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Optimization of large-area YBa_(2)Cu_(3)O_(7-δ)thin films by pulsed laser deposition for planar microwave devices 被引量:1
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作者 熊沛雨 陈赋聪 +8 位作者 冯中沛 杨景婷 夏钰东 袁跃峰 王旭 袁洁 吴云 石兢 金魁 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第7期186-190,共5页
This paper presents high quality YBa_(2)Cu_(3)O_(7-δ)(YBCO)thin films on LaAlO_(3)substrate for microwave devices prepared by pulsed laser deposition(PLD).The double-sided YBCO films cover a large area and have been ... This paper presents high quality YBa_(2)Cu_(3)O_(7-δ)(YBCO)thin films on LaAlO_(3)substrate for microwave devices prepared by pulsed laser deposition(PLD).The double-sided YBCO films cover a large area and have been optimized for key parameters relevant to microwave device applications,such as surface morphology and surface resistance(R_(s)).This was achieved by improving the target quality and increasing the oxygen pressure during deposition,respectively.To evaluate the suitability of the YBCO films for microwave devices,a pair of microwave filters based on microstrip fabricated on films from this work and a commercial company were compared.The results show that the YBCO films in this work could completely meet the requirements for microwave devices. 展开更多
关键词 YBCO films pulsed laser deposition(pld) surface resistance microwave devices
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Preparation of Highly Textured Bi and MnBi Films by the Pulsed Laser Deposition Method
2
作者 周栋 张银峰 +5 位作者 马小柏 刘顺荃 韩景智 朱明刚 王常生 杨金波 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第12期139-142,共4页
Textured Bi and MnBi/Bi thin films are prepared by the pulsed laser deposition method. The highly c-axis textured MnBi films are obtained by annealing the bilayer consisting of textured Bi and Mn films. The eoerciviti... Textured Bi and MnBi/Bi thin films are prepared by the pulsed laser deposition method. The highly c-axis textured MnBi films are obtained by annealing the bilayer consisting of textured Bi and Mn films. The eoercivities of the MnBi/Bi film are 1.5 T and 2.35 T at room temperature and at 373K, respectively, showing a positive temperature coefficient. Microstructural investigations show that the textured MnBi film results from the orientated growth induced by the textured Bi under-layer. 展开更多
关键词 BI Preparation of Highly Textured Bi and MnBi Films by the pulsed laser deposition Method Mn Figure pld
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Improvement of Surface Morphology of Yttrium-Stabilized Zirconia Films Deposited by Pulsed Laser Deposition on Rolling Assisted Biaxially Textured Substrate Tapes
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作者 王梦麟 刘林飞 李贻杰 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第11期101-105,共5页
