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高量子效率InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外光电阴极模拟被引量：3: 1; 作者周振辉徐向晏 +8 位作者刘虎林李岩卢裕钱森韦永林何凯赛小锋田进寿陈萍《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期247-253,共7页; 将In_(0.53)Ga_(0.47)As吸收层设计为多个薄层,通过不同浓度掺杂实现吸收层杂质指数分布,建立了InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外光电阴极模型,在皮秒级响应时间的前提下模拟了吸收层厚度、掺杂浓度和阴极外置偏压对阴极内量子效率的影... 展开更多; 关键词量子效率响应时间指数掺杂红外光电阴极 inp/in0.53ga0.47as/inp; 在线阅读下载PDF 职称材料

生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响被引量：3: 2; 作者缪国庆金亿鑫 +4 位作者蒋红周天明李树玮元光宋航《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期465-468,共4页; 利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料 ,获得表面平整、光亮的In0 53 Ga0 47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高 ,为了保证铟在固相中组分不变 ,必... 展开更多; 关键词 in0.53ga0.47as/inp LPMOCVD 铟镓砷化合物生长温度低压金属有机化学气相沉积半导体材料磷化铟衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器被引量：5: 3; 作者史衍丽郭骞 +4 位作者李龙邓功荣杨绍培范明国刘文波《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期3177-3180,共4页; 由于标准InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器的响应波段为0.87~1.7μm,在高性能夜视中具有重要的应用。为了进一步利用夜天光在可见光区间的辐射能量,需要将InP/In0.53Ga0.47As短波探测器的光谱响应拓展到可见光,从而实现包含可见光和短... 展开更多; 关键词 inp/in0.53ga0.47as 光谱响应可见光拓展可见/短波双波段探测; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As材料体系的1550 nm激光能量转换器: 4; 作者张宗坤孙艳 +1 位作者郝加明戴宁《红外与毫米波学报》 2025年第4期477-485,共9页; 本文报道了基于InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As材料体系的1550nm波长激光能量转换器的设计、仿真和实验验证。通过优化吸收层厚度及采用双层减反射结构(SiO_(2)和SiN),器件光吸收率高达96%,并具有良好的角度变化不敏感性和波长变化鲁棒性。... 展开更多; 关键词激光能量转换器 inp/in_(0.53)ga_(0.47)As 双层减反射结构无线能量传输; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAs焦平面探测器电串音性能的研究（英文）: 5; 作者李冬雪王天盟 +3 位作者沈文忠张月蘅李雪李淘《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期641-646,共6页; 串音与焦平面阵列(FPA)的灵敏度和分辨率密切相关.用模拟的方法定量地计算了In_(0.53) Ga_(0.47)As/InP探测器焦平面阵列的电串音随光波波长、入射方向和台面的刻蚀深度的变化情况.结果显示台面结构的器件的串音抑制性能比平面结构的要... 展开更多; 关键词 in0.53ga0.47as/inp焦平面阵列电串音平面结构台面结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高量子效率InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外光电阴极模拟被引量：3: 1; 作者周振辉徐向晏刘虎林李岩卢裕钱森韦永林何凯赛小锋田进寿陈萍; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所中国科学院大学中国科学院超快诊断重点实验室西安石油大学理学院中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期247-253,共7页; 基金国家自然科学基金(11475209); 文摘将In_(0.53)Ga_(0.47)As吸收层设计为多个薄层,通过不同浓度掺杂实现吸收层杂质指数分布,建立了InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外光电阴极模型,在皮秒级响应时间的前提下模拟了吸收层厚度、掺杂浓度和阴极外置偏压对阴极内量子效率的影响,给出了光电子在吸收层和发射层的一维连续性方程和边界条件,计算了光电子克服激活层势垒发射到真空中的几率,进而获得阴极外量子效率随上述三个因素的变化规律,结果表明,吸收层掺杂浓度在10^(15)～10^(18)cm^(-3)范围内变化时,内量子效率变化很小;随着吸收层厚度在0.09～0.81μm内增大,内量子效率随之增大;随着外置偏压升高,内量子效率先增大后趋于平稳。文中给出一组既能获得高量子效率又能有快时间响应的阴极设计参数,理论上1.55μm入射光可以获得8.4%的外量子效率,此时响应时间为49 ps。; 关键词量子效率响应时间指数掺杂红外光电阴极 inp/in0.53ga0.47as/inp; Keywords quantum yield response time exponential doping infrared photocathode inp/in0.53ga0.47as/inp; 分类号 O462 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响被引量：3: 2; 作者缪国庆金亿鑫蒋红周天明李树玮元光宋航; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期465-468,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 (5 0 13 2 0 2 ); 文摘利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料 ,获得表面平整、光亮的In0 53 Ga0 47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高 ,为了保证铟在固相中组分不变 ,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时 ,外延层表面粗糙。