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GaAs基底TiO2/SiO2减反射膜的反射率性能分析被引量：8: 1; 作者肖祥江涂洁磊《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期69-73,共5页; 本文设计并制备了适用于砷化镓(GaAs)多结太阳电池的TiO2/SiO2双层减反射膜,通过实测反射谱来验证了理论设计的正确性。利用编程分析了TiO2、SiO2单层膜的厚度及其折射率对双层膜系反射率的影响。结果显示,在短波范围(300～600 nm),TiO... 展开更多; 关键词 gaas多结太阳电池 TiO2/sio2双层减反射膜电子束蒸发折射率; 在线阅读下载PDF 职称材料

溅射共沉积GaAs-SiO_2复合薄膜的XPS研究被引量：1: 2; 作者石旺舟林揆训林璇英《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期366-367,共2页; 采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和... 展开更多; 关键词纳米复合薄膜砷化镓 XPS 二氧化硅半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

高频溅射SiO_2膜掩蔽GaAs和AlGaAs/GaAs中Zn扩散的研究: 3; 作者王雷张培亮 +1 位作者刘静王志忠《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期122-124,共3页; 本文报导了在GaAs、AlGaAs表面上用高频溅射法制备SiO_2膜的淀积规律,特别对用SiO_2膜掩蔽GaAs、AlGaAs/GaAs中的Zn扩散进行了实验研究,结果证明用高频溅射制备SiO_2膜可以有效地掩蔽GaAs,AlGaAs/GaAs中的Zn扩散。; 关键词 sio2膜溅射 gaas gaas/gaas ZN; 在线阅读下载PDF 职称材料

分层沉积GaAs/SiO_2纳米薄膜的结构和吸收光谱: 4; 作者朱慧群丁瑞钦 +1 位作者王忆吴桐庆《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期630-634,共5页; 应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs/S iO2纳米薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)及吸收光谱的测试,发现衬底温度、退火、氢掺杂等制备工艺对分层沉积的GaAs/S iO2纳米... 展开更多; 关键词射频磁控溅射 gaas/sio2纳米薄膜氢掺杂吸收光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs基底TiO2/SiO2减反射膜的反射率性能分析被引量：8: 1; 作者肖祥江涂洁磊; 机构教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期69-73,共5页; 基金云南省重点基金项目(2009CC012) 云南省中青年学术技术带头人后备人才(2008PY054) 长江学者和创新团队发展计划资助; 文摘本文设计并制备了适用于砷化镓(GaAs)多结太阳电池的TiO2/SiO2双层减反射膜,通过实测反射谱来验证了理论设计的正确性。利用编程分析了TiO2、SiO2单层膜的厚度及其折射率对双层膜系反射率的影响。结果显示,在短波范围(300～600 nm),TiO2膜厚对反射率的影响要大于SiO2,而SiO2折射率对反射率的影响比TiO2大;在中波范围(600～900 nm),随着单层膜的厚度和折射率的增加,双层膜系反射率存在一个最小值,变化趋势是先降低,而随后增加。同时,计算结果得到SiO2和TiO2的最优物理膜厚分别为78.61 nm和50.87 nm,此时在短波段中心波长λ1=450 nm处最小反射率为0.0034%,在中波段中心波长λ2=750 nm处最小反射率为0.495%。采用电子束蒸发法在GaAs基底上淀积TiO2/SiO2双层膜,厚度分别为78 nm和50 nm。实测短波和中波相应的反射率极小值分别为0.37%和2.95%,与理论结果吻合较好。; 关键词 gaas多结太阳电池 TiO2/sio2双层减反射膜电子束蒸发折射率; Keywords gaas multi-junction solar cells TiO2/sio2 double-layer anti-reflection coating electron beam evaporation refractive index; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名溅射共沉积GaAs-SiO_2复合薄膜的XPS研究被引量：1: 2; 作者石旺舟林揆训林璇英; 机构汕头大学物理系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期366-367,共2页; 文摘采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和ＳｉＯ２的化学组态存在于复合薄膜之中，但当沉积时基片温度上升到一定值后（我们实验中为４００℃），有部分的Ｇａ和Ａｓ被氧化，其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的ＳｉＯ２中存在着少量的缺氧缺位。; 关键词纳米复合薄膜砷化镓 XPS 二氧化硅半导体; Keywords nanometer composite thin film,gaas,sio 2,XPS; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高频溅射SiO_2膜掩蔽GaAs和AlGaAs/GaAs中Zn扩散的研究: 3; 作者王雷张培亮刘静王志忠; 机构清华大学无线电系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期122-124,共3页; 文摘本文报导了在GaAs、AlGaAs表面上用高频溅射法制备SiO_2膜的淀积规律,特别对用SiO_2膜掩蔽GaAs、AlGaAs/GaAs中的Zn扩散进行了实验研究,结果证明用高频溅射制备SiO_2膜可以有效地掩蔽GaAs,AlGaAs/GaAs中的Zn扩散。; 关键词 sio2膜溅射 gaas gaas/gaas ZN; 分类号 TN305.92 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名分层沉积GaAs/SiO_2纳米薄膜的结构和吸收光谱: 4; 作者朱慧群丁瑞钦王忆吴桐庆; 机构五邑大学薄膜与纳米材料研究所华南理工大学物理科学与技术学院; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期630-634,共5页; 基金广东省自然科学基金(No.04011770) 广东省江门市科技计划基金(江财企2003.61)资助项目; 文摘应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs/S iO2纳米薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)及吸收光谱的测试,发现衬底温度、退火、氢掺杂等制备工艺对分层沉积的GaAs/S iO2纳米薄膜的微观结构和光学性质有明显的影响。本文对相关机理作了探讨。; 关键词射频磁控溅射 gaas/sio2纳米薄膜氢掺杂吸收光谱; Keywords RF magnetron sputtering gaas/sio2 nano-films hydrogen doping absorption spectrum; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaAs基底TiO2/SiO2减反射膜的反射率性能分析	肖祥江涂洁磊	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	溅射共沉积GaAs-SiO_2复合薄膜的XPS研究	石旺舟林揆训林璇英	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	1997	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高频溅射SiO_2膜掩蔽GaAs和AlGaAs/GaAs中Zn扩散的研究	王雷张培亮刘静王志忠	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	分层沉积GaAs/SiO_2纳米薄膜的结构和吸收光谱	朱慧群丁瑞钦王忆吴桐庆	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料