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H_2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响 被引量:3
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作者 程自亮 蒋向东 +2 位作者 王继岷 刘韦颖 连雪艳 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第3期485-488,共4页
研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在... 研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在纳米级厚度的a-Si:H薄膜基础上,随着第二反应气H2/Si H4混合气中H2比率(99%、97%、95%、92%、80%)的升高,沉积速率持续下降,薄膜消光系数、禁带宽度以及电导率呈现先增大后减小的趋势。针对实验现象,结合薄膜生长机理对实验结果原因进行了分析。 展开更多
关键词 a-Si:H/nc-Si:H 氢稀释 rf-pecvd(射频等离子体化学气相沉积) 光电性能 生长机理
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RF-PECVD工艺参数对DLC膜结构及性能的影响 被引量:6
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作者 谢红希 凌贵 朱正涛 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期190-194,共5页
用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法,在常温下实现在载玻片和单晶硅基片上沉积类金刚石(DLC)薄膜。研究结果表明,工艺参数(功率密度、氩气分压、丁烷分压和极间距)的变化对薄膜硬度和透过率影响较大。薄膜硬度随着功率密度的增... 用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法,在常温下实现在载玻片和单晶硅基片上沉积类金刚石(DLC)薄膜。研究结果表明,工艺参数(功率密度、氩气分压、丁烷分压和极间距)的变化对薄膜硬度和透过率影响较大。薄膜硬度随着功率密度的增加而增加;随着氩气分压或丁烷分压的增加,薄膜硬度降低。薄膜的透过率随着氩气分压先增后减;丁烷分压为0.42~0.7Pa或板极间距为4.5~8cm时,薄膜的透过率均达到90%。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 射频等离子增强化学气相沉积 拉曼光谱 透过率
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Deposition of SiOx barrier films by O2/TMDSO RF-PECVD
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作者 周美丽 付亚波 +1 位作者 陈强 葛袁静 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第4期1101-1104,共4页
This paper reports that the SiOx barrier films are deposited on polyethylene terephthalate substrate by plasmaenhanced chemical vapour deposition (PECVD) for the application of transparent barrier packaging. The var... This paper reports that the SiOx barrier films are deposited on polyethylene terephthalate substrate by plasmaenhanced chemical vapour deposition (PECVD) for the application of transparent barrier packaging. The variations of 02/Tetramethyldisiloxane (TMDSO) ratio and input power in radio frequency (RF) plasma are carried out to optimize barrier properties of the SiOx coated film. The properties of the coatings are characterized by Fourier transform infrared, water vapour transmission rate (WVTR), oxygen transmission rate (OTR), and atomic force microscopy analysers. It is found that the 02/TMDSO ratio exceeding 2:1 and the input power over 200 W yield SiOx films with low carbon contents which can be good to the barrier (WVTR and OTR) properties of the SiOx coatings. Also, the film properties not only depend on oxygen concentration of the inlet gas mixtures and input power, but also relate to the surface morphology of the coating. 展开更多
关键词 rf-pecvd TMDSO SiOx films barrier property
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PEO-Like Functional Films' Polymerization in RF-PECVD
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作者 胡立琼 陈强 葛袁静 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第5期582-584,共3页
