基于RF-IC卡智能门禁安全管理系统的开发 被引量：3

1

作者 王进宏 鞠玉翔 +1 位作者 饶运涛 曾德芬 《东华理工学院学报》 2004年第3期289-292,共4页

介绍了非接触式IC卡智能门禁安全管理系统中的读写器软、硬件设计与服务器端的软件设计。非接触式IC卡门禁管理系统是近年来数字技术与网络技术发展的结果 ,也是楼宇智能化的产物 ,具有操作方便、安全可靠、便于管理等特点。此系统适用... 介绍了非接触式IC卡智能门禁安全管理系统中的读写器软、硬件设计与服务器端的软件设计。非接触式IC卡门禁管理系统是近年来数字技术与网络技术发展的结果 ,也是楼宇智能化的产物 ,具有操作方便、安全可靠、便于管理等特点。此系统适用的范围广泛 ,可适用于一般门锁控制 ,也适用于各种重要部门的门控系统。在门禁系统中IC卡就是钥匙 ,它具有身份识别作用 ,实现门禁安全管理系统中的用户管理。在通信方面 ,采用RS485网络与以太网相结合的方式 ,可以实现近距离。 展开更多

关键词 智能门禁 安全管理系统 服务器端 身份识别 读写器 以太网 控制与管理 部门 门控系统 适用

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非接触式IC卡读写模块PicoRead RF的设计与研究

2

作者 刘伟 徐会彬 《电子科技》 2010年第9期58-59,共2页

PicoRead RF芯片为法国Inside Contactless公司推出的一款非接触读写芯片。由于其性能稳定、支持协议多和价格优势,常用于设计非接触读卡设备。文中主要介绍了PicoRead RF芯片的特点和工作原理及其在软硬件上的设计和实现过程,为使用者... PicoRead RF芯片为法国Inside Contactless公司推出的一款非接触读写芯片。由于其性能稳定、支持协议多和价格优势,常用于设计非接触读卡设备。文中主要介绍了PicoRead RF芯片的特点和工作原理及其在软硬件上的设计和实现过程,为使用者提供了一定的依据。 展开更多

关键词 PicoRead rf 非接触式ic卡 读卡器

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非接触IC卡考勤系统设计 被引量：4

3

作者 戚勇 叶哲江 孙秀娥 《山西电子技术》 2007年第3期23-25,共3页

IC卡作为电话卡、消费卡、入门卡、考勤卡得到广泛应用。目前大部分IC卡还是裸露金属触点的接触式IC卡,在不久的将来,非接触IC卡必然会占据主流地位。这里介绍非接触式IC卡在实际中的应用。该系统操作方便、快捷。并且介绍该系统的组成... IC卡作为电话卡、消费卡、入门卡、考勤卡得到广泛应用。目前大部分IC卡还是裸露金属触点的接触式IC卡,在不久的将来,非接触IC卡必然会占据主流地位。这里介绍非接触式IC卡在实际中的应用。该系统操作方便、快捷。并且介绍该系统的组成、系统的功能和一些问题的处理方法。 展开更多

关键词 单片机(P87LPC64) 非接触式ic卡 串行E2PROM 12C总线

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基于MSP430射频IC卡读写系统研究 被引量：1

4

作者 潘学海 《煤炭技术》 CAS 北大核心 2012年第1期217-218,共2页

主要对IC卡存储系统中射频IC卡读写功能进行了介绍,分析了基于MSP430F2274芯片基础上的射频IC卡读写系统详细的设计过程及方法。

关键词 射频ic卡 读写系统 MSP430 非接触式

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射频IC卡巡检系统设计 被引量：1

5

作者 卢贶 宋霞 《襄樊职业技术学院学报》 2011年第4期19-21,24,共4页

介绍以Philiph公司RC500射频卡读写芯片和STC单片机为基础,结合串行通信技术,完成的射频IC卡巡检系统设计。该巡检系统可广泛应用于各类企业,提高安保工作管理质量和效率。整个设计简洁,可靠性高,具有很高的性价比。

关键词 射频卡 巡检 RC500

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一种优化的射频IC接收电路

6

作者 罗厚军 封小钰 江中华 《电子技术应用》 北大核心 2009年第9期75-77,共3页

简要介绍射频IC系统的结构,并针对现有射频IC系统接收电路的不足,通过调整混频器增益、混频管之间距离和工作频率等方法,实现对接收电路的优化。通过仿真,证明了优化的有效性。

关键词 射频ic系统 接收电路 优化

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射频IC卡SPI智能系统的实现

7

作者 赵宝钢 魏传宝 李齐斌 《信息技术》 2005年第7期40-42,92,共4页

详细介绍了关于射频IC卡智能系统开发的基本概念,例如射频IC卡以及它的工作状态、相应的读卡器等。给出了实现的原理并进一步从软件和硬件两方面给出了采用SPI接口的实现细节。最后指出采用集成模块板所设计的系统具有简单易行、性能可... 详细介绍了关于射频IC卡智能系统开发的基本概念,例如射频IC卡以及它的工作状态、相应的读卡器等。给出了实现的原理并进一步从软件和硬件两方面给出了采用SPI接口的实现细节。最后指出采用集成模块板所设计的系统具有简单易行、性能可靠的特点。 展开更多

