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电缆局部放电超声检测用高灵敏度柔性PZT压电超声传感器
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作者 颜育 姚露露 +3 位作者 吴明 刘泳斌 高景晖 钟力生 《高电压技术》 北大核心 2025年第7期3225-3233,共9页
传统压电陶瓷超声传感器检测电缆局部放电时存在声学界面失配现象,局部放电超声信号在传播过程中严重衰减,因此传统压电陶瓷超声传感器无法高灵敏度地检测电缆局部放电。针对该现象,根据声阻抗匹配原则与电磁屏蔽需求设计制备了一种基... 传统压电陶瓷超声传感器检测电缆局部放电时存在声学界面失配现象,局部放电超声信号在传播过程中严重衰减,因此传统压电陶瓷超声传感器无法高灵敏度地检测电缆局部放电。针对该现象,根据声阻抗匹配原则与电磁屏蔽需求设计制备了一种基于锆钛酸铅(Pb(Zr_(0.52),Ti_(0.48))O_(3),PZT)压电薄膜的柔性超声传感器;研究了不同极化方式对柔性传感器灵敏度的影响,测试了封装后柔性传感器的电磁屏蔽性能、灵敏度曲线以及方向敏感性;在此基础上,开展了基于柔性传感器的真型电缆气隙模型的局部放电超声信号检测实验。结果表明:该文设计制备的柔性传感器具有良好的电磁屏蔽性能,且不具有方向敏感性,在30~200 kHz范围内的灵敏度平均值与峰值分别为51.8 dB与53.8 dB;在真型电缆的气隙放电超声检测中,柔性传感器的检测灵敏度为传统压电陶瓷超声传感器的1.57倍。 展开更多
关键词 电力电缆 局部放电 超声检测 柔性pzt压电超声传感器 pzt薄膜
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多层PZT陶瓷自热温度影响因素分析
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作者 宜亚丽 旷庆文 +4 位作者 陈美宇 秦越 韩雪艳 褚祥诚 金贺荣 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期121-128,共8页
多层PZT陶瓷作为压电驱动器的核心组件,其压电性能受自热温度影响,在高交变电压作用下易发生失效。该文从交变电压特性、陶瓷多层结构角度对PZT陶瓷自热温度作用规律展开研究。首先基于扫描电镜下陶瓷断面结构形貌,建立了多层PZT陶瓷细... 多层PZT陶瓷作为压电驱动器的核心组件,其压电性能受自热温度影响,在高交变电压作用下易发生失效。该文从交变电压特性、陶瓷多层结构角度对PZT陶瓷自热温度作用规律展开研究。首先基于扫描电镜下陶瓷断面结构形貌,建立了多层PZT陶瓷细观结构仿真模型;然后搭建了温度测量实验平台,开展陶瓷表面自热温度测量实验进行验证;最后分析了交变电压幅值、频率特性和陶瓷压电层、死层厚度对陶瓷表面自热温度的作用机理。结果表明,陶瓷表面自热温度与交变电压幅值、频率呈近似线性增长;自热温度极值分布在陶瓷表面中心区域和边缘区域,温度差值小于3℃;压电层越厚,陶瓷表面自热温度越低;表面自热温度随死层厚度的增加呈先降后增趋势,且在死层厚度约300μm时达到最低值。该结论为多层PZT陶瓷自热温度调控与工程应用提供了理论依据和实验基础。 展开更多
关键词 自热温度 交变电压 多层结构 热模拟 pzt陶瓷
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PZT陶瓷的低温烧结研究进展
3
作者 姜昆 李乐天 +4 位作者 郑木鹏 胡永明 潘勤学 吴超峰 王轲 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期627-638,共12页
Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其... Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其电学性能。此外,压电叠层器件的迅速发展还进一步要求PZT陶瓷能与成本较低的金属电极在低温下进行共烧。针对上述问题,研究人员对PZT压电陶瓷的低温烧结进行了深入研究,将PZT陶瓷的烧结温度降低至1000℃以下。本文从PZT陶瓷的结构特点、物理性能出发,对低温烧结技术在PZT陶瓷领域的研究现状进行了综述,基于低温烧结原理介绍了特种烧结技术(放电等离子体烧结、热压烧结和冷烧结)和引入助烧剂(形成固溶体、液相烧结和过渡液相烧结)的低温烧结现状,系统总结了上述烧结技术对PZT压电陶瓷微观结构和电学性能的影响规律。针对引入助烧剂导致电学性能劣化的问题及可能的解决途径进行了探讨,并对PZT陶瓷低温烧结技术的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 pzt 低温烧结 压电陶瓷 钙钛矿 综述
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热超声键合PZT阻抗和功率动态特性研究 被引量:8
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作者 隆志力 吴运新 +1 位作者 韩雷 钟掘 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期396-400,共5页
鉴于热超声芯片封装工艺的键合点空间高度局部化和时间瞬态性等特点,通过分析系统前端PZT阻抗和功率的动态变化规律,研究了芯片金球凸点与基板的键合过程及键合质量。结果表明:对于恒压源的键合系统,PZT换能器电流、阻抗及功率信号可表... 鉴于热超声芯片封装工艺的键合点空间高度局部化和时间瞬态性等特点,通过分析系统前端PZT阻抗和功率的动态变化规律,研究了芯片金球凸点与基板的键合过程及键合质量。结果表明:对于恒压源的键合系统,PZT换能器电流、阻抗及功率信号可表征键合过程的动态变化,且可将金球凸点与基板键合过程分为初始、平稳、结束三个阶段;键合环境的变化反映在PZT阻抗和功率变化之中,且PZT阻抗和功率与键合强度存在直接关系。试验及分析表明,PZT换能器阻抗和功率变化反映了金球凸点与基板键合过程及键合质量的差别,可用以分析整个键合系统。 展开更多
