期刊文献+
共找到19篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Benzotriazole derivative inhibits nonradiative recombination and improves the UV-stability of inverted MAPbI_(3) perovskite solar cells
1
作者 Xiaoyu Deng Zhiyuan Cao +2 位作者 Chengbo Li Shurong Wang Feng Hao 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第2期592-599,共8页
Suppressing the nonradiative recombination in the bulk and surface of perovskite film is highly desired to improve the power conversion efficiency(PCE)and stability of halide perovskite solar cells(PSCs).In this study... Suppressing the nonradiative recombination in the bulk and surface of perovskite film is highly desired to improve the power conversion efficiency(PCE)and stability of halide perovskite solar cells(PSCs).In this study,a benzotriazole derivative(6-chloro-1-hydroxybenzotriazole,Cl-HOBT)is applied to improve the crystallinity and reduce the trap density of methylammonium lead iodide(MAPbI3)perovskite film.Meanwhile,incorporation of Cl-HOBT elongates the photoluminescence carrier lifetime and chargerecombination lifetime,implying the trap-assisted nonradiative recombination is greatly suppressed.Besides,the improved energy level alignment and enhanced built-in potential are conducive to the charge carrier separation and transfer process with Cl-HOBT.Consequently,a PCE of 20.27%and an open-circuit voltage(Voc)of 1.09 V are achieved for the inverted MAPbI3 PSCs,along with an 85%maintaining of the initial PCE under stored at relative humidity of 20%for 500 h.Furthermore,the existence of Cl-HOBT could inhibit the formation of Pb0 defect under prolonged UV illumination to retard the degradation of perovskite film.It is believed that this study paves a novel path for the realization of highefficiency PSCs with UV-stability. 展开更多
关键词 Additive engineering Charge recombination Carrier lifetime DEFECT Mobility
在线阅读 下载PDF
双芯IGCT浪涌电流鲁棒性研究 被引量:1
2
作者 鲁一苇 姚德贵 +3 位作者 董曼玲 肖超 陈涛 杨武华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期234-239,245,共7页
