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Hydrothermal Growth of Quartz Crystals under Simulated Space Conditions
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作者 Qian Zhiqiang Jia Shouquan 《人工晶体学报》 CSCD 1991年第3期337-337,共1页
For the sake of evaluating the effect of gravity on the perfection of hydrothermal crystals,we have conducted following growth experiments on the earth:Quartz crystals were grown in both vertical and horizontal autocl... For the sake of evaluating the effect of gravity on the perfection of hydrothermal crystals,we have conducted following growth experiments on the earth:Quartz crystals were grown in both vertical and horizontal autoclaves as a contrast with each other. 展开更多
关键词 quartz crystals GRAVITY space conditions PERFECTION growth experiments hydrothermal crystalswe hydrothermal growth evaluating effect gravity
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Effect of additive on synthesis of MnZn ferrite nanocrystal by hydrothermal crystallization 被引量:1
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作者 桑商斌 古映莹 黄可龙 《Journal of Central South University of Technology》 2003年第1期38-43,共6页
The effect of additive RCOONa on the formation of MnZn ferrite homogeneous coprecipitation precursor was studied in this paper. The action of additive in the MnZn ferrite hydrothermal crystallization process was inves... The effect of additive RCOONa on the formation of MnZn ferrite homogeneous coprecipitation precursor was studied in this paper. The action of additive in the MnZn ferrite hydrothermal crystallization process was investigated according to crystal field theory and crystal growth unit theory. And the growth unit formation process was presented and its structure was illustrated. The results show that the precursor of MnZn ferrite is a colloidal mixture composed of Zn(OH) 2, Fe(OH) 2, Mn(OH) 2, MnO(OH) , MnO 2· x H 2O and so on, and dissolves in solution in the form of hydroxyl coordination tetrahedron and octahedron such as Zn(OH) 2- 4, Fe(OH) 2- 4, Fe(OH) 4- 6,Fe(OH) - 4, Fe(OH) 3- 6,Mn(OH) 2- 4,Mn(OH) 3- 6 etc., and the growth unit is formed by combination of the coordination polyhedra subsequently in the hydrothermal precess. The additive is beneficial to the formation of homogeneous precursor and has dispersive effect on the aggregation of the crystal growth unit by forming associate with hydrogen bond, which is beneficial to the synthesis of the pure product with a tiny size and a narrow size distribution. 展开更多
