Janusβ-Te_(2)S单层缺陷的第一性原理研究

1

作者 余航 钱国林 +1 位作者 柳琼 谢泉 《功能材料》 北大核心 2025年第5期5120-5127,共8页

Janusβ-Te_(2)S被预测为一种可运用在光电领域的新型二维材料。采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,系统研究了单空位、双空位和Stone Wale(SW)缺陷对Janusβ-Te_(2)S单层电子结构和光学性质的影响。研究表明,β-Te_(2)S中不同类型... Janusβ-Te_(2)S被预测为一种可运用在光电领域的新型二维材料。采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,系统研究了单空位、双空位和Stone Wale(SW)缺陷对Janusβ-Te_(2)S单层电子结构和光学性质的影响。研究表明,β-Te_(2)S中不同类型缺陷的形成能为0.45~1.12 eV,总体低于相似结构二维材料中对应的缺陷形成能,这表明实验条件下β-Te_(2)S更易产生缺陷结构。缺陷形成后,β-Te_(2)S发生不同程度的结构畸变,其能带结构中出现与缺陷类型相关的局域能级,局域能级的孤立性则进一步受缺陷浓度影响。其中,含有一种SW缺陷的β-Te_(2)S在不引入局域能级的情况下,由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体。此外,缺陷结构还对β-Te_(2)S的光吸收性能产生了显著影响。缺陷不同程度上减小了β-Te_(2)S在紫外光波段的光吸收峰值,部分类型缺陷使其在极紫外光和可见光波段产生了新的吸收峰。研究为β-Te_(2)S的实验制备给予了理论支持,并为其利用缺陷工程设计光电子器件提供了参考。 展开更多

关键词 β-Te_(2)S 缺陷 能带结构 光学性质

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Rb吸附石墨烯纳米带电子性质和光学性质的研究 被引量：2

2

作者 王伟华 罗杰 周嘉旭 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第2期80-86,共7页

本文基于密度泛函理论的第一性原理方法了计算了Rb、O和H吸附石墨烯纳米带的差分电荷密度、能带结构、分波态密度和介电函数,调制了石墨烯纳米带的电子性质和光学性质,给出了不同杂质影响材料光学特性的规律.结果表明本征石墨烯纳米带为... 本文基于密度泛函理论的第一性原理方法了计算了Rb、O和H吸附石墨烯纳米带的差分电荷密度、能带结构、分波态密度和介电函数,调制了石墨烯纳米带的电子性质和光学性质,给出了不同杂质影响材料光学特性的规律.结果表明本征石墨烯纳米带为n型直接带隙半导体且带隙值为0.639 eV;Rb原子吸附石墨烯纳米带之后变为n型简并直接带隙半导体,带隙值为0.494 eV;Rb和O吸附石墨烯纳米带变为p型简并直接带隙半导体,带隙值增加为0.996 eV;增加H吸附石墨烯纳米带后,半导体类型变为n型直接带隙半导体,且带隙变为0.299 eV,带隙值相对减小,更有利于半导体发光器件制备.吸附Rb、O和H原子后,石墨烯纳米带中电荷密度发生转移,导致C、Rb、O和H之间成键作用显著.吸附Rb之后,在费米能级附近由C-2p、Rb-5s贡献;增加O原子吸附之后,O-2p在费米能级附近贡献非常活跃,C-2p、Rb-5s和O-2p电子态之间强烈的杂化效应,促使费米能级附近的杂质能级分裂成能带;再增加H原子吸附之后,Rb-4p贡献发生蓝移,O-2p在费米能级附近贡献非常强,费米能级分裂出两条能带.Rb、O和H的吸附后,明显调制了石墨烯纳米带的光学性质. 展开更多

关键词 石墨烯纳米带 能带结构 光学性质 分波态密度 第一性原理

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Ge_(1-x-y)Si_(x)Sn_(y)合金能带结构和光学性质的理论研究

3

作者 顾永顺 温淑敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第12期2131-2140,共10页