作为晶闸管类器件,双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT)必须具备的抗浪涌电流能力研究鲜见报道。基于多单元集成的器件仿真结构模型,揭示了Dual IGCT在浪涌电流下工作时,总电流在GCT-A部分和GCT-B部分间的分配比例会随晶格温度升高而减... 作为晶闸管类器件,双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT)必须具备的抗浪涌电流能力研究鲜见报道。基于多单元集成的器件仿真结构模型,揭示了Dual IGCT在浪涌电流下工作时,总电流在GCT-A部分和GCT-B部分间的分配比例会随晶格温度升高而减小。在此基础上,分析了寿命控制技术对Dual IGCT浪涌鲁棒性的影响。结果表明,增大GCT-B的载流子寿命可以提高器件的浪涌鲁棒性,但同时会增大器件的功耗;而在对GCT-B进行载流子寿命控制时,引入具有较大寿命对温度依赖系数的复合中心,可以有效提高Dual IGCT浪涌电流鲁棒性,同时不影响器件的其他性能。最后,提出了一种工艺成本较低的阳极短路Dual IGCT新结构,其在浪涌电流下的晶格温升与传统的Dual IGCT相比大幅减小(约150 K),呈现出极高的抗浪涌能力。 展开更多
关键词 双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT) 浪涌电流 寿命控制 复合中心 鲁棒性
在线阅读 下载PDF
受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响 被引量:3
3
作者 赵洋 王泽来 +4 位作者 张鹏 陆晓东 吴元庆 张宇峰 周涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期930-936,共7页
少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段。基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合... 少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段。基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律。研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域。 展开更多
关键词 p型单晶硅 少子寿命 电子陷阱 复合中心 杂质和缺陷密度 俘获截面
在线阅读 下载PDF
背景辐射对甚长波碲镉汞光导器件性能的影响 被引量:1
4
作者 张燕 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第6期972-975,共4页
通过对甚长波碲镉汞器件的信号、噪声、有效寿命等的测试分析,研究背景辐射对甚长波器件性能的影响。利用冷光阑和黑体照射改变器件接收的背景辐射,设计并搭建了变背景有效寿命测试装置。改变背景辐射,测试甚长波器件的电阻、信号、噪... 通过对甚长波碲镉汞器件的信号、噪声、有效寿命等的测试分析,研究背景辐射对甚长波器件性能的影响。利用冷光阑和黑体照射改变器件接收的背景辐射,设计并搭建了变背景有效寿命测试装置。改变背景辐射,测试甚长波器件的电阻、信号、噪声、噪声频谱、有效寿命。测量结果表明,增加立体角为30°的冷光阑后,随着背景辐射的减小,器件的电阻、信号、噪声、探测率等都有不同程度的增加;噪声频谱测试证明,1kHz频率处的噪声主要是产生-复合噪声;改变黑体温度的变背景的有效寿命测试结果证明,背景辐射对寿命的影响很大,背景辐射减小,光生载流子的有效寿命增加。分析甚长波器件表面和体内的S-R复合、俄歇复合、辐射复合等复合机制,利用非平衡载流子和器件有效寿命理论对器件的寿命和产生复合噪声随背景辐射的变化进行理论计算,计算结果与实验结果存在一定的差异,但在随背景辐射变化的趋势上一致,并对两者的差别进行了分析。 展开更多
关键词 背景辐射 甚长波 碲镉汞 有效寿命 表面复合
在线阅读 下载PDF
太阳能电池用多晶硅材料少数载流子寿命的测试 被引量:2
5
作者 邵铮铮 李修建 戴荣铭 《大学物理实验》 2015年第3期21-24,共4页