The surface morphology of buffer layer yttrium-stabilized zirconia (YSZ) of YBa2CuaO7-σ (YBCO) high temperature superconducting films relies on a series of controllable experimental parameters. In this work, we f... The surface morphology of buffer layer yttrium-stabilized zirconia (YSZ) of YBa2CuaO7-σ (YBCO) high temperature superconducting films relies on a series of controllable experimental parameters. In this work, we focus on the influence of pulsed laser frequency and target crystalline type on surface morphology of YSZ films deposited by pulsed laser deposition (PLD) on rolling assisted biaxially textured substrate tapes. Usually two kinds of particles are observed in the YSZ layer: randomly distributed ones on the whole film and self-assembled ones along grain boundaries. SEM images are used to prove that particles can be partly removed when choosing dense targets of single crystalline. Lower frequency of pulsed laser also contributes to a smoother film surface. TEM images are used to view the crystalline structure of thin film. Thus we can obtain a basic understanding of how to prepare a particle-free YSZ buffer layer for YBCO in optimized conditions using PLD. The YBCO layer with nice structure and critical current density of around 5 MA/cm2 can be reached on smooth YSZ samples. 展开更多
关键词 YSZ Improvement of Surface Morphology of Yttrium-Stabilized Zirconia Films deposited by pulsed laser deposition on Rolling Assisted Biaxially Textured Substrate Tapes pld
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PLD方法制备的纳米Fe/Al薄膜的结构及应力分析 被引量:4
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作者 王锋 李俊 +3 位作者 李国俊 吴卫东 唐永健 孙卫国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1387-1390,共4页
采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等。研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度小于1 nm。等离子体发射谱(ICP)表明F... 采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等。研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度小于1 nm。等离子体发射谱(ICP)表明Fe/Al原子比为1∶1。X射线小角衍射(XRD)分析表明薄膜中的物相是Al0.5Fe0.5,Al0.5Fe0.5晶体具有简单立方结构(SC),晶格常数为0.297 nm,平均晶粒尺寸为81.74 nm,平均微畸变为0.007 6。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(pld) Fe/Al合金薄膜 原子力显微镜(AFM) X射线衍射(XRD)
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PLD制备DLC的研究进展 被引量:2
5
作者 张金平 《重庆科技学院学报(自然科学版)》 CAS 2009年第3期153-158,175,共7页
介绍了DLC薄膜优良的特性及应用,阐述了脉冲激光沉积(PLD)方法的工作原理及其优缺点,设计了制备DLC的PLD装置,分析了国内外用PLD制备DLC超硬薄膜的现状和发展方向。
关键词 脉冲激光沉积 类金刚石薄膜 超快脉冲激光
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电介质表面金属功能图案激光加工技术研究进展
6
作者 肖荣诗 魏佳硕 +1 位作者 崔梦雅 黄婷 《航空制造技术》 北大核心 2025年第1期22-35,共14页
电介质表面金属功能图案在航空航天、消费电子、柔性传感等领域的需求日益增长。激光加工作为一种无需掩膜的柔性制造技术,具有加工精度高、非接触式加工、制造效率高等优点,可以在多种电介质表面实现金属功能图案的直接制造,近年来发... 电介质表面金属功能图案在航空航天、消费电子、柔性传感等领域的需求日益增长。激光加工作为一种无需掩膜的柔性制造技术,具有加工精度高、非接触式加工、制造效率高等优点,可以在多种电介质表面实现金属功能图案的直接制造,近年来发展迅速。按照自上而下和自下而上的技术路线,分别概述激光刻蚀、选择性激光烧结、脉冲激光沉积、激光诱导化学液相沉积、激光诱导化学气相沉积、激光辅助化学镀6种激光加工技术的原理和优势,及它们在电介质表面加工金属功能图案的最新研究进展,并总结相应的技术瓶颈和未来发展趋势。 展开更多
关键词 激光加工 金属功能图案 激光刻蚀 选择性激光烧结(SLS) 脉冲激光沉积(pld) 激光诱导化学液相沉积(LCLD) 激光诱导化学气相沉积(LCVD) 激光辅助化学镀(LEP)
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PLD法制备ITO导电薄膜及其性能 被引量:2
7
作者 姚雪 谭秋林 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第2期180-186,共7页
