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GaAs开关FET功率特性的研究被引量：4: 1; 作者王磊马伟宾刘帅《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期110-114,共5页; 在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分... 展开更多; 关键词砷化镓场效应晶体管(fet) 栅极电阻功率容量功率压缩; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究被引量：3: 2; 作者顾占彪王淼《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期474-478,共5页; 基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使... 展开更多; 关键词砷化镓场效应晶体管(fet) 微波脉冲固态功率放大器脉冲波形顶部降落脉冲波形顶部过冲; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析被引量：6: 3; 作者林丽艳李用兵《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期143-147,共5页; GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构... 展开更多; 关键词 gaas PHEM低噪声放大器 gaas场效应晶体管(fet) 高温电老炼氢效应退化机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理被引量：2: 4; 作者林丽艳李用兵《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期663-666,共4页; 对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结... 展开更多; 关键词 gaas场效应晶体管(fet) 静电放电(ESD)实验热模型失效模式损伤机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统被引量：10: 5; 作者李东刘百玉 +7 位作者刘进元欧阳娴白永林白晓红王琛田进寿黄蕾李辉《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1304-1306,共3页; 采用射频GaAs场效应管和微带传输线技术,研制出用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统.该系统电脉冲整形宽度为3.5 ns,幅度在0～5 V范围内调节,时域调整精度200ps.整形后的方波,前沿383 ps,后沿642 ps,顶部不平坦度4～5%,波形幅度稳定性... 展开更多; 关键词电脉冲整形系统微带传输线 gaas场效应管; 在线阅读下载PDF 职称材料

整形高功率激光装置的任意电脉冲发生器设计(英文) 被引量：6: 6; 作者刘辉刘百玉 +3 位作者白永林欧阳娴缑永胜郑锦坤《中国光学》 EI CAS 2011年第1期60-65,共6页; 基于GaAs场效应管电压控制电流和开关的特性,设计了一种任意电脉冲发生器,并成功应用于激光脉冲整形装置。该电脉冲发生器利用超宽带窄脉冲触发多个GaAs场效应管,产生多路负脉冲,通过模拟延时线依次将各路负脉冲延迟一定时间后经微带线... 展开更多; 关键词任意波形发生器高功率激光微带线 gaas场效应管; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用集成光学调制器实现ICF固体激光驱动器中激光脉冲任意整形 I.任意整形电脉冲发生器被引量：1: 7; 作者王春陈绍和 +4 位作者马忠林许世忠沈磊邵宗书蒋民华《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期411-415,共5页; 本文利用ＧａＡｓ场效应晶体管电压控制电流和开关特性成功研制了任意整形电脉冲发生器，该整形电脉冲发生器的每个基元电路产生的基元电脉冲形状和宽度与加在栅极的触发信号相同，幅度由加在ＧａＡｓ场效应晶体管上的负偏压决定，各基... 展开更多; 关键词 ICF固体激光驱动器场效应晶体管集成光学调制器惯性约束核聚变; 在线阅读下载PDF 职称材料

W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现被引量：1: 8; 作者张贞鹏方园孟范忠《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期675-680,共6页; 研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC)。该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路。低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露。... 展开更多; 关键词微波单片集成电路(MMIC) gaas PHEMT W波段接收前端场效应晶体管(fet) 三次谐波混频; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs开关FET功率特性的研究被引量：4: 1; 作者王磊马伟宾刘帅; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期110-114,共5页; 文摘在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分析,发现频率下降会降低开关FET的栅压,从而降低开关FET低频下的功率容量。通过增加栅极电阻来提高栅极电压,进而增加开关FET功率容量。最后通过实际的开关电路验证了增大栅极电阻可有效提高开关电路的功率容量,对今后的开关类器件设计工作起到一定的指导意义。; 关键词砷化镓场效应晶体管(fet) 栅极电阻功率容量功率压缩; Keywords gaas field-effect transistor(fet) gate resistance power capacity power compression; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究被引量：3: 2; 作者顾占彪王淼; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期474-478,共5页; 文摘基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。; 关键词砷化镓场效应晶体管(fet) 微波脉冲固态功率放大器脉冲波形顶部降落脉冲波形顶部过冲; Keywords gaas field effect transistor（fet） microwave pulse solid state power amplifier pulse waveform drop pulse waveform overshooting; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析被引量：6: 3; 作者林丽艳李用兵; 机构中国电子科技集团第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期143-147,共5页; 文摘 GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构特点不能对内部FET直接进行参数测试,为进一步研究GaAs FET的氢效应作用机理,对GaAs FET结构单元开展高温电老炼试验,试验过程中GaAs FET电流变化趋势与低噪声放大器相同。分析了GaAs FET结构单元试验过程中饱和漏电流、夹断电压变化趋势,认为导致GaAs FET电参数先减小是由于沟道二维电子气(2DEG)浓度减小和栅金属与GaAs界面状态改变两种机理共同作用,电参数部分恢复主要是栅金属与GaAs界面状态改变起作用。