关键词 pzt阻抗特性 pzt功率特性 键合过程 键合质量 热超声键合工艺
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纳米PZT粉体制备及PZT/水泥基复合材料压电性能 被引量:4
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作者 魏雪 罗健林 +3 位作者 李秋义 张帅 王彬彬 李璐 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第4期707-712,共6页
采用溶胶-凝胶法,结合正交试验设计,研究了不同反应条件((CH3COO)2Pb浓度、pH值、反应时间和煅烧温度)对PZT粉体结晶程度和晶粒大小的影响。用压制成型法制备出PZT压电陶瓷和PZT/硫铝酸盐水泥基复合材料。用正交极差与方差法分析了反应... 采用溶胶-凝胶法,结合正交试验设计,研究了不同反应条件((CH3COO)2Pb浓度、pH值、反应时间和煅烧温度)对PZT粉体结晶程度和晶粒大小的影响。用压制成型法制备出PZT压电陶瓷和PZT/硫铝酸盐水泥基复合材料。用正交极差与方差法分析了反应条件对PZT粉体物相与粒度及陶瓷片和复合材料的压电与介电性能的影响,得出粉体最佳制备工艺。结果显示:最佳反应条件为(CH3COO)2Pb浓度为15%,pH=5.0,反应时间2h,煅烧温度600℃;煅烧温度对陶瓷片及复合材料的压电与介电性能影响最显著;相应陶瓷片压电常数d33、相对介电常数εr分别为38.5pC/N、1.3;而复合材料的d33、εr分别为4.4pC/N、29.4,数值偏低可能是水泥水化不充分,结构不致密所致。 展开更多
关键词 纳米级pzt粉体 溶胶-凝胶法 pzt压电陶瓷 水泥基压电复合材料 正交试验 压电性能
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热释电探测器PZT晶片制备工艺研究 被引量:2
6
作者 黄江平 王羽 +3 位作者 袁俊 王学森 郭雨航 余瑞云 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第6期368-372,共5页
介绍了热释电探测器PZT晶片制备工艺及选择锆钛酸铅(PZT)陶瓷材料制作敏感元的理论依据,阐述了晶片磨抛理论,对磨抛质量影响因素进行了细致分析。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果,并进行了扫描电镜和表面粗糙度分析,得到了抛光后... 介绍了热释电探测器PZT晶片制备工艺及选择锆钛酸铅(PZT)陶瓷材料制作敏感元的理论依据,阐述了晶片磨抛理论,对磨抛质量影响因素进行了细致分析。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果,并进行了扫描电镜和表面粗糙度分析,得到了抛光后晶片表面的扫描电子显微镜(SEM)照片和晶片表面形态,确定了最佳抛光材料。通过理论和实践的结合,研制出了完全能满足器件工艺要求的热释电探测器晶片。 展开更多
关键词 热释电探测器 锆钛酸铅(pzt)材料 pzt晶片 研磨抛光
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基于PZT的故障监测技术研究 被引量:2
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作者 郭谆钦 杨拥民 杨光瑜 《兵工自动化》 2002年第5期49-51,共3页
以桥梁模型为例,利用锆钛酸铅(PZT)材料的动态响应特性,当对PZT驱动器施加一定频率的激励使被测构件产生振动的同时,采集和识别PZT传感器信号,即可实现其故障监测。该项技术的关键是,通过计算法和试验法选取驱动器的激励频率,获取正常... 以桥梁模型为例,利用锆钛酸铅(PZT)材料的动态响应特性,当对PZT驱动器施加一定频率的激励使被测构件产生振动的同时,采集和识别PZT传感器信号,即可实现其故障监测。该项技术的关键是,通过计算法和试验法选取驱动器的激励频率,获取正常及故障状态时的响应模型并建立故障识别数据库,然后用实际系统和故障识别数据库中的数据进行比较,从而确定系统是否发生故障及故障类别。 展开更多
关键词 pzt 故障监测技术 故障识别 pzt材料 固有频率 锆钛酸铅
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不同PZT复合温石棉纤维/水泥基材料压电性能 被引量:1
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作者 李璐 罗健林 +2 位作者 李秋义 孙胜伟 王旭 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期281-285,共5页
通过研究4种煅烧温度对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)粉体粒径分布及晶体结构、陶瓷片微观形貌及压电性能的影响确定PZT最优合成条件。结合超声分散技术制备PZT/温石棉纤维/水泥材料(PZTCC),并分别测试复合粉体晶体结构及经压制极化后PZTCC... 通过研究4种煅烧温度对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)粉体粒径分布及晶体结构、陶瓷片微观形貌及压电性能的影响确定PZT最优合成条件。结合超声分散技术制备PZT/温石棉纤维/水泥材料(PZTCC),并分别测试复合粉体晶体结构及经压制极化后PZTCC复合片的压电性能。800℃时PZT钙钛矿特征最明显,晶粒饱满;相应PZT陶瓷片、PZTCC复合片均具有较高压电性能,其压电常数d33分别达119.2pC/N、32.5pC/N。 展开更多