采用高频光电导衰退法测试了太阳能电池用p型多晶硅片的少数载流子寿命,细致分析了光注入强度对测试结果的影响。结果显示光电导衰减曲线在靠近尖峰处较宽的时间区域内并按非指数规律快速衰减,当信号衰减到一定程度后逐渐接近指数规律,... 采用高频光电导衰退法测试了太阳能电池用p型多晶硅片的少数载流子寿命,细致分析了光注入强度对测试结果的影响。结果显示光电导衰减曲线在靠近尖峰处较宽的时间区域内并按非指数规律快速衰减,当信号衰减到一定程度后逐渐接近指数规律,且随着光注入强度增大,少子寿命的测量结果显著减小。从非平衡载流子的表面复合效应和晶界复合效应出发,对导致该现象的物理机制进行深入解释。 展开更多
关键词 多晶硅 少子寿命 光电导衰退法 表面复合
在线阅读 下载PDF
叶绿体长延时(τ>5s)荧光成分产生机理的实验验证
6
作者 王锦辉 鲁怀伟 +3 位作者 范多旺 邢达 钱隆 王成龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期576-580,共5页
延迟荧光中各成分产生机理的研究对延迟荧光的应用具有重要指导意义。从电荷复合理论出发,对叶绿体光诱导延迟荧光的产生机制进行了简化的理论模拟,得出了延迟荧光的衰减动力学方程,并推断延迟荧光衰减动力学方程中的常数C为延迟荧光中... 延迟荧光中各成分产生机理的研究对延迟荧光的应用具有重要指导意义。从电荷复合理论出发,对叶绿体光诱导延迟荧光的产生机制进行了简化的理论模拟,得出了延迟荧光的衰减动力学方程,并推断延迟荧光衰减动力学方程中的常数C为延迟荧光中的更长延时成分。其产生机理是由于PSⅠ中的电子回流到PSⅡ与P680+复合产生激发态的P680*退激发产生,并从实验上成功地证明了延迟荧光的长延时(τ>5 s)成分来源的这种电子回流、复合和退激发过程。 展开更多
关键词 延迟荧光 长延时成分 电荷复合 电子回流 叶绿体
在线阅读 下载PDF
利用二次阳极氧化方法降低N型碲镉汞材料表面复合速度
7
作者 张立瑶 乔辉 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期391-394,共4页
利用微波反射光电导衰退法比较了采用一次阳极氧化和二次阳极氧化的N型碲镉汞材料的非平衡载流子寿命及其随温度的变化,通过与理论值进行比较拟合得到了碲镉汞材料表面复合速度随温度的变化曲线.结果发现,二次阳极氧化方法能够更好地降... 利用微波反射光电导衰退法比较了采用一次阳极氧化和二次阳极氧化的N型碲镉汞材料的非平衡载流子寿命及其随温度的变化,通过与理论值进行比较拟合得到了碲镉汞材料表面复合速度随温度的变化曲线.结果发现,二次阳极氧化方法能够更好地降低材料表面悬挂键的密度,同时减少抛光引入的表面缺陷能级的数量,从而降低材料的表面复合速度,改善材料的非平衡载流子寿命,利于制造出高性能的HgCdTe红外探测器. 展开更多
关键词 HGCDTE 二次氧化 少子寿命 表面复合速度
在线阅读 下载PDF
绝缘氧化物包覆对钙钛矿太阳电池性能及界面电荷复合动力学的影响 被引量:7
8
作者 周立 朱俊 +6 位作者 徐亚峰 邵志鹏 张旭辉 叶加久 黄阳 张昌能 戴松元 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1207-1213,共7页
采用浸渍法对钙钛矿太阳电池的介孔层TiO_2纳米颗粒进行了SiO_2、ZrO_2、Al_2O_3几种绝缘氧化物包覆,研究了其对电池光伏性能以及界面电荷复合动力学的影响。结果表明,SiO_2包覆之后,电池的填充因子(FF)从67.6%提高到72.3%,光电转换效... 采用浸渍法对钙钛矿太阳电池的介孔层TiO_2纳米颗粒进行了SiO_2、ZrO_2、Al_2O_3几种绝缘氧化物包覆,研究了其对电池光伏性能以及界面电荷复合动力学的影响。结果表明,SiO_2包覆之后,电池的填充因子(FF)从67.6%提高到72.3%,光电转换效率提升到13.7%,Zr O2和Al_2O_3包覆导致电池开路电压提升约50mV,但是短路电流(Jsc)和填充因子略有下降。采用纳秒时间尺度的瞬态吸收光谱技术,从时间分辨的角度分析了钙钛矿电池界面的电子和空穴的复合寿命,对电池性能的变化给出了合理的解释。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳电池 复合寿命 瞬态吸收 表面包覆 金属氧化物
在线阅读 下载PDF
新型梳状共聚物在准固态染料敏化太阳能电池中的应用及其对电子复合的影响 被引量:3
9