Polymer ethylene oxide (PEO) functional films can be used as a material for biocompatible research. In this paper, we investigated the structures of PEO-like films polymerized on Si surface with diethlyene glycole d... Polymer ethylene oxide (PEO) functional films can be used as a material for biocompatible research. In this paper, we investigated the structures of PEO-like films polymerized on Si surface with diethlyene glycole dimethyl ether (DEGDME) as the precursor and Ar as the dilution gas by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). And the pulse plasma model was employed to polymerize the functional films. The chemical structure of the coatings was investigated by Fourier transform inference (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results indicate that PEO-like structure films can be polymerized by DEGDME/Ar plasma. The concentration of C-O functional groups polymerized in the long plasma-off time was much higher than that in the short plasma-off time. With the same discharge parameters, moreover, the C-O ratio in polymers increased with a higher injected power. 展开更多
关键词 PEO films plasma mode rf-pecvd
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RF-PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的光学性能研究 被引量:2
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作者 邱毅娇 李伟 +2 位作者 吴茂阳 傅俊威 蒋亚东 《电子器件》 CAS 2011年第1期21-24,共4页
以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜。采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的... 以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜。采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的成键情况及其对光学带隙的影响进行了研究分析。结果表明,Si-C键的强度和光学带隙随着CH4/SiH4流量比的增加而增大;但是,随着射频功率的增加,a-SiC:H薄膜的光学带隙反而略有减小。 展开更多
关键词 a-Si(1-x)Cx:H薄膜 PECVD 傅里叶转换红外光谱 紫外-可见光谱 光学性能
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射频功率对红外光学用类金刚石膜结构和性能的影响 被引量:1
6
作者 杨玉卫 张华 +1 位作者 杨坚 古宏伟 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第11期880-884,共5页
利用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以CH4为气源,在单晶锗基底上制备了具有红外增透效果的薄膜。Raman光谱分析表明,D峰和G峰分别位于1200~1450 cm^-1和1500~1700 cm^-1之间,说明薄膜具有典型的类金刚石的特征峰,可知镀制的薄膜... 利用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以CH4为气源,在单晶锗基底上制备了具有红外增透效果的薄膜。Raman光谱分析表明,D峰和G峰分别位于1200~1450 cm^-1和1500~1700 cm^-1之间,说明薄膜具有典型的类金刚石的特征峰,可知镀制的薄膜是类金刚石膜。通过研究射频功率对类金刚石膜红外透过率以及硬度等性能的影响,分析了类金刚石膜的红外透过率和纳米硬度随着薄膜中sp3含量的增加而增大的原因,从而找出一种利用PECVD方法制备DLC膜的最佳工艺参数。 展开更多
关键词 类金刚石膜 rf-pecvd RAMAN光谱 红外透过率
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PECVD法低温制备纳米晶硅薄膜晶化特性的Raman分析 被引量:1
7
作者 邱胜桦 陈城钊 +3 位作者 刘翠青 吴燕丹 李平 林璇英 《材料研究与应用》 CAS 2008年第4期428-431,共4页
以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较低的温度(200℃)和较高的压强(230 Pa)下,在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率达8×10-10m/s,晶化率大于60%的纳米晶硅薄膜.利用Raman谱分析硅烷浓度和射频功率对纳米晶... 以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较低的温度(200℃)和较高的压强(230 Pa)下,在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率达8×10-10m/s,晶化率大于60%的纳米晶硅薄膜.利用Raman谱分析硅烷浓度和射频功率对纳米晶硅薄膜的晶化特性的影响.结果表明,薄膜的晶化率、沉积速率与硅烷浓度和射频功率存在着密切的关系.随着硅烷浓度的降低,即氢稀释率的提高,晶化率提高,而沉积速率随着射频功率的增大而增大.当硅烷体积浓度为1%、射频功率为70 W时,获得晶化率接近70%的优质纳米晶硅薄膜. 展开更多
关键词 纳米晶硅薄膜 晶化率 rf-pecvd RAMAN谱
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微晶硅沉积的射频等离子体辉光发射谱
8
作者 朱锋 赵颖 +4 位作者 魏长春 孙建 王岩 宋红 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期621-625,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在高沉积功率、低衬底温度的条件下沉积微晶 硅薄膜材料。光发射谱(OES)测量技术对等离子体辉光进行在线监测、分析,能够对等离子体中的生成物进行 判别。实验表明,随着硅烷浓度的增加,... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在高沉积功率、低衬底温度的条件下沉积微晶 硅薄膜材料。光发射谱(OES)测量技术对等离子体辉光进行在线监测、分析,能够对等离子体中的生成物进行 判别。实验表明,随着硅烷浓度的增加,等离子体中SiH*、Hβ*、Hα*和H2*缓慢增大,而Hα*/SiH*单调下降; 随着辉光功率的增大,Hα*迅速增大,而SiH*、Hβ*和H2*趋于饱和,Hα*/SiH*单调上升;等离子体的辉光强度 主要跟SiH、Hβ*和H2*数量成正比。 展开更多
关键词 rf-pecvd 微晶硅 OES 等离子体
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射频PECVD方法生长含氢非晶碳膜的结构及摩擦学性能 被引量:4
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作者 李明 蔺增 +1 位作者 王凤 巴德纯 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1745-1748,共4页