关键词 煅烧温度 Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(pzt)微/纳米粉体 溶胶-凝胶法 温石棉纤维 pzt/水泥基复合材料 压电性能
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Electrical properties of PVDF/PZT composite films prepared by direct ink writing
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作者 ZHOU Run-kai YANG Hong +4 位作者 PENG Chao-qun WANG Ri-chu ZHANG Dou FANG Guang-qiang WANG Xiao-feng 《Journal of Central South University》 2025年第1期71-81,共11页
Polyvinylidene fluoride/lead zirconate titanate(PVDF/PZT)composite films have been prepared by direct ink writing and the effect of PZT content on crystallization behavior and electrical properties of film were system... Polyvinylidene fluoride/lead zirconate titanate(PVDF/PZT)composite films have been prepared by direct ink writing and the effect of PZT content on crystallization behavior and electrical properties of film were systematically investigated.The composite films were characterized by scanning electron microscope(SEM),X-ray diffractometer(XRD),Flourier transform infrared spectroscope(FTIR)and differential scanning calorimeter(DSC).The results show that,surface modified PZT powder(PZT@PDA)is successfully coated by polydopamine(PDA),resulting in a large number of polar groups that interact with the-CF_(2)-groups in PVDF,inducing the generation of polarβphase due to hydrogen bonding formed in the interaction.Theβphase content in composite film increases with increasing PZT@PDA content,up to 28.09%as with 5 wt.%PZT@PDA.PZT@PDA plays a role of nucleating agent to promote the generation of polar phases in the film and also acts as an impurity hindering the growth of nuclei to reduce crystallinity.Moreover,the presence of PZT@PDA in interfaces provides more sites for the occurrence of interfacial polarization and thus improving the electrical properties of films.The composite film with 5 wt.%PZT@PDA possesses the highest dielectric constant(8.61)and residual polarization value(0.6803μC/cm^(2)). 展开更多
关键词 polyvinylidene fluoride(PVDF) lead zirconate titanate(pzt) direct ink writing crystallization behaviour electrical properties
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PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响 被引量:8
10
作者 吕纯 吴智 +2 位作者 周静 沈杰 陈文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期24115-24118,共4页
