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题名低暗电流InGaAs-MSM光电探测器
被引量：3
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作者
闫欣
汪韬
尹飞
倪海桥
牛智川
辛丽伟
田进寿
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机构
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室
中国科学院大学
中国科学院半导体研究所
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期83-87,共5页
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基金
国家自然科学基金(Nos.61176006
11274377)资助
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文摘
MSM(金属-半导体-金属)型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛,可用于空间通信、遥感等多方面,但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素.为此,本文研制了100×100μm2面积的InGaAs-MSM光电探测器,通过设计InAlGaAs/InGaAs短周期超晶格和InAlAs肖特基势垒增强结构,将器件暗电流密度降至0.6pA/μm2(5V偏置),改善了目前同类器件的信噪比.对器件光电参数进行了表征:3dB带宽6.8GHz,上升沿58.8ps,1550nm波段响应度0.55A/W,光吸收区域外量子效率88%.分析了短周期超晶格和肖特基势垒增强层对暗电流的抑制机理.
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关键词
半导体器件
光电探测器
MOCVD
暗电流
MSM
INGAAS
超晶格
肖特基势垒
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Keywords
Semiconductor devices
Photodetectors
MOCVD
Dark current
MSM
ingaassuperlattices, schottky harrier
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分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
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