利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在不锈钢表面制备了含氢非晶碳膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在栓盘摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度下的摩擦学... 利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在不锈钢表面制备了含氢非晶碳膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在栓盘摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度下的摩擦学性能.结果表明:所制备的含氢非晶碳膜具有典型的类金刚石结构特征,薄膜均匀、致密,表面粗糙度小;薄膜与不锈钢球对磨时显示出良好的抗磨减摩性能;薄膜的抗磨减摩性能同对磨件表面上形成的转移膜以及摩擦过程中薄膜结构的石墨化相关. 展开更多
关键词 射频等离子体增强化学气相沉积 含氢非晶碳膜 结构 摩擦学性能
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掺硼p型非晶硅薄膜的制备及光学性能的表征 被引量:2
10
作者 夏冬林 王慧芳 +2 位作者 石正忠 张兴良 刘俊 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期296-304,共9页
以高氢稀释的硅烷(Si H4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000 W光学薄膜分析系统测试薄膜的... 以高氢稀释的硅烷(Si H4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000 W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱和反射谱,并利用该系统的软件拟合得出薄膜的折射率、消光系数、吸收系数等光学性能参数,利用Tauc法计算掺硼的非晶硅薄膜的光学带隙.实验结果表明,随着硼掺杂量的增加,掺杂非晶硅薄膜样品在同一波长处的折射率先增大后减小,而且每一样品均随着入射光波长的增加而减小,在波长500 nm处的折射率均达到4.3以上;薄膜的消光系数和吸收系数随着硼掺杂量的增大而增大,在500 nm处的吸收系数可高达1.5×105cm-1.在实验的硼掺杂范围内,光学带隙从1.81 eV变化到1.71 eV. 展开更多
关键词 RF-等离子体增强化学气相沉积方法 非晶硅薄膜 折射率 消光系数 吸收系数 光学带隙
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射频等离子体制备类金刚石薄膜及其表征 被引量:6
11
作者 谢鹏 汪建华 +3 位作者 王传新 王升高 满卫东 熊礼威 《武汉工程大学学报》 CAS 2009年第3期60-63,共4页
采用射频等离子体技术,以CH4和H2为反应气体,在单晶硅片和载玻玻璃片上成功制备出了高质量的类金刚石薄膜.采用扫描电镜、原子力显微镜、Raman光谱、红外光谱、显微硬度计表征了类金刚石薄膜的表面形貌、微观结构、光学性能和复合硬度.... 采用射频等离子体技术,以CH4和H2为反应气体,在单晶硅片和载玻玻璃片上成功制备出了高质量的类金刚石薄膜.采用扫描电镜、原子力显微镜、Raman光谱、红外光谱、显微硬度计表征了类金刚石薄膜的表面形貌、微观结构、光学性能和复合硬度.结果表明,制备出的类金刚石薄膜表面十分平整光滑,表面粗糙度极低,平均粗糙度Ra为0.492 nm;薄膜中含有sp2,sp3杂化键,具有典型的类金刚石结构特征;光学透过率比较高,薄膜的复合硬度可以高达507.3 kgf/cm2. 展开更多
关键词 射频等离子体 类金刚石薄膜 粗糙度 拉曼光谱 显微硬度
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p-i-n型非晶硅薄膜电池p层材料制备及光学性能研究
12
作者 汪沁 郭涛 +1 位作者 张峰 李伟 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期1-4,共4页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜材料,借助紫外可见(UV-Vis)光谱、激光拉曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外(FTIR)光谱等手段,研究了p-i-n型非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳能电池p层a... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜材料,借助紫外可见(UV-Vis)光谱、激光拉曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外(FTIR)光谱等手段,研究了p-i-n型非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳能电池p层a-SiC:H薄膜材料的制备与光学性能.研究结果表明甲烷和硅烷掺杂比能影响a-Si:H薄膜成键情况,而射频功率一定程度上能影响薄膜沉积速率,该研究结果可为制备转换效率高、性能稳定的p-i-n型非晶硅薄膜太阳能电池提供支持. 展开更多
关键词 rf-pecvd 氢化非晶碳化硅薄膜 非化学计量比 微观结构 光学带隙
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射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响
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作者 邵宇光 杨沁玉 +4 位作者 王德信 石建军 徐金洲 郭颖 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期123-128,共6页
采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构... 采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度. 展开更多
关键词 射频等离子体化学气相沉积(rf-pecvd) 硅基发光薄膜 生长与结构
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射频偏置ECR-PECVD等离子体参数测量 被引量:6
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作者 许沭华 任兆杏 沈克明 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期63-66,共4页
利用双探针对ECR PECVD装置中基片在射频偏置下的等离子体参数进行了测量。同时测量了在射频偏置下微波功率、磁场电流、进气量等参数对ECR PECVD等离子体参数的影响。结果表明,在ECR PECVD等离子体装置中,基片射频偏置对电子温度有影响... 利用双探针对ECR PECVD装置中基片在射频偏置下的等离子体参数进行了测量。同时测量了在射频偏置下微波功率、磁场电流、进气量等参数对ECR PECVD等离子体参数的影响。结果表明,在ECR PECVD等离子体装置中,基片射频偏置对电子温度有影响,而等离子体密度主要由微波功率所决定。 展开更多