SiGeSn合金材料具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命,能够与互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容,并具有独特的光学性质和较高的热力学稳定性,是一类在光电子领域极具应用潜力的半导体材料。本文构建了总原子个数为144,Si、Sn原子个数... SiGeSn合金材料具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命,能够与互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容,并具有独特的光学性质和较高的热力学稳定性,是一类在光电子领域极具应用潜力的半导体材料。本文构建了总原子个数为144,Si、Sn原子个数比接近3.7∶1的八种模型,采用密度泛函理论下的广义梯度近似GGA+U方法计算了电子结构及光学性质。结果表明,Si、Sn浓度较高的GeSiSn合金的结合能相对较高,稳定性相对较好。随着Si、Sn浓度的增加,GeSiSn合金的带隙减小,介电函数虚部峰向低能方向移动,静态介电常数减小,吸收光谱在可见光和近红外区域内发生变化,反射率在紫外波段范围内提高,折射率降低,消光系数向紫外区域移动,光电导率向紫外区域延伸。该结果为GeSiSn合金材料在光电材料和器件方面的应用提供了一定参考。 展开更多

关键词 SiGeSn 能带结构 光学性质 第一性原理 GGA+U

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二硫化钼性能及应用研究进展 被引量：11

4

作者 李晶 王宇晴 +2 位作者 刘东新 何凯 路琳 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期471-478,共8页

二硫化钼(MoS_(2))具有特殊层状结构和特有的性质,被广泛应用于电子器件、催化剂、生物医疗等领域。文中论述了MoS_(2)的润滑性能、光电性能、催化降解性能,介绍了MoS_(2)在锂离子电池、超级电容器、生物医疗、生物传感器、光催化等领... 二硫化钼(MoS_(2))具有特殊层状结构和特有的性质,被广泛应用于电子器件、催化剂、生物医疗等领域。文中论述了MoS_(2)的润滑性能、光电性能、催化降解性能,介绍了MoS_(2)在锂离子电池、超级电容器、生物医疗、生物传感器、光催化等领域的应用研究现状,结合研究背景和发展现状提出了MoS_(2)未来的发展趋势。 展开更多

关键词 二硫化钼 光电性能 层状结构 能带结构 光催化降解性能

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ITO薄膜的光学和电学性质及其应用 被引量：32

5

作者 马勇 孔春阳 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期114-117,共4页

介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为～ 10 -4Ωcm ,是... 介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为～ 10 -4Ωcm ,是高度简并半导体 ,其能带为抛物线型结构。由于Burstein -Moss效应 ,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收 ,Drude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好 ,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。 展开更多

关键词 ITO薄膜 结构 能带 电学性质 氧化铟锡薄膜 光学性质

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硅锗酞菁聚合物的电子结构 被引量：3

6

作者 黄元河 孙晓丽 +1 位作者 李玉学 刘若庄 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期880-883,共4页

在自洽场晶体轨道法全略微分重叠（SCF CNDO／2－CO）水平上对氧桥和硫桥一维链硅锗酞菁聚合物的能带结构和电子特性进行了研究，探讨了堆积酞菁环间交错角以及中心原子和桥原子的变化对电子特性的影响．计算结果表明，除前线带宽外，... 在自洽场晶体轨道法全略微分重叠（SCF CNDO／2－CO）水平上对氧桥和硫桥一维链硅锗酞菁聚合物的能带结构和电子特性进行了研究，探讨了堆积酞菁环间交错角以及中心原子和桥原子的变化对电子特性的影响．计算结果表明，除前线带宽外，交错角变化对所研究的聚酞菁电子特性影响不大．晶体轨道分析表明，氧桥聚酞菁电荷载流子主要通过垂直酞菁环π轨道的纵向重叠导电通路流动，而硫桥聚酞菁导带电子还可经中心原子和桥原子的d轨道重叠通路迁移． 展开更多

关键词 硅锗酞菁聚合物 电子结构 自洽场晶体轨道法 能带结构 电子特性

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β-Ga_2O_3掺Al的电子结构与能带特性研究 被引量：3

7

作者 郑树文 范广涵 皮辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期12102-12107,共6页

