Pyrex玻璃／铝多层阳极键合界面结构与力学分析 被引量：8

1

作者 鲁晓莹 刘翠荣 +2 位作者 孟庆森 杨振宇 赵亚溥 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1466-1469,共4页

采用公共阳极法实现了Pyrex玻璃与铝多层晶片的静电键合,对玻璃/铝/玻璃阳极接合界面的组织结构及其连接机理和力学特征进行了重点研究。分别利用微拉伸测试设备和ANSYS软件分析了连接区的力学性能和残余应力分布特征。分析认为键合区... 采用公共阳极法实现了Pyrex玻璃与铝多层晶片的静电键合,对玻璃/铝/玻璃阳极接合界面的组织结构及其连接机理和力学特征进行了重点研究。分别利用微拉伸测试设备和ANSYS软件分析了连接区的力学性能和残余应力分布特征。分析认为键合区由玻璃-过渡层-铝组成,过渡层为Al2O3-SiO2复合氧化物。玻璃/铝界面的微观组织和元素分布均以铝为对称轴呈对称分布。在玻璃/铝/玻璃多层连接区,键合界面附近的残余应力和应变呈对称分布,多层结构的对称性有利于缓解接头应变和应力,表明应用公共阳极法可实现多层玻璃/铝/玻璃的良好键合。 展开更多

关键词 阳极键合 铝 pyrex玻璃 力学特征 MEMS

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Pyrex玻璃与Kovar合金阳极键合界面微观结构及其形成机制 被引量：8

2

作者 刘翠荣 孟庆森 +1 位作者 胡立方 胡敏英 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期73-76,共4页

在温度300～500℃、电压400～650V、时间10～20min的阳极键合工艺条件下,Pyrex玻璃与Kovar合金可实现快速连接;采用高分辨扫描电镜、超轻元素能谱仪、透射电镜及X射线衍射仪分析了接合区微观组织、微区化学成分、界面微区相结构等。结... 在温度300～500℃、电压400～650V、时间10～20min的阳极键合工艺条件下,Pyrex玻璃与Kovar合金可实现快速连接;采用高分辨扫描电镜、超轻元素能谱仪、透射电镜及X射线衍射仪分析了接合区微观组织、微区化学成分、界面微区相结构等。结果表明,Pyrex玻璃与Kovar合金的结合过程分为三个阶段,即界面极化及静电吸附阶段,离子迁移及阳极氧化阶段,氧化物固相扩散结合及过渡区形成阶段;界面静电力及离子扩散迁移为界面结合的物理化学反应提供了必要条件;Pyrex玻璃与Kovar合金连接区由玻璃—过渡区—金属构成,过渡区的主要结构是尖晶石氧化物,其化学成分及致密度对接头强度具有较大影响。 展开更多

关键词 玻璃 可伐合金 阳极键合 连接界面 微观结构

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Pyrex玻璃的ICP刻蚀技术研究 被引量：4

3

作者 江平 侯占强 +2 位作者 彭智丹 肖定邦 吴学忠 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期556-558,共3页

以SF6/Ar为刻蚀气体,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀Pyrex玻璃,研究气体流量、射频功率对刻蚀速率及刻蚀面粗糙度的影响。采用正交实验方法找出优化的实验参数,得到Pyrex玻璃刻蚀速率为106.8nm/min,表面粗糙度为Ra=5.483nm,实验发现增... 以SF6/Ar为刻蚀气体,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀Pyrex玻璃,研究气体流量、射频功率对刻蚀速率及刻蚀面粗糙度的影响。采用正交实验方法找出优化的实验参数,得到Pyrex玻璃刻蚀速率为106.8nm/min,表面粗糙度为Ra=5.483nm,实验发现增加自偏压是提高刻蚀速率、减小刻蚀面粗糙度的有效方法。 展开更多

关键词 ICP刻蚀 MEMS pyrex玻璃 实验设计

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ICP工艺参数对刻蚀Pyrex玻璃影响的实验研究(英文) 被引量：1

4

作者 张迪雅 梁庭 +4 位作者 刘雨涛 王涛龙 李旺旺 姚宗 熊继军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期1149-1154,共6页

影响ICP刻蚀的工艺参数包括反应室压力,偏置射频功率,氩气流量比率。通过正交试验的方法,以CHF3和Ar的混合物作为反应气体,利用电感耦合等离子体技术刻蚀Pyrex玻璃。并采用回归分析方法建立了二次回归方程模型描述腐蚀速率和三个因素之... 影响ICP刻蚀的工艺参数包括反应室压力,偏置射频功率,氩气流量比率。通过正交试验的方法,以CHF3和Ar的混合物作为反应气体,利用电感耦合等离子体技术刻蚀Pyrex玻璃。并采用回归分析方法建立了二次回归方程模型描述腐蚀速率和三个因素之间的关系。实验结果表明,氩气的流量比率(总气体流量(CHF3+Ar)是恒定的)对刻蚀速率的影响最大,影响程度的主次顺序为氩气的流量比率,反应室压力,偏置射频功率。腐蚀速率和三个因素之间的数学表达式为:腐蚀速率=532.680 0+2.055 6×Ar+0.012 7×(偏置射频功率)-0.964 1×压力-0.065 5×Ar2-0.006 7×Ar×(偏置射频功率)+0.021 7×(偏置射频功率)×压力-0.050 4×(压力)2,实验结果证明数学拟合结果良好。 展开更多