关键词 射频偏置 ECR-PECVD 双探针 电子温度 等离子体密度 微波功率 磁场电流
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应用高频激励源制备低应力氮化硅薄膜研究 被引量:3
15
作者 达小丽 郭霞 +2 位作者 关宝璐 董立闽 沈光地 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期138-142,共5页
研究了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜时,射频功率和腔室压力对氮化硅薄膜应力的影响以及应力与沉积速率的关系。通常认为高频下制备得到的氮化硅膜呈现张应力,但是通过实验,表明即使应用高频(13.56MH z)作为激励... 研究了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜时,射频功率和腔室压力对氮化硅薄膜应力的影响以及应力与沉积速率的关系。通常认为高频下制备得到的氮化硅膜呈现张应力,但是通过实验,表明即使应用高频(13.56MH z)作为激励源同样可以沉积出呈现压应力的氮化硅薄膜。并使用角度可变光谱型椭偏仪观察了薄膜的厚度和低应力氮化硅膜的m app ing图,利用傅立叶变换红外光谱仪(FT IR)对不同应力状态下的氮化硅膜的化学键结构进行了分析。 展开更多
关键词 氮化硅 应力 等离子体增强化学气相沉积 腔室压力 射频功率
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PECVD制备非晶硅薄膜的研究 被引量:2
16
作者 顾卫东 胥超 李艳丽 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第11期664-666,共3页
实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在Si衬底上制备了非晶硅薄膜。研究了射频功率、PH3掺杂浓度等因素对薄膜电阻率以及应力的影响。实验结果表明,对于非掺杂非晶硅薄膜,当射频功率从15W增加到45W时,薄膜应力从张应力变化到压应... 实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在Si衬底上制备了非晶硅薄膜。研究了射频功率、PH3掺杂浓度等因素对薄膜电阻率以及应力的影响。实验结果表明,对于非掺杂非晶硅薄膜,当射频功率从15W增加到45W时,薄膜应力从张应力变化到压应力,在射频功率为35W时,应力几乎为零,应力绝对值先降低后增加,淀积速率随着射频功率的增加而增加;对于掺杂非晶硅薄膜,电阻率随着PH3掺杂浓度的增加而降低,当PH3流量从0cm3/min增加到12cm3/min时,薄膜掺杂效果明显,电阻率降低3个数量级,继续增加PH3流量,电阻率变化较小,而应力随着PH3掺杂浓度的增加而降低,当PH3流量超过12cm3/min时,应力有增加的趋势。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积 非晶硅 应力 射频功率 掺杂 电阻率
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非晶空心碳球的制备及生长机制 被引量:1
17
作者 杨光敏 徐强 秦宏宇 《物理实验》 2012年第1期10-14,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在CH4/H2的气氛中合成了非晶空心碳球.利用SEM,TEM,拉曼光谱对样品的形貌、成分和结构进行了表征.非晶空心碳球的直径在100~800nm之间,分布在弯曲的碳纳米管丛中.非晶空心碳球的生长机制可能为... 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在CH4/H2的气氛中合成了非晶空心碳球.利用SEM,TEM,拉曼光谱对样品的形貌、成分和结构进行了表征.非晶空心碳球的直径在100~800nm之间,分布在弯曲的碳纳米管丛中.非晶空心碳球的生长机制可能为膨胀生长. 展开更多
关键词 非晶空心碳球 生长机制 等离子体增强化学气相沉积
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掺杂对氟化非晶碳膜场发射性能的影响
18
作者 刘雄飞 李伯勋 徐根 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期228-231,共4页
利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备(RF-PECVD)在单晶硅基底上沉积含氮的氟化类金刚石薄膜,研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性。通过退火处理,研究了薄膜场发射电流的稳定性,通过原子力显微镜,观察了薄膜退火前后的表面形貌。通... 利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备(RF-PECVD)在单晶硅基底上沉积含氮的氟化类金刚石薄膜,研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性。通过退火处理,研究了薄膜场发射电流的稳定性,通过原子力显微镜,观察了薄膜退火前后的表面形貌。通过场发射测试表明,随着氮含量的升高,薄膜的阈值电场降低,发射电流逐渐升高。退火后,掺氮薄膜达到稳定的发射电流的时间比未掺氮薄膜大大缩短。表面形貌分析表明,退火后由于薄膜表面微凸的减少,发射电流有所下降。 展开更多
关键词 掺氮氟化类金刚石 场发射 稳定性 掺杂 退火 等离子体增强型化学气相淀积
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传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配 被引量:1
19
作者 颜一凡 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期453-459,共7页
等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H... 等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1<n<2 )的一个解析表示式 ,它是 Si H4气压 / Si H4流速率比 (Pr/ fr)、电极间距 (D)、Pd和 n的函数 ,而且还受到衬底温度 (Ts)的限制。这表示 ,在 CPECVD工艺中不存在独立的 Pd/ 展开更多
关键词 氢化非晶硅 等离子增强化学气相淀积 匹配 工艺
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高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备 被引量:1
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作者 赵尚丽 杨仕娥 +3 位作者 张丽伟 陈永生 陈庆东 卢景霄 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期116-118,134,共4页
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Ra... 利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜。 展开更多
关键词 RF—PECVD P型微晶硅薄膜 暗电导率 晶化率
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