关键词 MNZN FERRITE nanocrystal growth UNIT hydrothermal process mechanism ADDITIVE
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水热合成锌锰基脱硫剂中晶体生长机制 被引量:1
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作者 武帅山 孙阳杰 +3 位作者 牛芳芳 王建成 米杰 冯宇 《洁净煤技术》 北大核心 2025年第2期124-133,共10页
中高温煤气脱硫是实现煤炭清洁高效利用的关键技术之一。由金属氧化物脱硫反应动力学中硫化物生长扩散机理可知,保持脱硫剂活性组分高分散和小尺寸有利于减小脱硫反应扩散传质阻力,提高活性相利用率。采用不同种类锌盐和六亚甲基四胺(HM... 中高温煤气脱硫是实现煤炭清洁高效利用的关键技术之一。由金属氧化物脱硫反应动力学中硫化物生长扩散机理可知,保持脱硫剂活性组分高分散和小尺寸有利于减小脱硫反应扩散传质阻力,提高活性相利用率。采用不同种类锌盐和六亚甲基四胺(HMTA)在负载有MnO_(2)种子层的纳米纤维载体上水热合成了一系列锌锰复合氧化物脱硫剂。通过探讨反离子与锌锰氧化物晶粒尺寸的内在关系,阐明了活性相晶体成核及生长机制。研究表明:水热溶液中反离子对Zn^(2+)与OH^(-)络合缩合反应有显著的抑制作用,反离子分别与NO_(3)^(-)和SO_(4)^(2-)相比,脱硫剂中Mn3O4晶相平均晶粒尺寸减小39.2%,活性相颗粒粒径减小24.7%。同时,脱硫测试表明,脱硫剂ZN@MCNFs的总体活性组分利用率比ZS@MCNFs提高7%。研究所阐明的锌锰基脱硫剂晶体生长机制,为开发性能优异的金属氧化物脱硫剂提供了理论支撑。 展开更多
关键词 煤气脱硫 水热合成 晶体生长 反离子 硫化氢
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高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究 被引量:1
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作者 许万里 甘云海 +4 位作者 李悦文 李彬 郑有炓 张荣 修向前 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第1期11-16,共6页
氢化物气相外延(HVPE)是制备GaN单晶衬底的关键技术,由于生长速率较高,如何控制大尺寸GaN高速率高均匀性生长对于获得高质量GaN衬底具有重要意义。本文针对自主设计研制的6英寸(1英寸=2.54 cm)GaN衬底用HVPE设备,通过数值模拟和实际生... 氢化物气相外延(HVPE)是制备GaN单晶衬底的关键技术,由于生长速率较高,如何控制大尺寸GaN高速率高均匀性生长对于获得高质量GaN衬底具有重要意义。本文针对自主设计研制的6英寸(1英寸=2.54 cm)GaN衬底用HVPE设备,通过数值模拟和实际生长实验,研究了工艺参数如源气体与衬底距离D、分隔气体、HCl流量、NH_(3)载气流量等对高速率生长GaN膜厚度均匀性的影响。数值模拟与生长实验结果发现,采用自研HVPE设备生长GaN厚膜具有高生长速率和高厚度均匀性等特点。研究表明,引入分隔气体及适当增大D值可以有效促进GaCl气体向样品边缘扩散,从而显著提升大尺寸外延厚膜的均匀性。采用最终优化工艺条件获得了厚度约11μm的6英寸GaN厚膜,其厚度不均匀性约±1.5%,生长速率大于60μm/h;随着生长时间的增加,生长速率增大,在生长时间为3 h时,6英寸GaN厚膜厚度达到约700μm,生长速率增大至200μm/h以上,且厚度不均匀性仍在±5%以内。 展开更多
关键词 氮化镓 氢化物气相外延 晶体生长 数值模拟 厚度不均匀性
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4英寸高质量GaN单晶衬底制备
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作者 齐占国 王守志 +11 位作者 李秋波 王忠新 邵慧慧 刘磊 王国栋 孙德福 于汇东 蒋铠泽 张爽 陈秀芳 徐现刚 张雷 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期717-720,共4页
本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自... 本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自支撑GaN单晶衬底。该衬底兼具优异的结晶质量与出色的力学稳定性,表面无裂纹,应力分布均匀;阴极荧光光谱(CL)表征位错密度为9.6×10^(5)cm^(-2),高分辨X射线衍射(HRXRD)(002)面摇摆曲线半峰全宽低至57.91″;原子力显微镜(AFM)测得表面粗糙度Ra<0.2 nm,呈现原子级平整表面。制备的衬底开盒即用,能够满足蓝绿激光器及电力电子器件的需求。 展开更多
关键词 GaN单晶衬底 4英寸 氢化物气相外延 晶体生长 晶体加工
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锰气相催化多晶金刚石表面原位石墨烯构筑研究
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作者 吴国栋 张文 +4 位作者 伏鑫 刘辉强 汪建 王兵 熊鹰 《材料导报》 北大核心 2025年第5期122-125,共4页
