阻 激光诱导电阻

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PLD工艺制备高质量ZnO／Si异质外延薄膜 被引量：2

18

作者 赵杰 胡礼中 王维维 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期956-958,共3页

采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了ZnO薄膜。通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射。XRD测试说明在氧气... 采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了ZnO薄膜。通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射。XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向。利用一低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜。与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV)。对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600～650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 光致发光 X射线衍射 反射式高能电子衍射

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MgO/SrTiO_3(001)生长初期的各向异性晶格畸变

19

作者 魏贤华 崔传伟 +1 位作者 张鹰 朱俊 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期484-487,共4页

通过原位的反射高能电子衍射,监测并测量了MgO/SrTiO3(001)岛状生长初期过程中的面内、面外晶格常数的演变。薄膜的面内晶格在一开始生长时就发生弛豫,且大多数应变在2 nm厚度左右被释放并几乎保持稳定,而面外的晶格应变弛豫一直持续进... 通过原位的反射高能电子衍射,监测并测量了MgO/SrTiO3(001)岛状生长初期过程中的面内、面外晶格常数的演变。薄膜的面内晶格在一开始生长时就发生弛豫,且大多数应变在2 nm厚度左右被释放并几乎保持稳定,而面外的晶格应变弛豫一直持续进行。这种应变的各项异性被认为与薄膜的织构导致的应变能变化有关。 展开更多

关键词 反射高能电子衍射 晶格 各向异性 应变 织构

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脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备a轴取向YSZ薄膜 被引量：1

20

作者 经晶 朱俊 +2 位作者 罗文博 张鹰 李言荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期144-148,共5页

采用脉冲激光沉积方法,通过金红石相TiO2(200)纳米诱导层在蓝宝石衬底上生长了(200)取向的萤石相钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜。通过反射式高能电子衍射对薄膜生长过程进行原位监测;用XRD分析进行后位的薄膜结构表征;使用原子力显微镜来观测... 采用脉冲激光沉积方法,通过金红石相TiO2(200)纳米诱导层在蓝宝石衬底上生长了(200)取向的萤石相钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜。通过反射式高能电子衍射对薄膜生长过程进行原位监测;用XRD分析进行后位的薄膜结构表征;使用原子力显微镜来观测薄膜的形貌及晶粒大小。结果表明,我们成功地在蓝宝石衬底上外延了具有三重旋转织构的a轴取向萤石相YSZ薄膜,其外延关系为YSZ(200)∥TiO2(200)∥Al2O3(0001);YSZ[010]∥TiO2[001]∥Al2O3[11-20]。 展开更多

关键词 YSZ薄膜 外延生长 脉冲激光沉积 反射式高能电子衍射

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