关键词 射频ic卡 单片机应用 微系统

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移动数字电视接收机中宽带RF RSSI的设计 被引量：2

8

作者 褚敏 戴庆元 蔡新午 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期169-173,共5页

基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能... 基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能;电路中前置放大器采用恒定跨导(Gm)偏置技术,输出放大器为三运放仪表放大器(IA),其增益均为片上电阻的比值,因此受工艺、温度、电源电压影响较小。芯片测试结果表明,在1.8 V电源电压下,工作频率470～860 MHz范围内,该RF RSSI的动态功率检测范围为-25～-15 dBm,非线性误差小于±1.5 dB,同时功耗仅为7 mW。满足接收机系统要求。 展开更多

关键词 互补型金属氧化物半导体射频集成电路 恒定跨导偏置 接收信号强度指示 仪表放大器

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RFW102无线收发芯片组的原理和应用 被引量：3

9

作者 张全宝 李峻 《国外电子元器件》 2004年第1期61-63,共3页

RFW102芯片组是一种半双工DSSS(直接序列扩频技术 )的无线收发两用IC ,它采用ASK调制方式 ,工作频率在2.4GHz。文中详细介绍了该芯片组的特点、性能、管脚功能和工作原理 。

关键词 rfW102 无线收发芯片组 直接序列扩频 ASK调制 DSSS

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双模射频IC卡读写器天线设计

10

作者 毛歆杰 袁焱 陈玮 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2012年第3期303-306,共4页

通过对环形线圈磁感应强度的电磁场分析,设计实现符合ISO 14443国际标准的射频IC卡读写器天线.根据实际需要将国民技术2.4GHz微波段射频偶极子天线放置于13.56MHz射频天线中,整合成双模射频IC卡读写器天线,为公共交通卡和RF-SIM卡手机... 通过对环形线圈磁感应强度的电磁场分析,设计实现符合ISO 14443国际标准的射频IC卡读写器天线.根据实际需要将国民技术2.4GHz微波段射频偶极子天线放置于13.56MHz射频天线中,整合成双模射频IC卡读写器天线,为公共交通卡和RF-SIM卡手机支付业务提供支持. 展开更多

关键词 rf-SIM 13.56MHz射频ic卡 国民技术2.4GHz ISO 14443

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射频IC卡在ucLinux中的驱动设计与应用

11

作者 石瑀 杨斌 《信息技术》 2006年第4期135-139,共5页

简要介绍了现今使用较为广泛的Mifare 1非接触式IC智能射频卡的功能模块以及存储结构,并且针对ucLinux操作系统,详细阐述了如何实现Mifare 1卡驱动的设计。

关键词 rf ic MIFARE 1 UCLINUX

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基于DES加密算法的射频智能IC卡门禁系统

12

作者 李共 毛健丰 《电子工程师》 2002年第11期59-61,共3页

介绍了射频智能 IC卡门禁系统的结构和特点 ,对如何运用加密技术 。

关键词 门禁系统 射频智能ic卡 加密算法 安全性

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对单片机控制非接触式IC卡读写器模块的讨论 被引量：3

13

作者 李亮 《南华大学学报（自然科学版）》 2007年第1期94-97,108,共5页

本文利用荷兰Philips公司出品的H6152系列读写器模块对Mifare1 S50系列射频卡进行读写.并且应用H6152读写器模块对外使用RS-232/485进行通信,因此便与扩展成总线上的分器件,用来开发校内的非接触式的智能IC一卡通.并通过试验,收到了令... 本文利用荷兰Philips公司出品的H6152系列读写器模块对Mifare1 S50系列射频卡进行读写.并且应用H6152读写器模块对外使用RS-232/485进行通信,因此便与扩展成总线上的分器件,用来开发校内的非接触式的智能IC一卡通.并通过试验,收到了令人满意的效果. 展开更多

关键词 非接触式ic H6152读写器模块 Mifare射频卡

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MOSFET输出阻抗对混频器线性度影响分析 被引量：2

14

作者 唐守龙 罗岚 陆生礼 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期169-173,共5页

深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响 ,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型 ,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件 .基于 0 .2 5 μmCMOS工艺的Gilbert混频器验证结果表明 ,预测得到的线性度最优理论偏置... 深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响 ,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型 ,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件 .基于 0 .2 5 μmCMOS工艺的Gilbert混频器验证结果表明 ,预测得到的线性度最优理论偏置值与验证结果之间的误差小于 10 % . 展开更多

关键词 MOSFET 输出阻抗 混频器 线性度 CMOS工艺 非线性模型 偏置条件 最优理论 验证

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2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计 被引量：2

