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高质量LiGaO2晶体的提拉法生长及表征: 1; 作者黄涛华周圣明 +2 位作者滕浩林辉王军《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期524-527,523,共5页; 采用提拉法成功地生长了高质量的LiGaO2单晶体,生长过程中没有观察到挥发现象。通过四晶X射线衍射、化学腐蚀、光学显微、透过光谱以及原子力显微镜对晶体的质量进行了表征。结果表明:晶体中无包裹物及气泡,具有很高的质量,(001)面晶片... 展开更多; 关键词提拉法 ligao2 化学腐蚀透过光谱 AFM; 在线阅读下载PDF 职称材料

用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究被引量：3: 2; 作者杨卫桥干福熹 +3 位作者邓佩珍徐军李抒智张荣《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期215-219,共5页; LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍... 展开更多; 关键词 GAN ligao2 MOCVD法半导体材料氮化镓金属有机物气相沉积外延薄膜外延生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长: 3; 作者李国强管云芳高芳亮《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期721-728,共8页; 通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决... 展开更多; 关键词氧化物衬底 ligao2 MGAL2O4 LAALO3 GAN薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN 用衬底材料 LiGaO_2 晶体超精密抛光的初步实验被引量：3: 4; 作者谢伦高宏刚 +3 位作者陈斌曹健林王建明刘琳《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1997年第5期57-62,共6页; 主要介绍了作为发光半导体ＧａＮ衬底材料的ＬｉＧａＯ２单晶超精密抛光方法及初步结果。利用聚氨酯抛光盘配合ＳｉＯ２悬浮液，采用机械化学抛光方法，已加工出表面粗糙度优于０．１ｍｍ，的超光滑表面。; 关键词超精密抛光表面粗糙度 ligao2 晶体氮化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型衬底晶体LiGaO_2的生长和结晶性质研究: 5; 作者黄为民徐军 +2 位作者吴光照邓佩珍干福熹《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期84-86,共3页; 新型衬底晶体ＬｉＧａＯ２的生长和结晶性质研究黄为民徐军吴光照邓佩珍干福熹（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）关键词衬底，ＬｉＧａＯ２氮化物长期以来被看作是在蓝光及紫外波段光电子应用中最有希望的材料［... 展开更多; 关键词衬底 ligao2 光电子材料结晶; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学气相沉积法于镓酸锂基板生长氧化锌薄膜的研究被引量：4: 6; 作者李雪莲付永胜《无机盐工业》 CAS 北大核心 2017年第9期11-16,共6页; 研究了利用化学气相沉积法在镓酸锂(001)基板上生长氧化锌薄膜,探讨了生长温度、生长压力、生长时间对薄膜结构与特性的影响,以期寻找出生长高品质氧化锌(0002)薄膜的最佳条件。研究结果表明,在氧气与氮气流量比为600/400、生长压力为6.... 展开更多; 关键词氧化锌薄膜镓酸锂化学气相沉积结晶品质生长参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究被引量：1: 7; 作者刘世良周圣明 +1 位作者王银珍徐军《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期988-991,共4页; 研究了提拉法生长的镓酸锂单晶的生长习性和结晶质量。晶体表面呈乳白色且表面粗糙。通过光学显微镜、四晶X射线衍射、透射光谱和电感耦合等离子体发射光谱对样品进行了表征,结果表明,在(001)面的抛光样品上存在三种缺陷:[110]和[-110]... 展开更多; 关键词单晶镓酸锂提拉法衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高质量LiGaO2晶体的提拉法生长及表征: 1; 作者黄涛华周圣明滕浩林辉王军; 机构中国科学院上海光学精密机械研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期524-527,523,共5页; 基金国家自然科学基金(No.60676004) 上海市浦江计划(05PJ14100)资助; 文摘采用提拉法成功地生长了高质量的LiGaO2单晶体,生长过程中没有观察到挥发现象。通过四晶X射线衍射、化学腐蚀、光学显微、透过光谱以及原子力显微镜对晶体的质量进行了表征。结果表明:晶体中无包裹物及气泡,具有很高的质量,(001)面晶片的摇摆曲线半高宽仅为16.2arcsec,正交的(001)、(100)及(010)三个晶面具有不同的腐蚀形貌,其位错密度均低于104/cm2;LiGaO2晶体的吸收边约为220nm;化学机械抛光后的晶片表面非常光滑,其均方根粗糙度仅为0.1nm(5×5μm2)。; 关键词提拉法 ligao2 化学腐蚀透过光谱 AFM; Keywords Czochralski method ligao2 chemical etching transmission spectra AFM; 分类号 O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究被引量：3: 2; 作者杨卫桥干福熹邓佩珍徐军李抒智张荣; 机构中国科学院上海光学精密机械研究所南京大学物理系; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期215-219,共5页; 文摘 LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.; 关键词 GAN ligao2 MOCVD法半导体材料氮化镓金属有机物气相沉积外延薄膜外延生长; Keywords GaN ligao2 MOCVD; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长: 3; 作者李国强管云芳高芳亮; 机构华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室华南理工大学材料科学与工程学院电子材料科学与工程系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期721-728,共8页; 基金国家安全重大基础研究(国防973)资助项目国家自然科学基金资助项目(51002052); 文摘通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决方法,进而明确指出了研究非常规氧化物衬底的重要意义。