金刚石和石墨烯均具有十分优异的物化性质,结合形成的石墨烯-金刚石异质结可充分发挥二者优异性能,引起了广泛的关注。在制备石墨烯-金刚石异质结器件时,传统转移法、金属原位催化法等制备方法都存在步骤复杂、成本较高、石墨烯层覆盖... 金刚石和石墨烯均具有十分优异的物化性质,结合形成的石墨烯-金刚石异质结可充分发挥二者优异性能,引起了广泛的关注。在制备石墨烯-金刚石异质结器件时,传统转移法、金属原位催化法等制备方法都存在步骤复杂、成本较高、石墨烯层覆盖率低且结晶质量较差等缺点,严重妨碍了这种全碳器件的应用。本工作开发了一种金刚石表面原位石墨烯构筑的新方法,采用金属锰气相催化多晶金刚石,实现了金刚石表面原位石墨烯生长。研究结果表明:金属锰气相状态对多晶金刚石具有较强的催化效果,生成的石墨烯层覆盖率高、表面均匀。这种新型的金属锰气相催化法步骤简单,成本较低,可一步完成。本文的研究为在金刚石表面原位生长高质量石墨烯提供了新的技术路线,为制备高性能石墨烯-金刚石异质结全碳器件提供了新思路。 展开更多
关键词 石墨烯-金刚石异质结 全碳器件 锰气相催化 原位生长
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衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga_(2)O_(3)薄膜性质的影响研究
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作者 韩宇 焦腾 +6 位作者 于含 赛青林 陈端阳 李震 李轶涵 张钊 董鑫 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期438-444,I0003,共8页
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在Fe掺杂的(001)、(010)和(201)晶面的氧化镓(Ga_(2)O_(3))衬底上实现了Si掺杂n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜的同质外延生长,系统研究了衬底晶面对生长的薄膜晶体质量、生长速度及电学性能的影响。研... 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在Fe掺杂的(001)、(010)和(201)晶面的氧化镓(Ga_(2)O_(3))衬底上实现了Si掺杂n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜的同质外延生长,系统研究了衬底晶面对生长的薄膜晶体质量、生长速度及电学性能的影响。研究结果表明,同质外延生长的n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜样品均表现出与衬底一致的晶面取向,且双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM)均很小,具有较高的晶体质量;各薄膜的表面粗糙度较低,基本呈现台阶流的生长特征;不同晶面衬底上薄膜同质生长速度存在较大差异,其中(001)晶面衬底上薄膜的生长速度较快,可达1μm/h以上。在(010)晶面衬底上生长的n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜,其载流子浓度与迁移率最高,在器件的制备中更具潜力。该项研究将为Ga_(2)O_(3)基器件制备提供有力的数据支撑。 展开更多
关键词 氧化镓 金属有机化学气相沉积 同质外延 掺杂 迁移率 生长速率
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c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
8
作者 王子铭 张雅超 +6 位作者 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期420-425,共6页
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_... 本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_(3)物相构成,在生长温度从360℃变化至425℃均能观察到β-Ga_(2)O_(3)(402)峰,而在370~410℃还能观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰。其中,380和390℃时的样品具有更强的ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰和更低的半峰全宽,以及更低的表面粗糙度。两步生长法为以380℃生长的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜作为缓冲层,而后在400~430℃继续生长ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰强度均高于单步生长法且半峰全宽均更低,在430℃时薄膜的(004)峰摇摆曲线半峰全宽达到0.49°。进一步改变单步生长法的压强,明确缓冲层有效促进ε-Ga_(2)O_(3)沿c轴生长。 展开更多
关键词 ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学气相沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜
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棉花特宽膜覆膜下种床水热耦合特性模拟与试验
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作者 史增录 陈新宇 +4 位作者 马旭 张学军 薛迎雪 王堆金 于永良 《农业工程学报》 北大核心 2025年第11期89-97,共9页