采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分... 采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分别为0.452eV(直接)和0.373eV(间接)。当增大Al的掺杂量,AlxGa2-xO3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。 展开更多

关键词 第一性原理 β-Ga2O3 AL掺杂 电子结构 能带特性

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含有五元环-七元环缺陷的单壁纳米碳管的能带结构分析 被引量：2

8

作者 戴剑锋 戴彤 王伟 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2008年第2期164-168,共5页

运用第一性原理的计算方法结合非平衡格林函数(NEGF)和密度泛函理论(DFT)计算带有五元环-七元环拓扑缺陷对的单壁纳米碳管(SWNTs)的输运性质,同时计算(7,0)-(8,0)和(8,0)-(9,0)两种不同类型的纳米碳管异质结的能带结构并比较其与理想(7... 运用第一性原理的计算方法结合非平衡格林函数(NEGF)和密度泛函理论(DFT)计算带有五元环-七元环拓扑缺陷对的单壁纳米碳管(SWNTs)的输运性质,同时计算(7,0)-(8,0)和(8,0)-(9,0)两种不同类型的纳米碳管异质结的能带结构并比较其与理想(7,0)、(8,0)、(9,0)碳管的不同.结果表明:五元环-七元环拓扑缺陷对碳管在费米能级附近的输运特性有着很大的影响;不同类型的碳管的连接方式对碳管输运性质的影响也有明显的差异. 展开更多

关键词 纳米碳管 输运性质 能带结构 异质结

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TiO_2/SiO_2及其表面改性光催化剂的分子级分散结构与吸光特性 被引量：3

9

作者 桑丽霞 钟顺和 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期37-42,共6页

以氯化醇钛盐表面反应法制备系列TiO2/SiO2,根据化学分析、XRD、Raman、XPS和DRS表征分析,载体表面具有分子级分散的锐钛矿型TiO2微晶粒子和非晶TiOx物种。与本体TiO2相比,系列TiO2/SiO2的吸收带边显著蓝移,能隙相应增大;随Ti物种载量... 以氯化醇钛盐表面反应法制备系列TiO2/SiO2,根据化学分析、XRD、Raman、XPS和DRS表征分析,载体表面具有分子级分散的锐钛矿型TiO2微晶粒子和非晶TiOx物种。与本体TiO2相比,系列TiO2/SiO2的吸收带边显著蓝移,能隙相应增大;随Ti物种载量的增加,TiOx物种的配位数增加,能隙相对减小。当金属M(M:Pd,Cu,Ni)负载于TiO2/SiO2表面,可使其光吸收域扩展到可见光区,并引起吸收带边红移,这取决于金属与界面的相互作用。当金属氧化物MoO3负载于TiO2/SiO2上时,可以调变TiO2/SiO2的吸收带边并增强对可见光的吸收;随MoO3载量的增加,表面物种的相互作用增强,形成一定复合结构并相应改变了其吸光特性。 展开更多

关键词 TIO2/SIO2 分子级分散 能隙 表面改性 吸光特性

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疏水蛋白吸附碳纳米管的分子动力学模拟 被引量：1

10

作者 刘英哲 蔡文生 邵学广 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2013-2018,共6页

采用分子动力学方法模拟了水溶液中Ⅱ型疏水蛋白HFBI在单壁碳纳米管(SWNTs)表面的吸附过程,考察了3种不同的HFBI初始取向,并计算了结合自由能,从累计240 ns的模拟轨迹中得到了不同的吸附结构.结果表明,当HFBI完全通过疏水面与SWNTs作用... 采用分子动力学方法模拟了水溶液中Ⅱ型疏水蛋白HFBI在单壁碳纳米管(SWNTs)表面的吸附过程,考察了3种不同的HFBI初始取向,并计算了结合自由能,从累计240 ns的模拟轨迹中得到了不同的吸附结构.结果表明,当HFBI完全通过疏水面与SWNTs作用时,其结合自由能最有利吸附,且吸附最稳定.另外,由于HFBI含有4个二硫键,因此吸附过程几乎不改变其二级结构. 展开更多

