为获得性能优异的耐高温结构吸波材料,以纳米SiO_2颗粒为填料,采用有机先驱体浸渍裂解法(precursor infiltration and pyrolysis,PIP)制备SiC_f/SiC复合材料,研究填料对复合材料力学性能和高温介电性能的影响。结果表明:随着SiO_2含量从...为获得性能优异的耐高温结构吸波材料,以纳米SiO_2颗粒为填料,采用有机先驱体浸渍裂解法(precursor infiltration and pyrolysis,PIP)制备SiC_f/SiC复合材料,研究填料对复合材料力学性能和高温介电性能的影响。结果表明:随着SiO_2含量从3%(质量分数,下同)增加至15%,SiC_f/SiC复合材料的弯曲强度先增加后减小,最高可达275 MPa;低介电常数SiO_2填料的引入使得复合材料的复介电常数逐渐减小,室温吸波性能得到有效改善,15%SiO_2含量的复合材料厚度为3.2~4.0 mm时,室温反射率在整个X波段均达到–8 d B以下;复合材料的复介电常数随着温度的升高逐渐增大,而SiO_2能显著降低高温复介电常数及其增幅,700℃时15%SiO_2含量复合材料在2.7~3.0 mm厚度范围具有优异的吸波性能。展开更多
文中以α粒子探测装置的便携性和稳定性为设计目标,设计了一种基于PIPS探测器的α粒子信号提取电路。用文氏桥振荡器和串联线性稳压电路构造探测器直流偏置电路,用LM3524芯片设计脉宽调制斩波电路输出高压腔的直流高压,并对PIPS探测器...文中以α粒子探测装置的便携性和稳定性为设计目标,设计了一种基于PIPS探测器的α粒子信号提取电路。用文氏桥振荡器和串联线性稳压电路构造探测器直流偏置电路,用LM3524芯片设计脉宽调制斩波电路输出高压腔的直流高压,并对PIPS探测器输出信号的处理电路和元件参数进行优化。实验表明,该电路系统的探测器和高压腔的驱动源的纹波系数分别为0.153%和0.111%,系统总功耗326.4 m W,体积为400 cm^3,同时,信号处理电路的信噪比达到了17.34 d B。所设计的电路系统具有较好的便携性和可靠的信号输出。展开更多
文摘分析了低温预氧化过程对聚碳硅烷(PCS)先驱体结构的影响,研究了不同预氧化温度和时间下SiCf/SiC复合材料室温和高温介电性能的演变规律。结果表明:经预氧化处理后基体中的氧含量增加,生成具有低介电常数的Si CxOy相,且其含量随着预氧化温度的升高或时间的延长逐渐增加,SiC微晶和自由碳的含量均减少,因此SiCf/SiC复合材料的复介电常数明显降低,同时高温复介电常数的升高幅度显著减小。经260℃-6 h预氧化处理后,700℃时复合材料在整个X波段的反射率均达到-8 d B以下,高温吸波性能得到有效改善。
文摘为获得性能优异的耐高温结构吸波材料,以纳米SiO_2颗粒为填料,采用有机先驱体浸渍裂解法(precursor infiltration and pyrolysis,PIP)制备SiC_f/SiC复合材料,研究填料对复合材料力学性能和高温介电性能的影响。结果表明:随着SiO_2含量从3%(质量分数,下同)增加至15%,SiC_f/SiC复合材料的弯曲强度先增加后减小,最高可达275 MPa;低介电常数SiO_2填料的引入使得复合材料的复介电常数逐渐减小,室温吸波性能得到有效改善,15%SiO_2含量的复合材料厚度为3.2~4.0 mm时,室温反射率在整个X波段均达到–8 d B以下;复合材料的复介电常数随着温度的升高逐渐增大,而SiO_2能显著降低高温复介电常数及其增幅,700℃时15%SiO_2含量复合材料在2.7~3.0 mm厚度范围具有优异的吸波性能。
文摘文中以α粒子探测装置的便携性和稳定性为设计目标,设计了一种基于PIPS探测器的α粒子信号提取电路。用文氏桥振荡器和串联线性稳压电路构造探测器直流偏置电路,用LM3524芯片设计脉宽调制斩波电路输出高压腔的直流高压,并对PIPS探测器输出信号的处理电路和元件参数进行优化。实验表明,该电路系统的探测器和高压腔的驱动源的纹波系数分别为0.153%和0.111%,系统总功耗326.4 m W,体积为400 cm^3,同时,信号处理电路的信噪比达到了17.34 d B。所设计的电路系统具有较好的便携性和可靠的信号输出。