为研究特宽膜覆膜下种床水热特性,明晰其对棉花生长发育的影响机制,以棉花机械化铺膜播种后的种床为研究对象,利用对比分析的方法,设置4.4 m特宽膜(T1处理)和2.05 m膜(T2处理)两种处理进行种床水热模拟和棉花生长监测。结果表明:水、热... 为研究特宽膜覆膜下种床水热特性,明晰其对棉花生长发育的影响机制,以棉花机械化铺膜播种后的种床为研究对象,利用对比分析的方法,设置4.4 m特宽膜(T1处理)和2.05 m膜(T2处理)两种处理进行种床水热模拟和棉花生长监测。结果表明:水、热和溶质运移模拟软件HYDRUS-2D模型能较好模拟播种后种床的水热变化。在相同田间管理下,T1处理较T2处理耕层含水率、温度分别提升9.7%、5.3%,深层含水率、温度分别提升2.8%、3.6%,耕层储水量、有效积温分别提升9.3%、18%,T1处理的种床水热环境更好;T1的出苗率为91.7%,T2的出苗率为89.8%;全生育期内T1较T2株高、茎粗平均分别提升6.7%、11.5%;T1的棉铃数、单铃质量分别为6.16、6.3g,棉铃分布在中、上层,T2的棉铃数、单铃质量分别为6.03、5.9 g,棉铃分布在中、下层,T1的生长特征更好,籽棉产量提升9.1%。结合数据综合分析,特宽膜覆膜改变了种床水热状况,具有更优异的种床水热环境,能提供更多的养分,促使棉种出苗快、齐、均、壮,且后续长势好,提升棉花生长发育中各项特征指标,将整体生育期提升3~4 d,增加棉铃数,优化棉铃分布结构,籽棉产量提升,是一种高效的覆膜种植模式。该研究可为棉花高效种植技术的研制、应用提供理论依据和技术基础。 展开更多
关键词 棉花 特宽膜 种床水热特性 棉苗生长 产量
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镓源温度对LPCVD氧化镓外延温度场影响的仿真研究
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作者 胡继超 赵启阳 +5 位作者 杨志昊 杨莺 彭博 丁雄杰 刘薇 张红 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期452-461,共10页
低压化学气相沉积(LPCVD)卧式反应炉腔体内的温度高,结构复杂,通入反应气体时容易导致反应室内温度分布不均匀,影响制备薄膜的质量。为了制备出更高质量的薄膜,根据反应炉的设备数据建立反应腔体的物理模型;基于热传导、热对流、热辐射... 低压化学气相沉积(LPCVD)卧式反应炉腔体内的温度高,结构复杂,通入反应气体时容易导致反应室内温度分布不均匀,影响制备薄膜的质量。为了制备出更高质量的薄膜,根据反应炉的设备数据建立反应腔体的物理模型;基于热传导、热对流、热辐射等模型,应用有限元仿真软件对反应过程中涉及的流场、热场、化学反应场和稀物质传递场等多物理场进行仿真模拟。通过改变镓源温度等工艺参数,模拟LPCVD反应腔体内的温度变化对β-Ga_(2)O_(3)薄膜沉积特性的影响。仿真结果表明,制备的薄膜均匀性随镓源温度的升高而降低,薄膜的沉积速率随温度的升高而增加,镓源温度为900~950℃时,可以得到质量较好的薄膜。通过优化工艺参数,LPCVD外延生长的β-Ga_(2)O_(3)薄膜的厚度和均匀度得到提升,可以制备出性能更加良好的Ga_(2)O_(3)器件。 展开更多
关键词 低压化学气相沉积 Ga_(2)O_(3) 有限元仿真 温场 薄膜均匀性 生长速率
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非层状二维γ-In_(2)Se_(3)的各向异性生长及其光学特性
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作者 雷子煊 张文婷 +1 位作者 夏晓凤 王红艳 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第6期58-65,共8页
非层状二维(2D)γ-In_(2)Se_(3)具有优异的光学和电学性能,在超薄柔性器件和光电探测领域具有广泛的应用前景.然而,相较于层状的类石墨烯材料,非层状材料固有的各向同性化学键,使得其二维各向异性生长面临较大的挑战.本研究构建了一种... 非层状二维(2D)γ-In_(2)Se_(3)具有优异的光学和电学性能,在超薄柔性器件和光电探测领域具有广泛的应用前景.然而,相较于层状的类石墨烯材料,非层状材料固有的各向同性化学键,使得其二维各向异性生长面临较大的挑战.本研究构建了一种新的化学气相沉积(CVD)生长策略,成功制备了高质量的2Dγ-In_(2)Se_(3).首次选用低熔点的铟粉为前驱体,有效降低了生长温度.此外,生长过程去除了CVD法合成二维硒化物时不可避免的危险气体H_(2),这不仅能有效抑制InSe副产物的形成,还降低了实验危险性.通过探究原料用量、生长温度及时间等参数对样品形貌和厚度的影响,获得了最佳生长窗口.详细表征了2Dγ-In_(2)Se_(3)的微观形貌、化学组分、晶体结构和光学特性等.结果表明,样品具有强烈的光致发光(PL)效应,与γ-In_(2)Se_(3)的直接带隙属性相吻合.随着厚度的减小,PL峰会发生蓝移,说明光学带隙随之增大.Raman光谱显示,不同厚度的样品其特征峰也会发生移动,说明厚度会影响2Dγ-In_(2)Se_(3)的分子振动行为.由此可见,通过生长参数调控2Dγ-In_(2)Se_(3)的厚度,可实现对其光学带隙和分子振动行为的调控,这将为相关的理论研究和光电器件应用提供基本的材料平台. 展开更多
关键词 非层状材料 二维γ-In_(2)Se_(3) 化学气相沉积 各向异性生长 带隙
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不同类型地膜覆盖对旱作区饲用玉米生长及土壤水热状况的影响
