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DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势 被引量:11
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作者 成立 王振宇 高平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期1-5,14,共6页
介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势。
关键词 DRAM 动态随机存取存储器 数字集成电路 FRAM 相变RAM MRAM BICMOS 发展趋势
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基于FPGA的MRAM特性测试系统
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作者 胡迪青 管希东 +1 位作者 吴非 朱铭 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2015年第S2期103-110,共8页
由于传统的磁盘甚至已广泛应用的Flash固态盘已无法很好地满足当前对存储器在集成度、读写速度、可靠性方面的需求,故须积极寻找新一代存储介质尝试与当前存储器混合使用甚至替代之.而磁阻随机存储器(magnetic random access memory,MR... 由于传统的磁盘甚至已广泛应用的Flash固态盘已无法很好地满足当前对存储器在集成度、读写速度、可靠性方面的需求,故须积极寻找新一代存储介质尝试与当前存储器混合使用甚至替代之.而磁阻随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)作为一种非易失性存储器,拥有静态随机存储器(satic random access memory,SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)的高集成度,同时比DRAM更低的能耗,并具有无限的读写次数,这些优秀的特性使得MRAM拥有很好的潜力成为下一代主流存储介质.为了对MRAM的读写性能、功耗等有深入的理解,设计并实现了一个MRAM测试平台,完成对MRAM读写性能测试和特性数据采集.该测试平台主要由MRAM控制器设计、MRAM特性数据采集、读写性能测试3个方面组成,由MRAM控制器对MRAM芯片进行读写完成读写性能测试,采集MRAM在读、写、空闲等状态下的特性数据.实验表明,MRAM具有良好的读写性能和低功耗,有条件成为下一代主流存储介质. 展开更多
关键词 磁阻随机存储器 特性数据采集 MRAM控制器 测试平台
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Ceph文件系统的对象异构副本技术研究与实现 被引量:3
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作者 詹玲 朱承浩 万继光 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 2017年第9期2011-2016,共6页
长久以来,传统机械磁盘的读写速率低是计算机系统不容忽视的问题,尤其是正值大数据技术飞速发展的时代,计算与存储之间的性能差异越来越明显,读写瓶颈问题也愈发严重.MRAM(Magnetic Random Access Memory)具有非易失性、读写速度快和擦... 长久以来,传统机械磁盘的读写速率低是计算机系统不容忽视的问题,尤其是正值大数据技术飞速发展的时代,计算与存储之间的性能差异越来越明显,读写瓶颈问题也愈发严重.MRAM(Magnetic Random Access Memory)具有非易失性、读写速度快和擦写次数无限制等特点,可以有效地缓解存储瓶颈的问题,因而成为了研究热点.基于MRAM建立一套内存数据组织结构,并研究异构副本的存储策略具有一定的研究意义.在Ceph分布式文件系统的基础上,设计出一套基于MRAM的内存管理模块,并将Ceph系统的磁盘-磁盘(主从副本均存储在磁盘上)多副本存储方式修改成MRAM-磁盘(主副本存储在MRAM上,从副本存储在磁盘上)的异构副本存储策略.在详细介绍了异构副本方案的同时,也对其进行了相应的性能测试和分析. 展开更多
关键词 MRAM技术 异构副本 Ceph分布式文件系统 内存管理
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磁性多层膜中保护层Ru对磁性层NiFe的影响 被引量:2
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作者 吉吾尔.吉里力 拜山.沙德克 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1803-1805,共3页
主要研究了不同保护层Ta和Ru对磁性薄膜NiFe的厚度及磁性的影响。通过观察可以看出,NiFe/Ta,NiFe/Ru界面间产生了磁矩为零的部分层即所谓的"死层",其厚度分别为(1.5±0.2)nm,(1.2±0.2)nm(厚度误差在0.2nm范围内)。... 主要研究了不同保护层Ta和Ru对磁性薄膜NiFe的厚度及磁性的影响。通过观察可以看出,NiFe/Ta,NiFe/Ru界面间产生了磁矩为零的部分层即所谓的"死层",其厚度分别为(1.5±0.2)nm,(1.2±0.2)nm(厚度误差在0.2nm范围内)。利用两种保护层时虽然避免不了"死层"现象的出现,但是发现,Ru作为保护层时产生的"死层"厚度比Ta作为保护层时的小。为了进一步证实这一点,我们采用X射线衍射仪及X射线光电子能谱仪对该两种薄膜进行了结构测试和深度剖析,并且运用XPSPeak 4.1拟合软件对获得的Ta4f和Ru3d的高分辨XPS谱进行了计算机拟合分析;结果表明,Ru较Ta更加适合于做保护层,渴望在自旋电子器件上得到应用。 展开更多
关键词 保护层Ru 磁性薄膜 MRAM
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Ar/CO/NH_3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层
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作者 刘上贤 汪明刚 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期675-678,717,共5页
基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀。采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组... 基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀。采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组分不同,研究了Ar气在混合气体中的体积分数对材料刻蚀速率和侧壁形貌的影响。结果表明,刻蚀速率随着Ar气体积分数的增加而增加,而侧壁倾角则随着Ar气体积分数的增加而减小。两步刻蚀的方法可以根据材料的结构特点来控制Ar离子轰击的作用,可以得到大于21.4 nm/min的刻蚀速率和约90°的侧壁倾角。 展开更多
关键词 磁性材料 等离子体刻蚀 Ar/CO/NH3 磁随机存储器(MRAM) 多步刻蚀
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飞思卡尔率先将MRAM技术投入商用 被引量:1
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期709-711,共3页
关键词 技术投入 MRAM 音乐播放器 存储芯片 数码相机 家电设备 随机存取 存取速度
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飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期824-825,共2页
关键词 非易失性存储器 MRAM 品系 卡尔 高速缓冲器 SRAM 磁性材料 商业应用
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封面图说明
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《物理学进展》 CSCD 北大核心 2009年第4期392-392,共1页
关键词 MRAM 势垒 磁性隧道结 纳米环 磁读出头 高分辨透射电镜 磁随机存储器 封面 书籍结构
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技术上难以突破,赛普拉斯欲出售MRAM子公司
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《现代电子技术》 2005年第6期69-69,共1页
日前,赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)宣布计划出售旗下专门供应磁阻式随机存取存储器的子公司Silicon Magnetic Systems(SMS)。
关键词 赛普拉斯半导体公司 MRAM子公司 磁阻式随机存取存储器 公司出售
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