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HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
1
作者
朱秋玲
徐静平
+2 位作者
邹晓
黎沛涛
李春霞
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007年第5期583-585,共3页
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO...
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。
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关键词
GeMOS
hftio
HFO2
介电常数
界面态密度
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职称材料
表面预处理对Ge MOS电容特性的影响
被引量：
2
2
作者
邹晓
蒋万翔
徐静平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期573-575,606,共4页
通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质GeMOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响。隧穿电子扫描电镜(TEM)、...
通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质GeMOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响。隧穿电子扫描电镜(TEM)、栅电容-电压(C-V)栅极漏电流-电压(J-V)的测量结果表明,湿NO表面预处理能生长高质量的界面层,降低界面态密度,抑制MOS电容的栅极漏电流密度。施加高场应力后,湿NO表面预处理样品的平带漂移及漏电流增加最小,表示器件的可靠性得到有效增强。
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关键词
锗金属氧化物半导体
氧化钛铪
表面预处理
界面层
高k
磁控溅射法
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职称材料
退火气氛对Ge MOS电容电特性的影响
3
作者
邹晓
徐静平
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期84-86,共3页
采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数κ栅介质薄膜,研究了不同气体(N2、NO、N2O)淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体(MOS)电容性能的影响。透射电子显微镜和电特性测量表明,湿N2退火能有效抑制界面层的生长,提高界面质量...
采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数κ栅介质薄膜,研究了不同气体(N2、NO、N2O)淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体(MOS)电容性能的影响。透射电子显微镜和电特性测量表明,湿N2退火能有效抑制界面层的生长,提高界面质量,改善栅极漏电流特性,从而得到最优的器件性能,即Al/HfTiO/n-Ge MOS电容的栅介质等效氧化物厚0.81 nm,κ=34.5,带隙中央界面态密度为2.4×1011cm-2.eV-1,1 V栅偏压下的栅极漏电流为2.71×10-4A.cm-2。
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关键词
锗金属氧化物半导体
退火气氛
氧化钛铪
界面层
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职称材料
题名
HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
1
作者
朱秋玲
徐静平
邹晓
黎沛涛
李春霞
机构
华中科技大学电子科学与技术系
香港大学电机与电子工程系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007年第5期583-585,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60576021)
中国香港特别行政区科研资助委员会资助项目(HKU7142/05E)
文摘
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。
关键词
GeMOS
hftio
HFO2
介电常数
界面态密度
Keywords
Ge MOS
hftio
HfO2
dielectric constant
interface-state density
分类号
TN305.5 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
表面预处理对Ge MOS电容特性的影响
被引量：
2
2
作者
邹晓
蒋万翔
徐静平
机构
江汉大学机电与建筑工程学院
许昌职业技术学院机电工程系
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期573-575,606,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776016)
文摘
通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质GeMOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响。隧穿电子扫描电镜(TEM)、栅电容-电压(C-V)栅极漏电流-电压(J-V)的测量结果表明,湿NO表面预处理能生长高质量的界面层,降低界面态密度,抑制MOS电容的栅极漏电流密度。施加高场应力后,湿NO表面预处理样品的平带漂移及漏电流增加最小,表示器件的可靠性得到有效增强。
关键词
锗金属氧化物半导体
氧化钛铪
表面预处理
界面层
高k
磁控溅射法
Keywords
Ge MOS
hftio
surface pretreatment
interlayer
high-k
reactive co-sputtering method
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
退火气氛对Ge MOS电容电特性的影响
3
作者
邹晓
徐静平
机构
江汉大学机电与建筑工程学院
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期84-86,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60576021
60776016)
文摘
采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数κ栅介质薄膜,研究了不同气体(N2、NO、N2O)淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体(MOS)电容性能的影响。透射电子显微镜和电特性测量表明,湿N2退火能有效抑制界面层的生长,提高界面质量,改善栅极漏电流特性,从而得到最优的器件性能,即Al/HfTiO/n-Ge MOS电容的栅介质等效氧化物厚0.81 nm,κ=34.5,带隙中央界面态密度为2.4×1011cm-2.eV-1,1 V栅偏压下的栅极漏电流为2.71×10-4A.cm-2。
关键词
锗金属氧化物半导体
退火气氛
氧化钛铪
界面层
Keywords
Ge MOS
annealing ambience
hftio
interlayer
分类号
TN305.5 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
朱秋玲
徐静平
邹晓
黎沛涛
李春霞
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
表面预处理对Ge MOS电容特性的影响
邹晓
蒋万翔
徐静平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
退火气氛对Ge MOS电容电特性的影响
邹晓
徐静平
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
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