作者 张仁开 孙喆 +2 位作者 谢焕焕 梁茂 薛松 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1139-1145,共7页
合成了乙烯基咪唑碘盐(VImI)和聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯(PEGMA)的梳状共聚物.利用VImI/PEGMA共聚物制备了准固态聚合物电解质.通过光电流密度-电压(J-V)曲线和电导率测定以及电化学阻抗分析,探讨了基于此电解质的染料敏化太阳能电池... 合成了乙烯基咪唑碘盐(VImI)和聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯(PEGMA)的梳状共聚物.利用VImI/PEGMA共聚物制备了准固态聚合物电解质.通过光电流密度-电压(J-V)曲线和电导率测定以及电化学阻抗分析,探讨了基于此电解质的染料敏化太阳能电池的电荷传输与界面电子转移机制.结果表明,VImI/PEGMA共聚物可以有效抑制TiO2/电解质界面电子复合并提高TiO2导带能级,敏化电池的光伏性能并不完全取决于电解质的电导率.通过考察共聚物中VImI与PEGMA单元的摩尔比与开路电压的关系,发现共聚物对电子复合的抑制作用主要源于VImI链段.此外,开路电压衰减(OCVD)和瞬态光电流测试结果说明,共聚物能够提高TiO2薄膜的电子寿命,而且对陷阱电子能级的分布具有调节作用.当共聚物在电解质中的质量分数为50%,VImI与PEGMA的摩尔比为5.0时,准固态染料敏化太阳能电池于100mW·cm-2光强下获得了4.10%的光电转换效率. 展开更多
关键词 共聚物 准固态电解质 染料敏化太阳能电池 电子复合 电子寿命
在线阅读 下载PDF
载流子复合机制对InGaN多量子阱蓝光LED调制带宽的影响 被引量:3
10
作者 杨杰 朱邵歆 +2 位作者 闫建昌 李晋闽 王军喜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期202-207,共6页
通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高,且电子泄露效应更显著,所以复合速率更快,调制带宽更高。In组分为1%的InGaN量子垒LED... 通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高,且电子泄露效应更显著,所以复合速率更快,调制带宽更高。In组分为1%的InGaN量子垒LED可提高辐射复合的权重,使得调制带宽高于GaN量子垒LED;In组分为5%时,电子泄露和俄歇复合占据主导地位,且由于这两种复合机制复合速率很快,所以调制带宽显著提高。 展开更多
关键词 发光二极管(LED) 可见光通信 调制带宽 载流子寿命 复合机制
在线阅读 下载PDF
铸锭多晶硅片晶体质量差异性研究 被引量:1
11
作者 张驰 熊震 +2 位作者 陈雪 黄振飞 刘振淮 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期445-448,共4页
以铸锭多晶硅片具有质量差异性的区域为研究对象,综合分析其杂质浓度、位错密度和少子寿命间的关系。结果表明:当位错密度相近时,高浓度的金属杂质会引起少子寿命的大幅降低;而当金属杂质浓度相近时,位错浓度的升高也会引起少子寿命的... 以铸锭多晶硅片具有质量差异性的区域为研究对象,综合分析其杂质浓度、位错密度和少子寿命间的关系。结果表明:当位错密度相近时,高浓度的金属杂质会引起少子寿命的大幅降低;而当金属杂质浓度相近时,位错浓度的升高也会引起少子寿命的降低。金属杂质和位错等微缺陷作为电活性中心极大地制约了铸锭多晶硅晶体质量的提高,必须通过工艺的改善加以消除。 展开更多
关键词 杂质 位错 少子寿命 复合中心
在线阅读 下载PDF
ZnO/SnO_2核壳结构染料敏化太阳能电池性能研究 被引量:2
12
作者 赵天 陈翌庆 +1 位作者 王飞 刘超 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期29-33,共5页
