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题名基于晶闸管反并联的有载分接开关的设计
被引量：1
- 1
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作者
张品秀
梁春英
赵斌
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机构
黑龙江八一农垦大学信息技术学院
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出处
《煤炭技术》
CAS
北大核心
2010年第1期195-197,共3页
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文摘
设计了基于晶闸管反并联的有载分接开关的主接线形式,完成了有载分接开关自动调压工作流程的设计,同时还设计了晶闸管的触发电路和过电压RC缓冲电路。经理论分析本设计可以满足10kV电力用户有载调压的需求,具有广阔的发展前景。
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关键词
晶闸管反并联
有载分接开关
触发电路
rc缓冲电路
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Keywords
thyristor counter- parallel
on- load tap - changer
triggering circuit
rc buffer circuit
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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题名SiC MOSFET特性分析及应用
被引量：1
- 2
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作者
韩芬
张艳肖
石浩
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机构
西安交通大学城市学院电气与信息工程系
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出处
《电子设计工程》
2022年第18期137-141,共5页
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基金
陕西省教育科学“十三五”规划2020年度课题(SGH20Y1380)。
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文摘
碳化硅MOSFET因其材料的特殊性,适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路,通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究,并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路,在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作。RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡,在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高。
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关键词
SiC
MOSFET
驱动电路
rc缓冲电路
开关特性
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Keywords
SiC MOSFET
driving circuit
rc buffer circuit
switching characteristics
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名基于单片机的有载分接开关控制系统的设计
被引量：1
- 3
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作者
张品秀
韩静
许秀英
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机构
黑龙江八一农垦大学信息技术学院
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出处
《黑龙江八一农垦大学学报》
2009年第6期64-67,共4页
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文摘
为了提高配电变压器的有载分接开关自动调压功能,保证电力系统供电的可靠性,利用电力电子器件及单片机控制技术,设计了以晶闸管反并联作为分接开关的执行机构,配以单片机AT89C52为核心的控制系统来调节配电变压器分接头,进而实现有载分接开关自动稳压的功能。
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关键词
有载分接开关
单片机
控制系统
晶闸管反并联
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Keywords
on-load tap-change（rOLTC）
MCU
control system
rc buffer circuit
counter-parallel thyristor
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分类号
TM571.2
[电气工程—电器]
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