为了研制可用于高温环境下进行应变测量的应变层,采用脉冲激光沉积(PLD)法在陶瓷基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。研究了PLD法中不同基底温度对ITO薄膜显微结构、电学性能以及阻温特性的影响。采用X射线衍射仪(XRD)测试了薄膜的晶体结构... 为了研制可用于高温环境下进行应变测量的应变层,采用脉冲激光沉积(PLD)法在陶瓷基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。研究了PLD法中不同基底温度对ITO薄膜显微结构、电学性能以及阻温特性的影响。采用X射线衍射仪(XRD)测试了薄膜的晶体结构,通过四点探针测量法测得薄膜的薄层电阻,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜进行表面形貌分析。结果发现制备的ITO薄膜呈现出体心立方(BCC)结构,且沿(222)晶面优先生长,薄膜的晶粒尺寸随着基底温度的升高而增加,ITO薄膜的电学性能受基底温度的影响显著,电阻率随着衬底温度的升高而降低。最后,搭建测试平台在25~1050℃内测试了不同基底温度下制备的ITO薄膜的电阻温度系数(TCR)。结果表明,ITO薄膜的电阻温度系数随基底温度的升高而降低,在基底温度为600℃下制备的ITO薄膜具有最小的TCR值,为-259.575×10^(-6)℃^(-1)。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(pld) 基底温度 氧化铟锡(ITO)薄膜 应变测量 电阻温度系数(TCR)
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PLD法制备透明ZnO薄膜的主要点缺陷研究
8
作者 赵志娟 丁玲红 张伟风 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期260-262,265,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷,我们用(002)ZnO单晶与ZnO薄膜作对比,并进行了霍尔测试、X线衍射(XRD)和光学透射谱等基本表征。霍尔测量得到的高的霍尔迁移率及XRD图表明,制备的ZnO... 采用脉冲激光沉积(PLD)法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷,我们用(002)ZnO单晶与ZnO薄膜作对比,并进行了霍尔测试、X线衍射(XRD)和光学透射谱等基本表征。霍尔测量得到的高的霍尔迁移率及XRD图表明,制备的ZnO薄膜结晶良好,具有沿c轴高度择优取向。同时,ZnO薄膜衍射峰相对于单晶向大角度方向发生了漂移。透射谱表明,ZnO薄膜在可见光区透过率为75%,吸收带边相对于单晶发生蓝移。各种表征手段证明PLD法制备的ZnO薄膜主要点缺陷为Zn填隙(Zni)。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(pld) 点缺陷 ZNO薄膜 ZNO单晶 Zni
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气压对PLD法在AlN/Si上外延生长的GaN性能的影响
9
作者 朱运农 王文樑 +2 位作者 杨为家 王海燕 李国强 《材料研究与应用》 CAS 2016年第1期16-21,共6页
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在AlN/Si异质结上外延生长GaN薄膜.研究了气压对GaN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜的结构性能及表面形貌等进行... 采用脉冲激光沉积(PLD)技术在AlN/Si异质结上外延生长GaN薄膜.研究了气压对GaN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜的结构性能及表面形貌等进行表征和分析.结果表明:气压在1~50mTorr范围时,GaN薄膜的表面形貌及结构性能均是先好后差;当气压在最佳值10mTorr时,外延生长的GaN薄膜质量最优,其(0002)和(1012)面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽(FWHM)分别为0.7°和0.8°;原子力显微镜测试得到GaN薄膜表面的粗糙度为1.8nm. 展开更多
关键词 气压 脉冲激光沉积 GAN
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激光在硅基底沉积类金刚石膜的光学应用 被引量:8
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作者 程勇 郭延龙 +3 位作者 王淑云 米朝伟 丁方正 万强 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期875-878,共4页
研究了氧气氛和掺硅对类金刚石(DLC)膜性能的影响机理。采用飞秒激光烧蚀石墨靶材,通过氧气氛、掺硅和离轴平移旋转等技术,在硅基底上镀制出比传统工艺透过率、硬度、附着力和稳定性等性能更优的无氢DLC膜。实验验证了随着氧气氛压强... 研究了氧气氛和掺硅对类金刚石(DLC)膜性能的影响机理。采用飞秒激光烧蚀石墨靶材,通过氧气氛、掺硅和离轴平移旋转等技术,在硅基底上镀制出比传统工艺透过率、硬度、附着力和稳定性等性能更优的无氢DLC膜。实验验证了随着氧气氛压强的增大,样片透过率先增大后减小,存在一个最佳气压(2 Pa)。并且掺硅有助于改善DLC膜的性能,掺硅量也存在一个最佳值。在3-5μm波段,正面镀DLC膜、背面镀普通增透膜的硅红外窗口的平均透过率≥91.7%,DLC膜的纳米硬度高达40-50 GPa,且通过军标规定的高温、低温、湿热、盐雾、重摩擦等环境实验,满足光学窗口工程应用的要求。 展开更多
关键词 激光沉积 类金刚石膜 硅基底 光学应用
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ZnS薄膜脉冲激光沉积及其发光特性 被引量:9
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作者 纠智先 张兵临 姚宁 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期620-624,共5页
综述了ZnS的发光机制 ,脉冲激光沉积 (PLD)制备薄膜的原理、特点 ,分析了在用PLD制备ZnS过程中各主要沉积条件对成膜质量的影响 ,展望了ZnS薄膜的应用前景。
关键词 脉冲激光沉积 ZNS薄膜 等离子体 纳米材料
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脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能 被引量:4
12