文章采用水热/溶剂热法分别合成一维ZnO纳米线阵列及均匀SnO2纳米颗粒,再通过旋涂法合成了ZnO纳米线/SnO2纳米颗粒核壳复合纳米结构。在染料敏化太阳能电池(DSSCs)中,与单一结构的ZnO纳米阵列或SnO2纳米颗粒光阳极相比,所合成的新型复... 文章采用水热/溶剂热法分别合成一维ZnO纳米线阵列及均匀SnO2纳米颗粒,再通过旋涂法合成了ZnO纳米线/SnO2纳米颗粒核壳复合纳米结构。在染料敏化太阳能电池(DSSCs)中,与单一结构的ZnO纳米阵列或SnO2纳米颗粒光阳极相比,所合成的新型复合纳米结构的光阳极能有效地提高光电性能,短路电流、开路电压及转化效率分别为2.93mA/cm2、0.64V、0.74%。入射光光电转换效率(IPCE)、强度调制光电流谱(IMPS)及强度调制光电压谱(IMVS)的测试结果表明:SnO2纳米颗粒包裹层能增加比表面积,有利于染料的吸附;能有效地抑制ZnO与电解液界面的电子复合,提高了电子寿命。 展开更多
关键词 ZnO/SnO2核-壳结构 太阳能电池 转化效率 电子复合 电子寿命
在线阅读 下载PDF
重掺杂发射区中禁带宽度和少子复合寿命的确定方法
13
作者 郑茳 冯耀兰 《电子科学学刊》 CSCD 1989年第4期439-443,共5页
禁带宽度和少子复合寿命是硅晶体管发射区中重要的物理参数。本文利用p-n结反向扩散电流的温度特性和借助于线性外推法,提出了一种确定绝对零度时禁带宽度的新方法。由于发射区重掺杂,本文考虑了载流子的费米-狄拉克统计分布。提出了确... 禁带宽度和少子复合寿命是硅晶体管发射区中重要的物理参数。本文利用p-n结反向扩散电流的温度特性和借助于线性外推法,提出了一种确定绝对零度时禁带宽度的新方法。由于发射区重掺杂,本文考虑了载流子的费米-狄拉克统计分布。提出了确定发射区中少子复合寿命的方法。该方法简便实用。 展开更多
关键词 硅晶体管 掺杂 禁带宽度 复合寿命
全文增补中
HIRFL-CSRm冷却束流寿命
14
作者 秦志明 冒立军 +9 位作者 赵贺 汤梅堂 李杰 杨晓东 杨建成 阮爽 吴波 王耿 刘杰 乔舰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期125-131,共7页
实验研究了HIRFL-CSRm中电子冷却装置对C6+,Ar15+两种束流寿命的影响。首先,通过对比实验的测量确定电子冷却可以有效提高束流寿命;其次,探究了电子冷却装置中的各项参数(主要是电子束密度分布、流强、能量、绝热展开因子)是如何影响束... 实验研究了HIRFL-CSRm中电子冷却装置对C6+,Ar15+两种束流寿命的影响。首先,通过对比实验的测量确定电子冷却可以有效提高束流寿命;其次,探究了电子冷却装置中的各项参数(主要是电子束密度分布、流强、能量、绝热展开因子)是如何影响束流寿命的,通过改变电子束参数,测量束流寿命的变化趋势和规律,并且结合电子冷却相关理论对实验结果给予解释,最终通过实验优化和确定最佳的冷却装置参数,使束流在HIRFL-CSRm上获得了较高的寿命,从而提高HIRFL-CSRm束流累积过程中的流强增益。 展开更多
关键词 束流寿命 复合 电子冷却 重离子 加速器
在线阅读 下载PDF
量子点与TiO_2电极参数对光阳极电子寿命及性能影响
15
作者 权琳琳 李卫平 +2 位作者 耿慧芳 刘慧丛 朱立群 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1322-1329,共8页
通过对P25Ti O2光阳极薄膜厚度、敏化的量子点种类及量子点敏化方法研究,探讨了使用连续离子层吸附反应法的敏化方法(SILAR)时,P25Ti O2薄膜厚度与光阳极电子寿命的关系,以及量子点种类、共敏化工艺对光阳极光电性能的影响.采用电化学阻... 通过对P25Ti O2光阳极薄膜厚度、敏化的量子点种类及量子点敏化方法研究,探讨了使用连续离子层吸附反应法的敏化方法(SILAR)时,P25Ti O2薄膜厚度与光阳极电子寿命的关系,以及量子点种类、共敏化工艺对光阳极光电性能的影响.采用电化学阻抗(EIS)、开路电压衰减(OCVD)及紫外-可见吸收方法,对影响光阳极光电性能的Ti O2薄膜厚度、量子点种类及共敏化工艺因素进行测试分析.实验结果表明:当光阳极薄膜厚度为12μm时,电子复合几率最小,光阳极的电子寿命相对最长;采用连续离子层吸附反应法(SILAR)对多种量子点共敏化的光阳极(Ti O2/Cd S/Cd Se/Zn S)与单一量子点敏化的光阳极(Ti O2/Cd S)相比,短路电流提高了34%,光转换效率提高了42%;合适的共敏化工艺也有助于提高光阳极的电子寿命、光谱吸收范围和吸收强度. 展开更多
关键词 光阳极 光电性能 电子寿命 共敏化 电子复合
在线阅读 下载PDF
大注入水平下少子寿命的数值计算与分析
16
作者 罗方颖 宋晨路 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期563-567,共5页