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作者 代立兰 赵亚兰 +3 位作者 李明凯 王锦 张光全 曹靖 《寒旱农业科学》 2025年第7期628-632,共5页
为了筛选出适宜旱作区玉米生产的地膜种类,研究了全生物降解地膜、渗水型全生物降解地膜和普通PE地膜对饲用玉米生长和产量、土壤水热状况的影响及地膜残留状况。结果表明,与普通PE地膜相比,全生物降解地膜、渗水型全生物降解地膜分别... 为了筛选出适宜旱作区玉米生产的地膜种类,研究了全生物降解地膜、渗水型全生物降解地膜和普通PE地膜对饲用玉米生长和产量、土壤水热状况的影响及地膜残留状况。结果表明,与普通PE地膜相比,全生物降解地膜、渗水型全生物降解地膜分别在覆膜后25、35 d开始裂缝进入诱导期(裂缝<1 cm),在78、82 d进入破裂期(裂缝>3 cm),在148、156 d进入崩解期(裂缝>5 cm)。与对照普通PE地膜相比较,全生物降解地膜、渗水型全生物降解地膜覆盖处理的玉米出苗期、拔节期有所延迟,而大喇叭口期、抽雄期、蜡熟初期有所提前;耕作层土壤含水率在大喇叭口期下降11.66%、5.61%,乳熟期下降19.52%、7.14%;土壤温度在玉米生育前期(苗期至拔节期)下降不明显,后期(大喇叭口期至乳熟期)下降幅度稍大;玉米鲜秸秆产量分别显著下降12.39%、13.34%(P <0.05);地膜投入分别提高100%、125%,毛利润分别下降10.60%、12.51%,地膜残留量分别下降58.33%、33.33%。综合考虑认为,全生物降解地膜、渗水型全生物降解地膜在干旱的雨养农业区对饲用玉米生物产量有一定影响,加之全生物降解地膜、渗水型全生物降解地膜价格偏高,使得种植饲用玉米毛利润减少,但由于全生物降解地膜的地膜残留量较普通PE地膜显著下降,有利于饲用玉米产业乃至的可持续高质量发展。 展开更多
关键词 全生物降解地膜 饲用玉米 生长 产量 土壤水热状况 地膜残留量
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基于mist CVD的高纯相α-Ga_(2)O_(3)生长与光电响应特性研究
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作者 姚苏昊 张茂林 +4 位作者 季学强 杨莉莉 李山 郭宇锋 唐为华 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期233-243,共11页
超宽禁带半导体氧化镓(Ga_(2)O_(3))在功率电子和信息传感方面有重要应用,其高效、经济的制备方法是实现产业推广的重要环节。本文报道了一种Sn辅助雾相化学气相沉积(mist CVD)技术,基于这种非真空、低成本方法在c面蓝宝石衬底上成功外... 超宽禁带半导体氧化镓(Ga_(2)O_(3))在功率电子和信息传感方面有重要应用,其高效、经济的制备方法是实现产业推广的重要环节。本文报道了一种Sn辅助雾相化学气相沉积(mist CVD)技术,基于这种非真空、低成本方法在c面蓝宝石衬底上成功外延生长了高质量纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜。实验通过mist CVD生长温度的调控探索,获得了纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜外延生长的温度区间为500~600℃。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱、X射线光电子能谱(XPS)等方法对纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜进行了物相、形貌、光学特征、元素含量和价态表征,结果表明600℃生长的α-Ga_(2)O_(3)薄膜具有更高的结晶度,更致密和平整的表面形貌。进一步地,通过构建金属-半导体-金属(MSM)结构的光电探测器,研究了α-Ga_(2)O_(3)薄膜的深紫外(DUV)光电响应性能。500和600℃制备α-Ga_(2)O_(3)薄膜,其光暗电流比(PDCR)分别为5.85×10^(5)和7.48×10^(3),外量子效率(EQE)分别为21.8%和520%,响应度分别为0.044和1.09 A/W。在6 V偏压和254 nm光照下,500℃生长的α-Ga_(2)O_(3)薄膜的响应时间为0.97/0.36 s,600℃的样品响应时间却增大为2.89/4.92 s,这主要是Sn辅助生长在α-Ga_(2)O_(3)薄膜内形成了施主杂质,影响了载流子的输运效率。 展开更多
关键词 α-Ga_(2)O_(3) 雾相化学气相沉积 Sn辅助生长 光电响应 沉积温度 掺杂激活
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氢氩比率对石墨烯岛形状的影响
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作者 李诚达 周梦 +1 位作者 窦富良 李军 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第1期67-72,共6页
材料的结构在决定其性能方面起着关键作用。石墨烯的性能除了受到层数的调控之外,石墨烯岛的形状也是影响其性能的一个重要因素。文章使用低压化学气相沉积技术,在液态铜表面生长出石墨烯岛。然后通过调节氢气(H_(2))和氩气(Ar)的比率,... 材料的结构在决定其性能方面起着关键作用。石墨烯的性能除了受到层数的调控之外,石墨烯岛的形状也是影响其性能的一个重要因素。文章使用低压化学气相沉积技术,在液态铜表面生长出石墨烯岛。然后通过调节氢气(H_(2))和氩气(Ar)的比率,最终实现了多种形状石墨烯岛的可控制备。研究结果表明,正六边形石墨烯岛的生长速率远低于其他形状的石墨烯。基于此,提出了一个涵盖不同形状石墨烯岛生长机理的理论模型。这一模型不仅有助于理解石墨烯生长的基本原理,也将进一步指导未来的实验设计和石墨烯材料的开发。 展开更多