生长温度在 6 30℃与 6 5 0℃之间 ,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄 ,高于或低于这个温度区间 ,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加 ,在 6 30℃为最大值 ,然后随着生长温度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大 ,在生长温度大于 6; 关键词 in0.53ga0.47as/inp LPMOCVD 铟镓砷化合物生长温度低压金属有机化学气相沉积半导体材料磷化铟衬底; Keywords IngaAs growth temperature LPMOCVD; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器被引量：5: 3; 作者史衍丽郭骞李龙邓功荣杨绍培范明国刘文波; 机构北方夜视科技集团有限公司; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期3177-3180,共4页; 基金云南省重点基金(2015FA040); 文摘由于标准InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器的响应波段为0.87~1.7μm,在高性能夜视中具有重要的应用。为了进一步利用夜天光在可见光区间的辐射能量,需要将InP/In0.53Ga0.47As短波探测器的光谱响应拓展到可见光,从而实现包含可见光和短波波段的宽光谱探测。通过特殊的材料设计和背减薄工艺,成功研制了可见光拓展的320×256 InP/InGaAs宽光谱红外探测器。采用增加滤光片的方法完成了器件在可见光、短波的成像演示,结果表明：目标在可见光、短波波段呈现出不同的特征信息,而不加滤光片的可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器则探测到两个波段的信息,既包含目标的可见光信息同时也具有短波信息,从而实现了可见/短波双波段探测的效果,可显著提升对目标的探测能力。; 关键词 inp/in0.53ga0.47as 光谱响应可见光拓展可见/短波双波段探测; Keywords inp/in0.53ga0.47as spectrum response visible-extended visible/short wavelength dual band detecting; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As材料体系的1550 nm激光能量转换器: 4; 作者张宗坤孙艳郝加明戴宁; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外科学与技术全国重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 2025年第4期477-485,共9页; 基金国家重点研发计划项目(2022YFA1404701、2017YFA0205800) 国家自然科学基金项目(62075231) 上海市科委项目(20JC1414603)。; 文摘本文报道了基于InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As材料体系的1550nm波长激光能量转换器的设计、仿真和实验验证。通过优化吸收层厚度及采用双层减反射结构(SiO_(2)和SiN),器件光吸收率高达96%,并具有良好的角度变化不敏感性和波长变化鲁棒性。实验结果与理论结果相一致,器件外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)达92%。在47mW/cm^(2)的激光功率密度下,电池的光电转换效率达到了23%。理论分析揭示该实验结果低于理论预测值的主要原因是样品器件具有较高的串联电阻和较低的并联电阻,为提高激光光伏电池效率,还需进一步优化器件工艺,以降低器件相关电阻阻值。此外,本文还深入探讨了器件区面积对器件光伏性能的影响,为激光光伏电池的微型化提供了优化方向。; 关键词激光能量转换器 inp/in_(0.53)ga_(0.47)As 双层减反射结构无线能量传输; Keywords laser power converters inp/in_(0.53)ga_(0.47)As dual-layer anti-reflective structure wireless energy transmission; 分类号 TN304 [电子电信]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAs焦平面探测器电串音性能的研究（英文）: 5; 作者李冬雪王天盟沈文忠张月蘅李雪李淘; 机构上海交通大学物理与天文系人工结构及量子调控教育部重点实验室中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期641-646,共6页; 基金 Supported by 863 Program of China(2011AA010205) National Major Basic Research Project(2011CB925603) Natural Science Foundation of China(91221201,61234005,11074167); 文摘串音与焦平面阵列(FPA)的灵敏度和分辨率密切相关.用模拟的方法定量地计算了In_(0.53) Ga_(0.47)As/InP探测器焦平面阵列的电串音随光波波长、入射方向和台面的刻蚀深度的变化情况.结果显示台面结构的器件的串音抑制性能比平面结构的要好.明显地发现短波长的光串音较小,正照射的串音比背照射要小,这是由材料吸收深度和异质结耗尽层宽度的影响造成的.另外,当台面的刻蚀深度穿透吸收层厚度时,其电串扰几乎完全被抑制.研究结果提出了相应的InGaAs FPA的低串音设计.; 关键词 in0.53ga0.47as/inp焦平面阵列电串音平面结构台面结构; Keywords in0.53ga0.47as/inp focal plane array electrical crosstalk planar structure mesa structure; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高量子效率InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外光电阴极模拟	周振辉徐向晏刘虎林李岩卢裕钱森韦永林何凯赛小锋田进寿陈萍	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响	缪国庆金亿鑫蒋红周天明李树玮元光宋航	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器	史衍丽郭骞李龙邓功荣杨绍培范明国刘文波	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2015	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As材料体系的1550 nm激光能量转换器	张宗坤孙艳郝加明戴宁	《红外与毫米波学报》	2025		在线阅读下载PDF 职称材料
5	InGaAs焦平面探测器电串音性能的研究（英文）	李冬雪王天盟沈文忠张月蘅李雪李淘	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料