采用液相旋涂法制备了Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)复合薄膜,研究了PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响。随着PZT薄膜厚度的增加,BMT/PZT复合薄膜的介电常数呈线性增加。当PZT薄膜的厚度较小时,会明... 采用液相旋涂法制备了Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)复合薄膜,研究了PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响。随着PZT薄膜厚度的增加,BMT/PZT复合薄膜的介电常数呈线性增加。当PZT薄膜的厚度较小时,会明显地增加BMT/PZT复合薄膜的介电损耗;当继续增加PZT薄膜的厚度,介电损耗反而下降直到与BMT薄膜的介电损耗值接近。这是由于PZT的介电常数与介电损耗均明显高于BMT薄膜所致,而异质界面的存在抑制了PZT薄膜中畴壁的运动,使其对复合薄膜介电损耗的影响减弱。研究结果表明,PZT薄膜的引入可以提升BMT薄膜的介电常数而对介电损耗的影响不大。 展开更多
关键词 BMT/pzt复合薄膜 pzt薄膜厚度 介电性能
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射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究 被引量:3
11
作者 毕振兴 张之圣 +2 位作者 胡明 樊攀峰 刘志刚 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期6-9,共4页
在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚... 在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料。 展开更多
关键词 pzt 直流对靶溅射 射频磁控溅射 锆钛酸铅薄膜 钙钛矿相 电滞回线 射频磁控溅射方法 pzt铁电薄膜 溅射制备 工艺研究
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基于PZT的微驱动定位系统及控制方法的研究 被引量:46
12
作者 孙立宁 孙绍云 +1 位作者 曲东升 蔡鹤皋 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第1期55-59,共5页
介绍了基于PZT驱动的一维微动工作台。该微动台采用柔性平行板铰链机构,对其进行了出力和位移关系的分析,并且进行了ANSYS的有限元分析设计,求得了系统的固有频率和最大位移。其理论分析、有限元计算和试验测试结果的对比分析的一致性... 介绍了基于PZT驱动的一维微动工作台。该微动台采用柔性平行板铰链机构,对其进行了出力和位移关系的分析,并且进行了ANSYS的有限元分析设计,求得了系统的固有频率和最大位移。其理论分析、有限元计算和试验测试结果的对比分析的一致性说明了理论分析的正确性和数值分析的可靠性。使用精密光栅进行微位移闭环检测,使用哈工大博实精密测控公司研制的压电陶瓷驱动电源。采用单神经元自适应PID控制算法对系统进行控制,单神经元具有自学习和自适应能力,而且结构简单易于计算;而传统的PID调节器也具有结构简单、调整方便和参数整定与工程指标联系密切等特点。推导了单神经元自适应PID控制器,并进行了实验,微位移为20μm时的响应时间为12ms,实验证明了该方法的有效性。 展开更多
关键词 微动工作台 平行板 pzt驱动 单神经元 自适应PID控制 定位系统 微位移机构
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PZT系多层片式压电陶瓷微驱动器位移性能研究 被引量:32
13
作者 李国荣 陈大任 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期418-424,共7页
采用陶瓷坯膜流延成型和陶瓷坯膜/金属内电极共烧技术,制作了多层片式高含铅PZT软性压电陶瓷微驱动器.该器件具有体积小、工作电压低、位移量大(38V,105μm)的特点.本文对制作的多层片式器件在直流和单向交流工作电压的作用下产... 采用陶瓷坯膜流延成型和陶瓷坯膜/金属内电极共烧技术,制作了多层片式高含铅PZT软性压电陶瓷微驱动器.该器件具有体积小、工作电压低、位移量大(38V,105μm)的特点.本文对制作的多层片式器件在直流和单向交流工作电压的作用下产生的静态和动态位移特性,从PZT压电陶瓷材料的晶体和电畴结构特点进行了分析和研究. 展开更多
关键词 压电陶瓷 微驱动器 位移 陶瓷 pzt 多层片式
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关于PZT压电陶瓷低温活化烧结的研究进展 被引量:13
14
作者 陈丰 杨世源 +2 位作者 王军霞 汪关才 黄文秀 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期26-29,共4页
从原料制备、烧结助剂、烧结工艺等方面详细介绍了促进PZT压电陶瓷低温活化烧结的方法,分析了晶体缺陷促进活化烧结的原理,并简要说明了烧结技术的发展方向。指出,在材料制备与应用的过程中,缺陷的生成对研究活化烧结工艺、降低制造成... 从原料制备、烧结助剂、烧结工艺等方面详细介绍了促进PZT压电陶瓷低温活化烧结的方法,分析了晶体缺陷促进活化烧结的原理,并简要说明了烧结技术的发展方向。指出,在材料制备与应用的过程中,缺陷的生成对研究活化烧结工艺、降低制造成本以及制备性能优良的PZT压电陶瓷都具有重要的意义。 展开更多
关键词 pzt 低温 活化烧结 压电陶瓷 缺陷
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电极对PZT铁电薄膜性能的影响 被引量:10
15
作者 王培英 余大年 +3 位作者 刘梅冬 曾亦可 饶韫华 李楚容 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第1期54-58,共5页
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜... 用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜的结构。界面层的存在使介电系数、自发极化、矫顽电压、漏电流都与薄膜的厚度有关。 展开更多