关键词 石墨烯岛 氢氩比 化学气相沉积 液态铜 生长机理
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化学气相沉积法生长石墨烯的现状及展望
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作者 黄子翀 刘伟林 +3 位作者 李骏 蒋宇 袁国文 高力波 《新型炭材料(中英文)》 北大核心 2025年第3期457-476,共20页
石墨烯自2004年被发现以来,其优异的物理化学性质引发广泛关注。在各种合成方法中,化学气相沉积(CVD)法凭借可控性、低成本及规模化优势,已发展成为制备高质量石墨烯薄膜的主流方法。本文系统回顾了CVD法制备石墨烯的技术发展历程,重点... 石墨烯自2004年被发现以来,其优异的物理化学性质引发广泛关注。在各种合成方法中,化学气相沉积(CVD)法凭借可控性、低成本及规模化优势,已发展成为制备高质量石墨烯薄膜的主流方法。本文系统回顾了CVD法制备石墨烯的技术发展历程,重点论述了单晶石墨烯生长、表面平整度调控、层数精确控制及高效规模化制备等关键领域的最新进展。通过优化衬底设计、引入质子辅助解耦技术及氧辅助技术等多种策略,已实现晶圆级单晶石墨烯的制备,其电学性能指标接近机械剥离样品。然而,绝缘衬底直接生长、低温条件下高质量制备及缺陷动态控制等方面仍存在技术挑战。未来,新型碳源开发、多功能集成工艺及卷对卷工业化生产技术的结合,将推动石墨烯在柔性电子、能源存储等领域的广泛应用。 展开更多
关键词 石墨烯 二维材料 化学气相沉积 形貌调控 规模化生长
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柔性光伏组件背板用CGF/PP有机片材的湿热老化可靠性
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作者 陈光剑 金学斌 +4 位作者 阚宏俊 王学贵 陈先赛 康忠平 柴君凌 《工程塑料应用》 北大核心 2025年第4期130-135,共6页
轻质柔性光伏组件在承载能力有限的工商业屋顶具有广泛的应用前景,而其背板所用的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)材料存在刚性支撑不足、易湿热分解等问题,影响组件的抗变形和电气性能。为探索连续玻璃纤维增强聚丙烯(CGF/PP)有机片材作为轻... 轻质柔性光伏组件在承载能力有限的工商业屋顶具有广泛的应用前景,而其背板所用的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)材料存在刚性支撑不足、易湿热分解等问题,影响组件的抗变形和电气性能。为探索连续玻璃纤维增强聚丙烯(CGF/PP)有机片材作为轻质柔性光伏组件背板支撑层材料的可行性,对其湿热老化可靠性进行研究,为柔性光伏组件的制备和性能优化提供参考。采用48 h的饱和蒸汽试验(PCT)和1000 h的85℃&85%相对湿度的湿热老化法(DH85),对未涂覆氟碳涂层的CGF/PP有机片材进行湿热老化测试,该有机片材由CGF/PP预浸带按[0/90/0]铺层制成。PCT试验结果显示,CGF/PP有机片材湿热老化后的力学性能保持率良好,湿热破坏主要发生在CGF/PP界面;抗氧剂的含量和类型对其力学强度和黄变有显著影响,耐高温、耐水解型抗氧剂抑制黄变效果更佳。DH85试验结果表明,该有机片材的水蒸气透过率稳定性较好;在湿热条件下,抗氧剂对PP基体提供保护抑制裂纹扩散,使水蒸气透过率维持在2.5 g/(m^(2)·d)以内,添加耐水解、耐萃取型抗氧剂的样品表现最优。CGF/PP有机片材若与氟膜/氟碳复合成光伏背板材料,其可靠性将进一步提升,具备作为轻质柔性光伏组件背板材料的潜力。 展开更多
关键词 连续玻璃纤维增强聚丙烯 轻质柔性光伏组件 光伏背板 湿热老化 水蒸气透过率
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Numerical simulation of chemical vapor deposition reaction in polysilicon reduction furnace 被引量:1
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作者 夏小霞 王志奇 刘斌 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第1期44-51,共8页
Three-dimensional model of chemical vapor deposition reaction in polysilicon reduction furnace was established by considering mass, momentum and energy transfer simultaneously. Then, CFD software was used to simulate ... Three-dimensional model of chemical vapor deposition reaction in polysilicon reduction furnace was established by considering mass, momentum and energy transfer simultaneously. Then, CFD software was used to simulate the flow, heat transfer and chemical