实现表面光电压法(SPV)在大注入水平下的少子寿命测量对表面光电压技术的应用和准确测量具有重要意义。本文计算了P型单晶硅片三种复合机制下注入水平与体寿命及表面复合率的关系。结果表明随着注入水平提高,主导复合机制发生改变,且少... 实现表面光电压法(SPV)在大注入水平下的少子寿命测量对表面光电压技术的应用和准确测量具有重要意义。本文计算了P型单晶硅片三种复合机制下注入水平与体寿命及表面复合率的关系。结果表明随着注入水平提高,主导复合机制发生改变,且少子寿命并不是一直随注入水平的增加而增加,而与杂质能级位置有关,表面复合率则恰好相反。为验证计算结果,对P型单晶硅片进行了注入水平可调的少子寿命测试。通过样品表面钝化,分离体表寿命,分别得到了注入水平与少子寿命和表面复合率的实验变化关系。理论计算结果与实验数据在测试范围内一致。 展开更多
关键词 少子寿命 表面复合率 SPV 注入水平
在线阅读 下载PDF
PC1D方法对铝背场钝化技术的分析 被引量:8
17
作者 闫丽 高华 《光电技术应用》 2011年第4期49-52,共4页
降低单晶硅原材料成本,采用更薄的硅片作为太阳电池的原料是晶体硅太阳电池产业发展的趋势之一。对薄片化的太阳电池,铝背场的背表面钝化工艺显得愈加重要。采用PC1D太阳电池软件模拟的方法,对以商业用p型硅为衬底的单晶硅125×125... 降低单晶硅原材料成本,采用更薄的硅片作为太阳电池的原料是晶体硅太阳电池产业发展的趋势之一。对薄片化的太阳电池,铝背场的背表面钝化工艺显得愈加重要。采用PC1D太阳电池软件模拟的方法,对以商业用p型硅为衬底的单晶硅125×125太阳电池的铝背场的背表面钝化技术进行了模拟,分析得出,对一定厚度的电池片来说,尤其是当少数载流子的扩散长度大于硅片厚度时,背表面的复合速率对太阳电池效率的影响尤为明显。电池的效率随着铝背场结深的增加、背表面复合速率的降低、少数载流子寿命的提高而提高。铝背场能够改善背表面的钝化质量,降低背表面的复合速率,进而提高太阳能电池的光电转换效率,是目前商业化的晶体硅太阳电池普遍采用的背表面钝化技术。 展开更多
关键词 铝背场 背表面钝化 内量子效率 复合速率 少子寿命
在线阅读 下载PDF
光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响 被引量:1
18
作者 陈澜 吴瑾照 +5 位作者 龙浩 史晓玲 应磊莹 郑志威 丘志仁 张保平 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期48-54,共7页
围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子... 围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子阱。计算表明样品A具有较大的相对光限制因子1.79,而样品B为1.47。光学测试发现样品A有着更高的内量子效率(IQE)和更高的辐射复合效率。使用两种样品制作了光泵VCSEL结构,在光激发下实现激射,其中基于样品A的VCSEL有着更低的激射阈值。结果表明有源区结构会显著影响量子阱与光场的耦合作用、外延片的内量子效率、辐射复合寿命和VCSEL激射阈值,同时也说明样品A的有源区结构更有利于制作低阈值的VCSEL器件。 展开更多
关键词 有源区 相对光限制因子 内量子效率 复合寿命 垂直腔面发射激光器
在线阅读 下载PDF
发射区复合对AlGaAs/GaAs HBT特性的影响
19
作者 周文益 许军 +1 位作者 刘佑宝 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第10期44-46,48,共4页
采用将发射区体内复合及表面复合归一化为载流子寿命变化的方法,用一维模拟程序,能简便地研究发射区复合对AlGaAs/GaAl HBT(异质结双极晶体管)特性的影响。计算结果表明,发射区载流子寿命的变化几乎不影响注入到基区的电子电流,但却成... 采用将发射区体内复合及表面复合归一化为载流子寿命变化的方法,用一维模拟程序,能简便地研究发射区复合对AlGaAs/GaAl HBT(异质结双极晶体管)特性的影响。计算结果表明,发射区载流子寿命的变化几乎不影响注入到基区的电子电流,但却成反比例地影响基区空穴电流.由于降低寿命增大了空穴复合电流,从而降低了HBT的电流增益. 展开更多
关键词 双极性晶体管 发射区 特性 HBT
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部