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射频磁控共溅射制备超亲水TiO_2/SiO_2复合薄膜 被引量:3
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作者 沈杰 沃松涛 +3 位作者 蔡臻炜 崔晓莉 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期415-419,共5页
采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。所制备的SiO2 /TiO2 薄膜为锐钛矿结构。实验结果表明 :SiO2 的掺入降低了SiO2 /TiO2 复合薄膜的光催化能力 ,但却提高... 采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。所制备的SiO2 /TiO2 薄膜为锐钛矿结构。实验结果表明 :SiO2 的掺入降低了SiO2 /TiO2 复合薄膜的光催化能力 ,但却提高了薄膜的亲水性的维持时间。其中 ,掺入 6 %~ 13%SiO2 的SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,在紫外光照射 30min ,接触角降到 2° ;停止照射后 ,在 5天内接触角小于 6°。 展开更多
关键词 sio2 共溅射法 TIO2薄膜 复合薄膜 接触角 内接 锐钛矿结构 射频 实验结果 照射
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掺铂WO_3-SiO_2复合薄膜结构表征和气致变色性能研究 被引量:2
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作者 徐雪青 沈辉 胡芸菲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1726-1728,共3页
采用溶胶 凝胶法制备WO3 SiO2 复合薄膜 ,对不同温度热处理的复合薄膜及单一组分薄膜的结构和气致变色性能进行了对比分析 .XRD分析结果表明 ,复合薄膜的晶化温度提高、晶化程度降低 ,存在一定的晶格畸变 ;IR分析结果表明 ,在热处理过... 采用溶胶 凝胶法制备WO3 SiO2 复合薄膜 ,对不同温度热处理的复合薄膜及单一组分薄膜的结构和气致变色性能进行了对比分析 .XRD分析结果表明 ,复合薄膜的晶化温度提高、晶化程度降低 ,存在一定的晶格畸变 ;IR分析结果表明 ,在热处理过程中复合薄膜氧化钨分子间不易缩合 ,分子结构对称性低、变形多 .性能测试结果表明 ,在复合薄膜中 ,WO3 与SiO2 之间的相界等结构缺陷为氢气提供扩散通道 。 展开更多
关键词 复合薄膜 结构 气致变色 氧化钨 二氧化硅
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溅射共沉积GaAs-SiO_2复合薄膜的XPS研究 被引量:1
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作者 石旺舟 林揆训 林璇英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期366-367,共2页
采用X射线光电子能谱(XPS)研究了由GaAs和SiO2组成的复合靶共溅射沉积的GaAs-SiO2复合薄膜的Ga、As和Si的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明:Ga、As和Si分别主要是以GaAs和... 采用X射线光电子能谱(XPS)研究了由GaAs和SiO2组成的复合靶共溅射沉积的GaAs-SiO2复合薄膜的Ga、As和Si的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明:Ga、As和Si分别主要是以GaAs和SiO2的化学组态存在于复合薄膜之中,但当沉积时基片温度上升到一定值后(我们实验中为400℃),有部分的Ga和As被氧化,其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的SiO2中存在着少量的缺氧缺位。 展开更多
关键词 纳米 复合薄膜 砷化镓 XPS 二氧化硅 半导体
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Si/Ti原子比对TiO_2-SiO_2复合薄膜亲水性能与摩擦磨损性能的影响
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作者 王晓宏 赵青南 +3 位作者 常潇 陆文涛 董玉红 赵杰 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第4期579-586,共8页
采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研... 采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研究了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜微观结构、表面形貌、亲水性能和摩擦磨损性能。结果表明,所制备的纯TiO_2薄膜具有锐钛矿结构,其平均晶粒尺寸为11 nm,TiO_2-SiO_2复合薄膜呈现非晶结构,其粒子尺寸相对减小;随着Si/Ti原子比的增大,薄膜在可见光区的平均透过率从76. 6%增加到84. 3%。当复合薄膜中Si/Ti原子比为1∶2时,薄膜的摩擦系数为0. 11,薄膜具有最佳的亲水性能;在紫外光照射2 h后水接触角降到3. 0°;在黑暗中放置30 h后水接触角略增加到7. 7°。 展开更多
关键词 TiO2-sio2复合薄膜 Si/Ti比 亲水性能 摩擦性能 直流磁控溅射
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齐聚苯撑乙烯-二氧化硅复合膜的制备及其光电性质研究 被引量:11
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作者 汤钧 曹亚安 +3 位作者 王莹 谢腾峰 王德军 杨柏 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期698-699,共2页
The oligo phenylene vinylene(oligo PV)/SiO 2 composite film was prepared by the sol gel process. The surface photovoltage spectroscopy(SPS) and electric field induced surface photovoltage spectroscopy(EFISPS) had been... The oligo phenylene vinylene(oligo PV)/SiO 2 composite film was prepared by the sol gel process. The surface photovoltage spectroscopy(SPS) and electric field induced surface photovoltage spectroscopy(EFISPS) had been used to investigate the charge transport process in olige PV/SiO 2 heterostructured composite. The results show that the oligo PV / SiO 2 composite film not only can improve the stability of oligo PV, but also have some photoelectric activity. 展开更多
关键词 齐聚苯撑乙烯-二氧化硅复合膜 光电性质 溶胶-凝胶法 制备 光电器件 聚合物材料
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