reaction process in reduction furnace and to analyze the change law of deposition characteristic along with the H_2 mole fraction, silicon rod height and silicon rod diameter. The results show that with the increase of H_2 mole fraction, silicon growth rate increases firstly and then decreases. On the contrary, SiHCl_3 conversion rate and unit energy consumption decrease firstly and then increase. Silicon production rate increases constantly. The optimal H_2 mole fraction is 0.8-0.85. With the growth of silicon rod height, Si HCl3 conversion rate, silicon production rate and silicon growth rate increase, while unit energy consumption decreases. In terms of chemical reaction, the higher the silicon rod is, the better the performance is. In the view of the top-heavy situation, the actual silicon rod height is limited to be below 3 m. With the increase of silicon rod diameter, silicon growth rate decreases firstly and then increases. Besides, SiHCl_3 conversion rate and silicon production rate increase, while unit energy consumption first decreases sharply, then becomes steady. In practice, the bigger silicon rod diameter is more suitable. The optimal silicon rod diameter must be over 120 mm. 展开更多
关键词 polysilicon reduction furnace chemical vapor deposition silicon growth rate
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热液成矿系统构造控矿理论 被引量:13
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作者 杨立强 杨伟 +6 位作者 张良 高雪 申世龙 王偲瑞 徐瀚涛 贾晓晨 邓军 《地学前缘》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期239-266,共28页
构造对成矿的控制是热液成矿系统的典型特征之一,系统剖析多重尺度控矿构造的几何学、运动学、动力学、流变学和热力学对认识矿床成因和预测找矿至关重要;而如何实现控矿构造格架、渗透性结构、成矿流体通道和矿化变形网络由静态到多尺... 构造对成矿的控制是热液成矿系统的典型特征之一,系统剖析多重尺度控矿构造的几何学、运动学、动力学、流变学和热力学对认识矿床成因和预测找矿至关重要;而如何实现控矿构造格架、渗透性结构、成矿流体通道和矿化变形网络由静态到多尺度时-空四维动态的转变,查明流体通道和矿床增量生长过程与控制因素,揭示热液成矿系统的构造-流体耦合成矿机制和定位规律是亟待解决的关键科学难题。为此,我们在对已有相关成果系统梳理的基础上,提出了科学构建热液成矿系统构造控矿理论的基本要点与对应方法及应用范畴:(1)流体而非构造是构造控矿理论的中心,热液系统的流体流动与成矿作用受控于断裂带格架及其渗透性结构,其中渗透率是将流体流动与流体压力变化联系起来理解控矿构造的核心;(2)不同控矿构造组合的关键控制是构造差应力和流体压力的大小,而矿化类型的变化可能是由于构造应力场引起的容矿构造方位的不同和赋矿围岩之间的强度差异所致;(3)流体通道的生长始于超压流体储库上游围岩中孤立的微裂隙沿流体压力梯度最大的方向、随裂隙发育且相互连结而形成新的长裂隙,并最终连通形成断裂网络内的流体通道,矿床的增量生长发生在高流体通量的短爆发期,断层反复滑动驱动其内流体压力、流速和应力快速变化,当由此诱发的流体通道生长破坏了流体系统的动态平衡时,随之而来的流体快速降压就成为金属沉淀成矿的关键驱动因素;(4)以热液裂隙-脉系统野外地质观测和构造-蚀变-矿化网络三维填图为基础,通过宏观与微观各级控矿构造相结合、地质历史与构造应力分析相结合、局部与区域点-线-面相结合、浅部与深部相结合、时间与空间相结合、定性和定量相结合,对各种控矿因素开展多学科、多尺度、多层次、全方位综合研究,是应遵循的基本原则;(5)通过构造-蚀变-矿化网络填图,将蚀变-矿化体与控矿构造的类型、形态、规模、产状和间距等几何学特征联系起来,利用热液裂隙-脉系统和断裂网络拓扑学及矿体三维几何结构分析等定量方法查明控矿构造格架和渗透性结构并揭示矿化变形网络的连通性与成矿潜力;(6)合理构建地质模型,选取合适的热力学参数和动力学边界条件,利用HCh和COMSOL等方法,定量模拟成矿过程中的流体流动、热-质传递、应力变形和化学反应等的时-空变化,是揭示构造-流体耦合成矿机理和定位规律、预测矿化中心和确定找矿目标的有效途径。进而提出了构造控矿理论的研究流程:聚焦构造-流体耦合成矿机制和定位规律这一关键科学问题,选择热液裂隙-脉系统和构造-蚀变-矿化网络为重点研究对象;通过几何学描述、运动学判断、流变学分析、动力学解析和热力学综合,厘定控矿构造格架,定位矿化中心,示踪成矿流体通道和多种矿化样式的增量生长过程及其关键控制,揭示渗透性结构的时-空演变规律及构造再活化与成矿定位的成因关联,建立构造-流体耦合成矿模式,服务新一轮战略找矿突破。以胶东焦家金矿田为例,开展控矿构造理论研究和成矿预测应用实践,证实了其科学性和有效性。 展开更多