关键词 结构性质 结合自由能 取向 吸附模式

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O/N替代掺杂对zigzag型硼氮窄纳米带能带及输运特性的影响

11

作者 陈余行 张朝民 +1 位作者 吴建宝 林琦 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第3期567-572,共6页

用第一性原理非平衡格林函数方法研究了O原子掺杂zigzag型硼氮窄纳米带(z-BNNNRs)的能带结构和电子输运特性.研究结果表明:O原子对N原子的替代掺杂使z-BNNNRs的能带结构出现明显变化,体系由半导体转变为金属;O掺杂明显地改变了z-BNNNRs... 用第一性原理非平衡格林函数方法研究了O原子掺杂zigzag型硼氮窄纳米带(z-BNNNRs)的能带结构和电子输运特性.研究结果表明:O原子对N原子的替代掺杂使z-BNNNRs的能带结构出现明显变化,体系由半导体转变为金属;O掺杂明显地改变了z-BNNNRs体系的导电性能,在一定的偏压范围内产生明显的负微分电阻(NDR)现象,边缘掺杂比中间掺杂产生更大的负微分电导,进一步的输运性质计算给出的透射谱也印证了这一点.随着掺杂浓度的增加,负微分电导的极值也随之增大. 展开更多

关键词 硼氮纳米带 氧掺杂 能带结构 输运性质 负微分电阻

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LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究

12

作者 孟庆波 武志坚 张思远 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期429-432,共4页

用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带程序计算了ＬａＸ（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）晶体的能带结构，得到的晶体能隙分别为ＬａＮ２．３０ｅＶ，ＬａＰ２．０５ｅＶ，ＬａＡｓ１．６６ｅＶ，ＬａＳｂ１．３４ｅＶ，与实验结果基本相符．利用价电子总... 用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带程序计算了ＬａＸ（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）晶体的能带结构，得到的晶体能隙分别为ＬａＮ２．３０ｅＶ，ＬａＰ２．０５ｅＶ，ＬａＡｓ１．６６ｅＶ，ＬａＳｂ１．３４ｅＶ，与实验结果基本相符．利用价电子总数在阴阳离子上的分配数之比，给出计算晶体化学键性质的经验关系式，根据该式计算晶体化学键的共价性与文献结果非常吻合。 展开更多

关键词 能带结构 化学键 氮化镧 磷化镧 砷化镧 锑化镧

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Ag吸附对MgF_2表面结构稳定性及光学性能的影响

13

作者 王丽平 韩培德 张竹霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期636-641,647,共7页

基于密度泛函理论,对Ag在MgF2低指数表面(100)面、(001)面、(110)面的吸附行为及吸附机理进行分析,并研究了吸附对体系结构稳定性及光学性能的影响。结果表明:Ag在MgF2表面的吸附为稳定的化学吸附,在(100)面、(001)面、(110)面的最佳吸... 基于密度泛函理论,对Ag在MgF2低指数表面(100)面、(001)面、(110)面的吸附行为及吸附机理进行分析,并研究了吸附对体系结构稳定性及光学性能的影响。结果表明:Ag在MgF2表面的吸附为稳定的化学吸附,在(100)面、(001)面、(110)面的最佳吸附位分别为最外层F的四重穴位、短桥位、长桥位;吸附机理主要表现为Ag与附近F的共价键作用。吸附Ag后,MgF2表面稳定性增加,稳定性顺序由吸附前的(001)<(100)<(110),变为吸附后的(100)<(110)<(001)。在300 nm到1000 nm波段,MgF2(100)面、(001)面吸附Ag体系,折射率实部较吸附前减小。 展开更多

关键词 MGF2 结构稳定性 表面能 吸附 光学性质 密度泛函

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(110)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响 被引量：3

14

作者 岑伟富 杨吟野 +3 位作者 范梦慧 姚娟 杨文帮 黄金保 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1038-1043,共6页