作者 彭真 阴生毅 +3 位作者 郑强 王欣欣 王宇 李阳 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第3期754-757,共4页
为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求,该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaOSc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线,并探讨了发射机制。结果表明,在1100?C工作温度下,该阴极的零场发射... 为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求,该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaOSc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线,并探讨了发射机制。结果表明,在1100?C工作温度下,该阴极的零场发射电流密度达到305.5 A/cm2;阴极表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性层是阴极获得高发射性能的主要原因。文章还利用半导体模型解释了该阴极的非正常肖特基效应。 展开更多
关键词 钪型阴极 半导体模型 脉冲激光沉积 非正常肖特基效应
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脉冲激光制备ZnO压敏电阻薄膜 被引量:8
13
作者 王豫 安承武 +1 位作者 戴星 白彦东 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第5期358-360,F004,共4页
利用脉冲激光沉积技术,在光学玻璃基片上制备了性能良好的ZnO压敏多晶薄膜,其非线性系数α≥6,压敏转折电压约为3.5V。对不同制备条件下沉积样品的XRD分析表明,形成非线性的决定因素是其中存在ZnO相,Zn7Sb2O... 利用脉冲激光沉积技术,在光学玻璃基片上制备了性能良好的ZnO压敏多晶薄膜,其非线性系数α≥6,压敏转折电压约为3.5V。对不同制备条件下沉积样品的XRD分析表明,形成非线性的决定因素是其中存在ZnO相,Zn7Sb2O12尖晶石相及富Bi相,这与体材料的结论一致。我们发现。 展开更多
关键词 压敏电阻 薄膜 脉冲激光沉积 氧化锌
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NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究 被引量:3
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作者 詹勇军 吴卫东 +3 位作者 王锋 白黎 唐永建 谌家军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期633-637,共5页
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm2,本底真空度5×10-5Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响。台阶仪分析表明:薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增... 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm2,本底真空度5×10-5Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响。台阶仪分析表明:薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加,算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol。原子力显微镜分析表明:薄膜致密而光滑,均方根粗糙度为0.553 nm。扫描电镜截面微观形貌分析表明:薄膜呈现柱状结构。X射线衍射分析表明:NaF薄膜为面心立方晶体结构,并具有显著的择优取向;当衬底温度约为400℃时,平均晶粒尺寸最大(129.6 nm),晶格微应变最小(0.225%)。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(pld) NaF薄膜 ICF靶 面心立方结构 反应激活能
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脉冲激光沉积VN/Ag复合薄膜的组织及摩擦学性能研究 被引量:2
15
作者 国洪建 贾均红 +4 位作者 张振宇 梁补女 陈文元 李博 汪建义 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期55-59,共5页
利用脉冲激光沉积技术制备了不同Ag含量的VN/Ag复合薄膜,利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、纳米力学测试系统等设备表征薄膜的组织结构、成分、表面形貌及力学性能,利用UMT-3摩擦试验机考察薄膜在室温至900℃下的摩擦学性能。结果表明... 利用脉冲激光沉积技术制备了不同Ag含量的VN/Ag复合薄膜,利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、纳米力学测试系统等设备表征薄膜的组织结构、成分、表面形貌及力学性能,利用UMT-3摩擦试验机考察薄膜在室温至900℃下的摩擦学性能。结果表明,随着Ag含量的增多,薄膜的组织形貌变差,硬度及弹性模量降低。当Ag含量为16%(原子分数)时薄膜在试验温度范围内的摩擦学性能最佳。由于Ag在低温的润滑特性及高温摩擦化学反应生成了新的润滑相,如V2O5、V6O11、V6O13、Ag3VO4、AgVO3等,使得摩擦系数随温度的升高而逐渐降低,在900℃下取得最低值0.08,实现了宽温域内的连续润滑。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 VN/Ag薄膜 摩擦学性能 润滑机理
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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS探究 被引量:3
16
作者 李庚伟 吴正龙 +1 位作者 邵素珍 刘志凯 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期255-258,263,共5页