15

作者 徐国栋 朱丽军 兰盛昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期62-64,81,共4页

在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一。首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18μm CMOS工艺给出了工作在2.45GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性。

关键词 互补金属氧化物半导体 功率放大器 射频 集成电路

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一种用于Bluetooth发接器的倍频式VCO 被引量：2

16

作者 苏彦锋 衣晓峰 +1 位作者 朱臻 洪志良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期296-301,共6页

介绍了一种适用于 Bluetooth发接器的 ,可以单片集成的倍频式压控振荡器 ( VCO)。这种 VCO由两部分组成 ,主 VCO的振荡频率是所需本振频率的一半 ,然后采用“注入锁频”原理对主 VCO的振荡频率进行倍频以产生本振信号。主 VCO和倍频电... 介绍了一种适用于 Bluetooth发接器的 ,可以单片集成的倍频式压控振荡器 ( VCO)。这种 VCO由两部分组成 ,主 VCO的振荡频率是所需本振频率的一半 ,然后采用“注入锁频”原理对主 VCO的振荡频率进行倍频以产生本振信号。主 VCO和倍频电路都使用了片上集成螺旋电感 ,调谐用的变容元件使用 PMOS晶体管实现。经过版图设计和后仿真 ,在 TSMC0 .35 μm数字 COMS工艺 ,3.3V电源电压下 ,该 VCO在 2 .4GHz中心频率附近可以达到的相位噪声指标为 -1 2 5 d Bc/Hz( 60 0 k Hz) ,在输出摆幅为 60 0 m Vp- p时 ,功耗为 2 2 m W。 展开更多

关键词 蓝牙发接器 压控振荡器 倍频电路 射频集成电路

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多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用 被引量：1

17

作者 沈怿皓 张润曦 +4 位作者 张炜杰 陈亦灏 李勇 景一欧 赖宗声 《电子器件》 CAS 2008年第4期1150-1154,共5页

研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多... 研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多双曲正切法则的CMOS吉尔伯特混频器电路。流片采用UMC0.18μmRF-CMOS工艺,经过测量,所得到的参数与理论分析及仿真值吻合,证明了理论分析的可行性。 展开更多

关键词 CMOS射频集成电路 双曲正切法则 线性度 混频器

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深亚微米工艺CMOS Gilbert混频器噪声分析 被引量：1

18

作者 唐守龙 吴建辉 罗岚 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期372-376,共5页

深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5 dB,相对误差最... 深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5 dB,相对误差最大为12.5%. 展开更多

关键词 CMOS射频集成电路 混频器 深亚微米工艺 噪声

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一种低噪声高线性度射频前端电路设计 被引量：4

19

作者 许永生 游淑珍 +3 位作者 俞惠 李小进 石春琦 赖宗声 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期188-193,共6页

介绍了超高频接收系统射频前端电路的芯片设计。从噪声匹配、线性度、阻抗匹配以及增益等方面详细讨论了集成低噪声放大器和下变频混频器的设计。电路采用硅基0.8μm B iCM O S工艺实现,经过测试,射频前端的增益约为18 dB,双边带噪声系... 介绍了超高频接收系统射频前端电路的芯片设计。从噪声匹配、线性度、阻抗匹配以及增益等方面详细讨论了集成低噪声放大器和下变频混频器的设计。电路采用硅基0.8μm B iCM O S工艺实现,经过测试,射频前端的增益约为18 dB,双边带噪声系数2.5 dB,IIP 3为+5 dBm,5 V工作电压下的消耗电流仅为3.4 mA。 展开更多

关键词 超高频接收芯片 射频集成电路 射频前端 低噪声放大器 混频器

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一种高线性度2.4GHz CMOS LC压控振荡器 被引量：1

20

作者 张鸿 陈贵灿 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第7期176-179,共4页

对影响压控振荡器(VCO)线性度的因素进行了研究,并提出了一种适用于2.4GHz ISM频段的高调节线性度的CMOS LC VCO结构。新的VCO结构采用两个控制端,分别控制一对p+/n-well变容管和一对MOS变容管。该VCO输出两个波段,调节非线性度分别为1.... 对影响压控振荡器(VCO)线性度的因素进行了研究,并提出了一种适用于2.4GHz ISM频段的高调节线性度的CMOS LC VCO结构。新的VCO结构采用两个控制端,分别控制一对p+/n-well变容管和一对MOS变容管。该VCO输出两个波段,调节非线性度分别为1.45%和1.74%,总调节范围为2.33～2.72 GHz,功耗为15mW,芯片面积为534×540μm2。结果表明,新的电路结构使得VCO的调节非线性度降低到通常只用一对变容管的VCO的一半以下,同时极大地减小了调节范围内相噪声的波动,有效地提高ISM频段内多种无线通信标准的射频收发机的性能。 展开更多

关键词 LC压控振荡器 CMOS射频集成电路 调节线性度 相噪声

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