采用第一性原理贋势平面波方法对（110）应变下立方相Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）能带结构、光学性质的影响.计算结果表明：在92%～100%压应变范围内随着应... 采用第一性原理贋势平面波方法对（110）应变下立方相Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）能带结构、光学性质的影响.计算结果表明：在92%～100%压应变范围内随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙呈线性逐渐减小,但始终为直接带隙;在100%～102%张应变范围内随着应变的增加,带隙呈逐渐增大,应变达到102%直接带隙最大Eg=0.54378 e V;在102%～104%应变范围内随着应变的增加,带隙逐渐减小;当应变大于104%带隙变为间接带隙且带隙随着应变增大而减小.施加应变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的介电常数、折射率均增大;施加压应变吸收系数增加,反射率减小;施加张应变吸收系数减小,反射率增加.综上所述,应变可以改变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的电子结构和光学常数,是调节Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）光电传输性能的有效手段. 展开更多

关键词 应变 光学性质 能带结构 第一性原理 Ca2P0.25Si0.75

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金红石二氧化钛纳米片的性质及其光催化活性 被引量：3

15

作者 赵丹丹 于彦龙 +1 位作者 高东子 曹亚安 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期1-6,共6页

采用溶胶–凝胶、质子交换和层状剥离的方法,制备出金红石TiO_2纳米片。利用X射线电子衍射谱(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外–可见吸收光谱(UV-Vis)、X光电子能谱(XPS)的价带谱和荧光光谱(PL)等对样品进行了表征,研究了光生载流子的... 采用溶胶–凝胶、质子交换和层状剥离的方法,制备出金红石TiO_2纳米片。利用X射线电子衍射谱(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外–可见吸收光谱(UV-Vis)、X光电子能谱(XPS)的价带谱和荧光光谱(PL)等对样品进行了表征,研究了光生载流子的转移过程。结果证明:金红石TiO_2纳米片具有较大的比表面积(185.7 m2/g),厚度约5 nm,与金红石TiO_2样品相比,金红石TiO_2纳米片的禁带宽度增加,氧化还原能力增强;此外,纳米片结构能够促使光生载流子快速转移到纳米片的表面并产生有效分离,阻止了光生电子和空穴的复合,提高了光催化反应中光生载流子的利用率。金红石纳米片的这些特性导致其具有较高的光催化活性,紫外光催化降解对氯苯酚的实验表明:金红石TiO_2纳米片的光催化活性高于金红石TiO_2和锐钛矿TiO_2样品。 展开更多

关键词 金红石TiO2纳米片 比表面积 能带结构 光生载流子 光催化活性

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金属-氢系统的第一性原理计算研究进展 被引量：2

16

作者 张苗 王继伟 +2 位作者 宗影影 郭斌 单德彬 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1-10,共10页

金属-氢系统的研究是材料领域中非常重要的一个研究方向,对其进行深入系统的研究对于解决氢脆问题、明确过渡金属催化氢机理、发展储氢材料及热氢处理技术都具有重要作用.为明确金属-氢相互作用的微观机理,本文综述了基于第一性原理的金... 金属-氢系统的研究是材料领域中非常重要的一个研究方向,对其进行深入系统的研究对于解决氢脆问题、明确过渡金属催化氢机理、发展储氢材料及热氢处理技术都具有重要作用.为明确金属-氢相互作用的微观机理,本文综述了基于第一性原理的金属-氢系统的研究现状,阐述了氢对金属的晶体结构、电子结构、力学性质的影响及其氢在金属表面及内部的吸附、扩散行为,指出了现有研究的局限性,并展望了未来第一性原理在金属-氢系统研究领域中的发展方向. 展开更多

关键词 金属-氢 第一性原理 晶体结构 溶解热 力学性质 扩散 吸附

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(100)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)光电特性的影响 被引量：1

17

作者 岑伟富 杨吟野 +2 位作者 范梦慧 杨文帮 姚娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期707-713,共7页