关键词 铁电薄膜 pzt铁电薄膜 界面 电滞回线 电极
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水热法制备PZT压电陶瓷粉体 被引量:16
16
作者 古映莹 戴恩斌 黄可龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期665-668,共4页
本文报道了水热法制备 P Z T 压电陶瓷粉体的研究结果, 给出了 P Z T 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系, 用 X R D、 S E M 等测试手段分析了实验结果, 表明所得到的 P Z T粉体为四方晶... 本文报道了水热法制备 P Z T 压电陶瓷粉体的研究结果, 给出了 P Z T 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系, 用 X R D、 S E M 等测试手段分析了实验结果, 表明所得到的 P Z T粉体为四方晶相钙钛矿结构, 粒子粒径为06 ~21μm , 展开更多
关键词 水热合成 pzt粉体 压电陶瓷 锆钛酸铅
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共沉淀法制备富锆PZT粉体及其烧结特性的研究 被引量:12
17
作者 郭丽 董显林 +2 位作者 向平华 孔令才 AlfredLyashchenko 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1141-1146,共6页
利用共沉淀法,以硝酸盐为原料,制备出组分均一的PZT95/5型陶瓷微粉,引入反应烧结和热压烧结的方法。经550℃热处理,1130℃热压烧结后,得到致密的PZT95/5型陶瓷材料,同时该材料具有高的击穿场强,为它在爆电换能方面的应用提供了更广阔的... 利用共沉淀法,以硝酸盐为原料,制备出组分均一的PZT95/5型陶瓷微粉,引入反应烧结和热压烧结的方法。经550℃热处理,1130℃热压烧结后,得到致密的PZT95/5型陶瓷材料,同时该材料具有高的击穿场强,为它在爆电换能方面的应用提供了更广阔的前景. 展开更多
关键词 烧结特性 共沉淀法 富锆pzt陶瓷 反应烧结 热压烧结 陶瓷粉体
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PZT铁电薄、厚膜及其制备技术研究进展 被引量:9
18
作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 徐慢 赵修建 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第10期64-67,共4页
铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用。近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的... 铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用。近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的热点。介绍了PZT铁电薄、厚膜材料与器件的研究进展以及PZT铁电薄、厚膜制备技术及几种典型的PZT铁电薄、厚膜材料制备技术的特点,并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向。 展开更多
关键词 厚膜材料 铁电 pzt 集成光学 微电子学 热释电 光电子学 器件 压电
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PZT溶胶液静电雾化雾场模拟 被引量:12
19
作者 吴有金 吴亚雷 +1 位作者 许晓慧 褚家如 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期755-760,共6页
通过对商用计算流体力学软件FLUENT进行功能扩展,实现了空气流场、空间电场和离散雾场多场耦合过程的数值模拟.由实验数据确定雾滴的滴径和电量,采用拉格朗日模型计算雾滴在重力、空气阻力、外部电场力及雾滴间相互库伦排斥力作用下的... 通过对商用计算流体力学软件FLUENT进行功能扩展,实现了空气流场、空间电场和离散雾场多场耦合过程的数值模拟.由实验数据确定雾滴的滴径和电量,采用拉格朗日模型计算雾滴在重力、空气阻力、外部电场力及雾滴间相互库伦排斥力作用下的运动轨迹,并得到雾滴的速度与其空间分布密度,由此计算雾滴在衬底上的沉积通量. 展开更多
关键词 静电雾化 pzt薄膜 带电液滴 薄膜沉积
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铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响 被引量:8
20
作者 陈亚波 张洋洋 +2 位作者 姜胜林 刘耀平 郭婷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期379-381,384,共4页
研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困... 研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时rε=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷。 展开更多
关键词 大功率压电陶瓷 pzt 相结构 低损耗 体电阻率
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