在此基础上,详细介绍了在三种氧化物衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及Ⅲ族氮化物半导体器件的应用研究、特别是基于非常规氧化物衬底的研究起到很好的指导意义。; 关键词氧化物衬底 ligao2 MGAL2O4 LAALO3 GAN薄膜; Keywords oxide substrate LiGa02 MgA12O4 LaAIO3 GaN film; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN 用衬底材料 LiGaO_2 晶体超精密抛光的初步实验被引量：3: 4; 作者谢伦高宏刚陈斌曹健林王建明刘琳; 机构中国科学院长春光学精密机械研究所中国科学院物理研究所; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1997年第5期57-62,共6页; 文摘主要介绍了作为发光半导体ＧａＮ衬底材料的ＬｉＧａＯ２单晶超精密抛光方法及初步结果。利用聚氨酯抛光盘配合ＳｉＯ２悬浮液，采用机械化学抛光方法，已加工出表面粗糙度优于０．１ｍｍ，的超光滑表面。; 关键词超精密抛光表面粗糙度 ligao2 晶体氮化镓; Keywords Superpolishing,Surface roughness,Ppolyurethane, LiGaO 2,SiO 2; 分类号 TN305.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型衬底晶体LiGaO_2的生长和结晶性质研究: 5; 作者黄为民徐军吴光照邓佩珍干福熹; 机构中国科学院上海光学精密机械研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期84-86,共3页; 文摘新型衬底晶体ＬｉＧａＯ２的生长和结晶性质研究黄为民徐军吴光照邓佩珍干福熹（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）关键词衬底，ＬｉＧａＯ２氮化物长期以来被看作是在蓝光及紫外波段光电子应用中最有希望的材料［１］．但在改进材料质量方面最大的困...; 关键词衬底 ligao2 光电子材料结晶; Keywords substrate, LiGaO 2; 分类号 TN204 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化学气相沉积法于镓酸锂基板生长氧化锌薄膜的研究被引量：4: 6; 作者李雪莲付永胜; 机构常州工程职业技术学院化工学院软化学与功能材料教育部重点实验室南京理工大学; 出处《无机盐工业》 CAS 北大核心 2017年第9期11-16,共6页; 基金国家自然科学基金项目(No.51472120) 江苏高校品牌专业建设工程资助项目(PPZY2015B178); 文摘研究了利用化学气相沉积法在镓酸锂(001)基板上生长氧化锌薄膜,探讨了生长温度、生长压力、生长时间对薄膜结构与特性的影响,以期寻找出生长高品质氧化锌(0002)薄膜的最佳条件。研究结果表明,在氧气与氮气流量比为600/400、生长压力为6.67 k Pa、生长温度为550℃、生长时间为60 min条件下,于镓酸锂(001)基板上能够生长出高质量的氧化锌(0002)薄膜。; 关键词氧化锌薄膜镓酸锂化学气相沉积结晶品质生长参数; Keywords ZnO films ligao2 substrates CVD crystallization quality growth factor; 分类号 TQ132.41 [化学工程—无机化工] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究被引量：1: 7; 作者刘世良周圣明王银珍徐军; 机构中国科学院上海光学精密机械研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期988-991,共4页; 基金中科院"百人计划"项目资助; 文摘研究了提拉法生长的镓酸锂单晶的生长习性和结晶质量。晶体表面呈乳白色且表面粗糙。通过光学显微镜、四晶X射线衍射、透射光谱和电感耦合等离子体发射光谱对样品进行了表征,结果表明,在(001)面的抛光样品上存在三种缺陷:[110]和[-110]方向的十字线、[010]方向排列的气泡包裹物以及平行于(010)面的界面,界面的产生起因于(010)晶面的滑移;晶体的结晶质量从顶部到底部逐渐下降,这是由于在生长过程中氧化锂的挥发导致熔体成分偏离化学计量比造成的。; 关键词单晶镓酸锂提拉法衬底; Keywords single crystal ligao2 Czochralski substrate; 分类号 O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高质量LiGaO2晶体的提拉法生长及表征	黄涛华周圣明滕浩林辉王军	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究	杨卫桥干福熹邓佩珍徐军李抒智张荣	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2003	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长	李国强管云芳高芳亮	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaN 用衬底材料 LiGaO_2 晶体超精密抛光的初步实验	谢伦高宏刚陈斌曹健林王建明刘琳	《光学精密工程》 EI CAS CSCD	1997	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	新型衬底晶体LiGaO_2的生长和结晶性质研究	黄为民徐军吴光照邓佩珍干福熹	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	化学气相沉积法于镓酸锂基板生长氧化锌薄膜的研究	李雪莲付永胜	《无机盐工业》 CAS 北大核心	2017	4	在线阅读下载PDF 职称材料
7	提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究	刘世良周圣明王银珍徐军	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料