关键词 感应耦合等离子刻蚀 pyrex玻璃 正交试验 刻蚀速率 数学拟合

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Pyrex 7740玻璃深刻蚀掩模研究 被引量：2

5

作者 王伟康 苑伟政 +2 位作者 任森 邓进军 孙小东 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2014年第6期15-18,共4页

玻璃湿法深刻蚀掩模常采用低压化学气相沉积(LPCVD)多晶硅、Cr/Au金属层+光刻胶等,但往往会在玻璃中引入应力,影响后期应用(如阳极键合),而且Cr/Au金属层价格昂贵。为避免以上缺点,引入了SX AR—PC 5000/40保护胶+WBR2075干膜作为玻璃... 玻璃湿法深刻蚀掩模常采用低压化学气相沉积(LPCVD)多晶硅、Cr/Au金属层+光刻胶等,但往往会在玻璃中引入应力,影响后期应用(如阳极键合),而且Cr/Au金属层价格昂贵。为避免以上缺点,引入了SX AR—PC 5000/40保护胶+WBR2075干膜作为玻璃的刻蚀掩模,在HF︰NH4F,HF︰HCl,HF︰HCl︰NH4F刻蚀溶液中进行了大量实验。实验结果表明:SX AR—PC 5000/40抗腐蚀能力强,且成功实现了对Pyrex 7740玻璃131μm的深刻蚀。整个工艺过程与IC工艺兼容,可以进行圆片级批量加工。实验结果对圆片级封装和其他MEMS器件的制作有一定参考作用。 展开更多

关键词 pyrex7740玻璃 湿法腐蚀 刻蚀掩模 微机电系统

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高硼硅玻璃表面化学镀Ni-P合金研究 被引量：3

6

作者 刘敏基 贺忠臣 +1 位作者 丁毅 马立群 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期15-16,49,共3页

为实现对玻璃表面的金属化改性,试验研究了高硼硅玻璃表面化学镀镍工艺。在前处理阶段采用喷砂和酸蚀结合的方法对玻璃基体表面进行粗化,使用PdC l2对玻璃基体表面进行活化。采用划线、划格试验法对镀层与基体的结合力进行了测试,并利... 为实现对玻璃表面的金属化改性,试验研究了高硼硅玻璃表面化学镀镍工艺。在前处理阶段采用喷砂和酸蚀结合的方法对玻璃基体表面进行粗化,使用PdC l2对玻璃基体表面进行活化。采用划线、划格试验法对镀层与基体的结合力进行了测试,并利用扫描电镜(SEM)、能谱成分分析(EDS)和X射线衍射(XRD)等方法对镀镍层的表面形貌、镀层成分及物相结构进行了分析表征。结果表明,施镀速度约为20μm/h,当施镀时间达到1h,所得镀层致密且厚度均匀,得到的非晶态镀层与玻璃基体之间的结合力良好。 展开更多

关键词 化学镀 高硼硅玻璃 喷砂处理 金属化 结合力

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纳米复合体中Mn^(2+)的研究 被引量：3

7

作者 刘春旭 刘俊业 +3 位作者 李丹 窦恺 许武 虞家琪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期109-111,共3页

通过对ＺｎＳＭｎ２＋纳米晶钠硼硅玻璃复合体的发光和激发光谱研究发现Ｍｎ２＋有替位（Ｍｎ２＋）ｓｕｂ和间隙（Ｍｎ２＋）ｉｎｔ两种格位态．在进一步的电子顺磁共振（ＥＰＲ）实验中，证实了Ｍｎ２＋的替位和间隙两种格位态的存在... 通过对ＺｎＳＭｎ２＋纳米晶钠硼硅玻璃复合体的发光和激发光谱研究发现Ｍｎ２＋有替位（Ｍｎ２＋）ｓｕｂ和间隙（Ｍｎ２＋）ｉｎｔ两种格位态．在进一步的电子顺磁共振（ＥＰＲ）实验中，证实了Ｍｎ２＋的替位和间隙两种格位态的存在，并观测到由于强偶极－偶极相互作用而产生的Ｍｎ团簇．形成这种团簇态比前两种格位态几率大得多．同时发现ｇ因子和超精细结构常数｜Ａ｜随纳米晶粒径的减小而增大．对这种载流子限域（纳米晶半径Ｒ＜玻耳激子半径ａＢ）下ＺｎＳ的ｓｐ３和Ｍｎ的３ｄ５电子态杂化所引起的ｇ因子漂移Δｇ用ｋｐ微扰下的Ｃａｒｄｏｎａ模型进行了分析和讨论． 展开更多