关键词 热液裂隙-脉系统 构造-蚀变-矿化网络 渗透性结构与成矿定位 流体通道和矿床增量生长 构造-流体耦合成矿模式
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中国东北极端持续大—暴雪事件的个例成因及可预测性 被引量:2
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作者 范可 杨洪卿 +1 位作者 田宝强 王路杉 《大气科学学报》 CSCD 北大核心 2024年第2期201-215,共15页
2013年11月东北大—暴雪持续日数为1982—2020年同期最多的一年。其中,2013年11月17—20日和25日先后发生两次强降雪过程,其中第一次过程降雪持续时间较长,而第二次过程日降雪强度强。基于此,从2013年11月月际异常气候背景和两次强降雪... 2013年11月东北大—暴雪持续日数为1982—2020年同期最多的一年。其中,2013年11月17—20日和25日先后发生两次强降雪过程,其中第一次过程降雪持续时间较长,而第二次过程日降雪强度强。基于此,从2013年11月月际异常气候背景和两次强降雪过程的角度,开展其成因和可预测性研究。研究结果表明,2013年11月北极涛动(AO)正位相异常偏强、类北太平洋涛动(NPO)负位相、巴伦支海以北的海冰月增长量(11月减9月)异常偏多和热带-南印度洋海温异常偏暖的气候背景有利于这次东北持续性大—暴雪事件的发生。其中,2013年11月巴伦支海以北的海冰月增长量偏多,意味着季节性海冰生长量增加使得向大气中释放的潜热通量增加,气温偏高,有利于AO正位相加强并激发罗斯贝(Rossby)波列,使得阿留申低压减弱;同时11月热带-南印度洋海温异常偏暖,热带印度洋对流加强和热带西太平洋对流减弱,有利于西北太平洋-阿留申地区维持“气旋-反气旋”式环流异常,呈现类NPO负位相。这样的环流形势有利于从北太平洋向东北地区持续输送水汽。第一次强降雪过程(17—20日)发生前5 d(12—16日)到降雪过程结束(20日),北大西洋涛动(NAO)维持正位相并且强度达到冬半年最强,由此激发持续东传Rossby波,使得西北太平洋-阿留申地区为持续性的南北向“气旋-反气旋”式环流异常,有利于北太平洋水汽持续输送至东北地区。在2013年11月25日第二次强降雪过程中,乌拉尔山阻塞高压显著加强,东北低涡加深,有利于热带西太平洋更为暖湿的水汽输送至东北地区,与北太平洋输送的水汽共同导致第二次强降雪过程的日降雪强度大。最后,利用CFSv2评估2013年11月异常气候背景的可预测性,结果表明CFSv2可提前1个月预测2013年11月热带-南印度洋海温异常偏暖,但对热带印度洋和西太平洋对流异常、NAO以及热带-中高纬大气遥相关预测能力较弱。在次季节尺度上,ECMWF(CMA)能提前29(12)d和13(16)d合理预测出两次过程降雪量的空间分布,这可能是由于模式能合理再现NAO和乌拉尔山阻塞高压等关键环流系统的逐日变化。因此未来还有待提升热带-中高纬大气遥相关、水汽输送以及平流层极涡的次季节-季节预测效能。 展开更多
关键词 中国东北 11月持续性大—暴雪 强降雪过程 季节性海冰生长量 中高纬环流 水汽输送 次季节-季节气候可预测性
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立方砷化硼晶体生长、性能及应用研究进展 被引量:1
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作者 王媛媛 张璐 +6 位作者 程洗洗 钱麒 徐欢 徐华 杨雪舟 杨波波 邹军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第17期104-113,共10页
立方砷化硼(c-BAs)是一种间接带隙、闪锌矿结构的新型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。第一性原理计算预测c-BAs具有超高的热导率,从而激发了对其晶体合成和性能研究的热潮。尤其是近年来在晶体生长方面取得的突破性进展,通过化学气相传输(CVT... 立方砷化硼(c-BAs)是一种间接带隙、闪锌矿结构的新型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。第一性原理计算预测c-BAs具有超高的热导率,从而激发了对其晶体合成和性能研究的热潮。尤其是近年来在晶体生长方面取得的突破性进展,通过化学气相传输(CVT)法制备了毫米尺寸的高质量c-BAs单晶,室温下其热导率高达1300 W·m^(-1)·K^(-1),吸引了人们极大的关注,也进一步鼓舞了人们对其理论和实验方面的研究。本综述将归纳总结近年来关于c-BAs理论计算、晶体生长、物理性能以及材料应用方面的研究进展,阐述了该晶体制备方面所面临的挑战,并对其发展前景进行展望。 展开更多
关键词 砷化硼 晶体生长 化学气相传输 热导率 热管理材料
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