采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理赝势平面波方法对（100）应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算。计算结果表明：在90%~100%的压应变范围,立方相Ca2P0.25Si0.75的带隙随着压应变增加逐渐减小;在100%~... 采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理赝势平面波方法对（100）应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算。计算结果表明：在90%~100%的压应变范围,立方相Ca2P0.25Si0.75的带隙随着压应变增加逐渐减小;在100%~102%张应变范围,带隙随着张应变增加逐渐增大,张应变为102%时,带隙达到最大,Eg=0.513 9 eV;当张应变大于102%,立方相Ca2P0.25Si0.75转化为间接带隙半导体。在102%~120%应变范围,带隙随着应变增大而减小。当施加应变后立方相Ca2P0.25Si0.75的光学性质发生显著变化：增加压应变,立方相Ca2P0.25Si0.75的介电常数、折射率及吸收系数逐渐增加;增加张应变,反射率增加。因此,采用（100）应变可调制立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构和光学常数,是一种有效调节其光电传输性能的手段。 展开更多

关键词 Ca2P0 25Si0 75 能带结构 光学性质 应变 第一性原理

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(001)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响 被引量：1

18

作者 岑伟富 杨吟野 +2 位作者 范梦慧 杨文帮 姚娟 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期112-117,共6页

为了研究(001)应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响,采用第一性原理贋势平面波方法对(001)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算.计算结果表明:晶格(001)面发生100%~116%张应变时,带隙随着应... 为了研究(001)应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响,采用第一性原理贋势平面波方法对(001)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算.计算结果表明:晶格(001)面发生100%~116%张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生88%~100%压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;84%~88%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小.当施加应变后光学性质发生显著的变化:随着压应变的增加,静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则增大.施加压应变反射向高能方向偏移,施加张应变反射向低能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著.施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反.综上所述,(001)应变改变了Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段. 展开更多

关键词 应变 能带结构 光学性质 第一性原理 Ca2P0.25Si0.75

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第一性原理研究Zr掺杂(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3电子结构及介电性能 被引量：1

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作者 赵淑令 沈光先 《贵州师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2017年第4期109-114,共6页

采用基于密度泛函理论广义梯度近似方法,首先对BaTiO_3与(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3进行几何优化,计算出相应晶体结构并与实验值对照,确定方法的可行性,运用该方法研究Zr掺杂(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3晶格参数、电子结构及光学性质,进一步... 采用基于密度泛函理论广义梯度近似方法,首先对BaTiO_3与(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3进行几何优化,计算出相应晶体结构并与实验值对照,确定方法的可行性,运用该方法研究Zr掺杂(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3晶格参数、电子结构及光学性质,进一步对比分析掺杂前后介电函数的变化情况。计算结果表明:所选取的方法计算结果与实验值符合较好,计算得到Zr掺杂(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3晶体为四方相结构,与纯的BaTiO_3相比,对称性降低,介电函数峰值降低。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 第一性原理 电子结构 光学性质

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掺杂硫化铅体系的电子性质研究

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作者 刘鹏 李炜 马娟娟 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2015年第1期26-31,共6页

基于密度泛函理论和广义梯度近似,对掺杂Pb S体系进行了电子性质的第一性原理计算.首先,对恒定掺杂浓度(6.25%)时3种替换杂质(Cd、Sn、Sb)不同掺杂位置的形成能进行比较分析,得到了最稳定的掺杂结构.然后,计算不同掺杂体系的能带结构,... 基于密度泛函理论和广义梯度近似,对掺杂Pb S体系进行了电子性质的第一性原理计算.首先,对恒定掺杂浓度(6.25%)时3种替换杂质(Cd、Sn、Sb)不同掺杂位置的形成能进行比较分析,得到了最稳定的掺杂结构.然后,计算不同掺杂体系的能带结构,能带结构发生了平移,带隙随掺杂原子序数单调递减.最后,研究掺杂前后光学性质,光学性质的显著变化出现在Sb掺杂的Pb S体系中,主要包括介电光谱下杂质峰的出现、相关红移现象以及掺杂后吸收谱能带边缘的拓展.同时,Cd掺杂Pb S介电光谱的反射峰最小. 展开更多

关键词 掺杂PbS 形成能 能带结构 光学性质

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