关键词 纳米晶 复合体 超精细结构常数 硫化锌 掺锰

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固体电解质(玻璃)与硅的阳极连接机理及界面分析 被引量：1

8

作者 胡利方 秦会峰 +1 位作者 宋永刚 孟庆森 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F05期356-358,共3页

固体电解质(玻璃)与硅片通过阳极连接可以实现良好键合。采用SEM和EDS对界面结构进行了分析。连接的过程与由耗尽层产生的静电场力有紧密关系,通过建立的模型分析了电场力产生的原因。实验表明:温度、压力、连接时间、表面光洁度、电压... 固体电解质(玻璃)与硅片通过阳极连接可以实现良好键合。采用SEM和EDS对界面结构进行了分析。连接的过程与由耗尽层产生的静电场力有紧密关系,通过建立的模型分析了电场力产生的原因。实验表明:温度、压力、连接时间、表面光洁度、电压是影响连接质量的重要因素,优化连接参数是形成良好连接界面的前提。 展开更多

关键词 pyrex玻璃 硅 阳极连接 静电场力

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耐高温硅隔离压阻力敏芯片的研究 被引量：1

9

作者 赵立波 赵玉龙 +3 位作者 方续东 李建波 李勇 蒋庄德 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期59-63,92,共6页

采用微型机械电子系统技术制作出了具有高精度、高频响特点的耐高温硅隔离压阻力敏芯片.根据压阻力敏芯片的版图设计结构,基于弹性薄板小扰度弯曲理论计算分析了压阻力敏芯片的结构尺寸和固有频率.采用静电键合工艺将压阻力敏芯片封装... 采用微型机械电子系统技术制作出了具有高精度、高频响特点的耐高温硅隔离压阻力敏芯片.根据压阻力敏芯片的版图设计结构,基于弹性薄板小扰度弯曲理论计算分析了压阻力敏芯片的结构尺寸和固有频率.采用静电键合工艺将压阻力敏芯片封装在硼硅玻璃环上,形成倒杯式弹性敏感单元,通过有限元仿真分析了玻璃环对压阻力敏芯片性能的影响.根据温度实验数据及计算结果,得到压阻力敏芯片各温度点的热零点漂移的绝对值均小于0.02%FS·℃-1,说明该压阻力敏芯片的准确度等级优于0.1%FS·℃-1,且零点稳定性好. 展开更多

关键词 微型机械电子系统 硅隔离压阻力敏芯片 硼硅玻璃环

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派热克斯玻璃的固态相变区物态方程

10

作者 李茂生 张春斌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1990年第3期378-382,共5页

派热克斯玻璃的Hugoniot实验数据显示了在20GPa以下存在相变,我们认为这是一种固态-固态的一级相变,根据Gibbs相平衡条件并应用了相变前的低压物态方程,计算了这种固态-固态相变的熵增。计算表明熵增为负值,即相变为放热过程。在此基础... 派热克斯玻璃的Hugoniot实验数据显示了在20GPa以下存在相变,我们认为这是一种固态-固态的一级相变,根据Gibbs相平衡条件并应用了相变前的低压物态方程,计算了这种固态-固态相变的熵增。计算表明熵增为负值,即相变为放热过程。在此基础上给出了相变区的物态方程,其中冷压为平台,内能计入了相变熵的影响。由相变区的物态方程得到的理论的与实验的Hugoniot曲线基本一致。 展开更多

关键词 派热克斯玻璃 玻璃 相变 物态方程

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用于熔盐高硅硼玻璃隔膜银/氯化银参比电极研究 被引量：4

11

作者 贾艳虹 何辉 +1 位作者 林如山 唐洪彬 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2015年第3期60-63,共4页

研究了可用于高温熔盐电解精炼的高硅硼(Pyrex)玻璃隔膜银/氯化银(Ag/AgCl)参比电极。对参比电极的性能进行了评价:活化温度对活化时间影响大;温度可逆性和极化可逆性均良好;稳定性良好,但受氯化银离子浓度、温度及光线的影响;重现性好... 研究了可用于高温熔盐电解精炼的高硅硼(Pyrex)玻璃隔膜银/氯化银(Ag/AgCl)参比电极。对参比电极的性能进行了评价:活化温度对活化时间影响大;温度可逆性和极化可逆性均良好;稳定性良好,但受氯化银离子浓度、温度及光线的影响;重现性好,但要注意使用温度范围。 展开更多

关键词 高温熔盐 参比电极 高硅硼玻璃 银/氯化银

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