为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分... 为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O)∶n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境. 展开更多
关键词 ZnO/N异质结构 氧离子束辅助pld X射线光电子能谱(XPS)
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铌酸盐无铅压电薄膜的脉冲激光沉积制备研究 被引量:2
17
作者 陆雷 肖定全 +2 位作者 赁敦敏 张永彬 朱建国 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期94-96,99,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了新型Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3无铅压电陶瓷薄膜,分别利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了该薄膜的晶体结构及表面形貌,分析研究了制备技术和工艺对薄膜晶体... 采用脉冲激光沉积(PLD)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了新型Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3无铅压电陶瓷薄膜,分别利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了该薄膜的晶体结构及表面形貌,分析研究了制备技术和工艺对薄膜晶体结构及表面形貌的影响。研究结果表明:薄膜的热处理温度和氧气压力对所生长的薄膜影响较大;制备Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3薄膜的最佳退火温度和氧气压力分别为650℃和30 Pa;利用脉冲激光沉积的Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3无铅压电陶瓷薄膜具有精细的表面结构。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(pld) Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3 无铅压电薄膜
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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究 被引量:5
18
作者 李庚伟 吴正龙 +2 位作者 邵素珍 张建辉 刘志凯 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期109-111,共3页
利用 X 射线衍射(XRD),X 射线摇摆曲线(XRC)和 X 射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的 ZnO/Si 异质结薄膜进行了分析。结果表明:用该法可生长出高度 c 轴单一取向 ZnO 薄膜,XRC 的半高宽度(FWHM)仅为2.918°... 利用 X 射线衍射(XRD),X 射线摇摆曲线(XRC)和 X 射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的 ZnO/Si 异质结薄膜进行了分析。结果表明:用该法可生长出高度 c 轴单一取向 ZnO 薄膜,XRC 的半高宽度(FWHM)仅为2.918°。表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的 ZnO/Si 薄膜。 展开更多
关键词 ZnO/Si 氧离子束辅助激光淀积生长 异质结薄膜 X射线摇摆曲线 X射线光电子能谱
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氧压对ZnO薄膜电阻温度系数的影响 被引量:1
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作者 周小芳 张辉 +1 位作者 李勇 张鹏翔 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第2期284-286,共3页
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在不同氧气氛下,在Si(111)衬底上生长了ZnO薄膜,使用X线衍射仪分析了ZnO薄膜的结晶质量。计算了不同氧气氛下生长的ZnO薄膜的电阻温度系数(TCR)值,发现随着氧分压降低,ZnO薄膜的TCR值增大;ZnO薄膜的TCR值最... 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在不同氧气氛下,在Si(111)衬底上生长了ZnO薄膜,使用X线衍射仪分析了ZnO薄膜的结晶质量。计算了不同氧气氛下生长的ZnO薄膜的电阻温度系数(TCR)值,发现随着氧分压降低,ZnO薄膜的TCR值增大;ZnO薄膜的TCR值最高可达-8%/K。这为研究ZnO薄膜的导电特性提供了新的途径,开辟了ZnO薄膜在室温非制冷红外微测辐射热计材料中的应用潜力。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 电阻温度系数 脉冲激光沉积(pld)
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脉冲激光沉积Al/Ag掺杂功能梯度薄膜 被引量:1
20
作者 胡少六 江超 +1 位作者 何建平 王又青 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期463-465,468,共4页
为了寻找制备梯度金属薄膜的新方法和新工艺 ,采用脉冲准分子激光扫描沉积技术 ,在Si(10 0 )单晶衬底上沉积了Al/Ag掺杂功能梯度薄膜 ,并采用SEM和XPS对制备的薄膜进行了微观分析。分析结果表明 ,运用合适的激光参数和辅助放电 ,在沉积... 为了寻找制备梯度金属薄膜的新方法和新工艺 ,采用脉冲准分子激光扫描沉积技术 ,在Si(10 0 )单晶衬底上沉积了Al/Ag掺杂功能梯度薄膜 ,并采用SEM和XPS对制备的薄膜进行了微观分析。分析结果表明 ,运用合适的激光参数和辅助放电 ,在沉积温度 30 0℃时 ,制备出了Al/Ag组分比近似为 5∶1的掺杂梯度薄膜。该实验方法说明 ,利用脉冲激光与金属掺杂靶相互作用沉积梯度金属薄膜是可行的。 展开更多
关键词 Al/Ag掺杂薄膜 脉冲激光沉积 微观分析 工艺参数
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