; 关键词 gaas PHEM低噪声放大器 gaas场效应晶体管(fet) 高温电老炼氢效应退化机理; Keywords gaas PHEMT low noise amplifier gaas field effect transistor （fet） high temperature burn-in experiment hydrogen effects degradation mechanism; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理被引量：2: 4; 作者林丽艳李用兵; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期663-666,共4页; 文摘对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结果进行分析,在3"+"3"-"和3"-"极性下,器件失效模式为栅源短路,在3"+"极性下器件电参数退化。运用热模型对ESD正负脉冲电压产生的温升进行了计算,器件的损伤机理为,在正向脉冲下为栅金属纵向电迁移导致肖特基势垒退化;在ESD负向脉冲下为高电场引起栅源端对击穿。; 关键词 gaas场效应晶体管(fet) 静电放电(ESD)实验热模型失效模式损伤机理; Keywords gaas field effect transistor（fet） electronic static discharge（ESD） test thermal model failure mode damage mechanism; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统被引量：10: 5; 作者李东刘百玉刘进元欧阳娴白永林白晓红王琛田进寿黄蕾李辉; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1304-1306,共3页; 文摘采用射频GaAs场效应管和微带传输线技术,研制出用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统.该系统电脉冲整形宽度为3.5 ns,幅度在0～5 V范围内调节,时域调整精度200ps.整形后的方波,前沿383 ps,后沿642 ps,顶部不平坦度4～5%,波形幅度稳定性4～5%(p-p).利用该系统产生的整形电脉冲驱动电光波导调制器进行激光脉冲整形,得到了理想的整形激光脉冲.; 关键词电脉冲整形系统微带传输线 gaas场效应管; Keywords Arbitrary waveform generator （AWG） Microstrip gaas field-effect transistors（fets）; 分类号 TN784.1 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名整形高功率激光装置的任意电脉冲发生器设计(英文) 被引量：6: 6; 作者刘辉刘百玉白永林欧阳娴缑永胜郑锦坤; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所中国科学院西安光学精密机械研究所中国科学院研究生院; 出处《中国光学》 EI CAS 2011年第1期60-65,共6页; 文摘基于GaAs场效应管电压控制电流和开关的特性,设计了一种任意电脉冲发生器,并成功应用于激光脉冲整形装置。该电脉冲发生器利用超宽带窄脉冲触发多个GaAs场效应管,产生多路负脉冲,通过模拟延时线依次将各路负脉冲延迟一定时间后经微带线耦合输出多路负脉冲叠加的波形;通过多路不同幅度的脉冲堆积效应来获得形状任意可调的整形电脉冲。为了满足惯性约束聚变(ICF)实验中对电脉冲幅度不能过小的要求,在电路的输出端接入增益可调的超宽带电压放大器,使脉冲幅度达到实验要求。利用设计的任意电脉冲发生器实现了脉冲幅度0～5 V可调、脉宽0～10ns可调、时域调节精度为330 ps,整形方波脉冲下降沿为330 ps、上升沿为240 ps。实验结果表明,将产生的电脉冲注入光波导调制器,可获得理想形状的整形激光脉冲,提高激光脉冲的输出能量。; 关键词任意波形发生器高功率激光微带线 gaas场效应管; Keywords Arbitrary Waveform Generator（AWG） high power laser micro-strip line gaas Field Effect transistor （fet）; 分类号 TN243 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用集成光学调制器实现ICF固体激光驱动器中激光脉冲任意整形 I.任意整形电脉冲发生器被引量：1: 7; 作者王春陈绍和马忠林许世忠沈磊邵宗书蒋民华; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室中国科学院上海光学精密机械研究所; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期411-415,共5页; 基金国家863-416基金国家博士后科学基金资助.; 文摘本文利用ＧａＡｓ场效应晶体管电压控制电流和开关特性成功研制了任意整形电脉冲发生器，该整形电脉冲发生器的每个基元电路产生的基元电脉冲形状和宽度与加在栅极的触发信号相同，幅度由加在ＧａＡｓ场效应晶体管上的负偏压决定，各基元电路产生的用于叠加的基元电脉冲相互独立，使计算机控制栅极偏压进而控制整形电脉冲的形状成为可能．; 关键词 ICF固体激光驱动器场效应晶体管集成光学调制器惯性约束核聚变; Keywords the generator of arbitrary shaping electrical pulse ICF solid-state laser driver gaas field-effect transistor (fet) basic circuit; 分类号 TL632.1 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现被引量：1: 8; 作者张贞鹏方园孟范忠; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期675-680,共6页; 文摘研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC)。该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路。低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露。对低噪声放大器和谐波混频器两个关键电路进行了设计和仿真,接收前端芯片面积为5.50 mm×4.50 mm,采用标准GaAs PHEMT工艺进行了流片并对其性能进行了测试。在片测试结果表明,在88~104 GHz频段内,通道增益为5.0~7.5 dB,噪声系数小于5.2 dB,射频端口电压驻波比约为2.0;功耗约为0.48 W。该接收前端芯片可广泛应用于W波段阵列电路中。; 关键词微波单片集成电路(MMIC) gaas PHEMT W波段接收前端场效应晶体管(fet) 三次谐波混频; Keywords monolithic microwave integrated circuit(MMIC) gaas PHEMT W-band receiver front-end field effect transistor(fet) third harmonic mixing; 分类号 TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.3 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaAs开关FET功率特性的研究	王磊马伟宾刘帅	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究	顾占彪王淼	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析	林丽艳李用兵	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理	林丽艳李用兵	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统	李东刘百玉刘进元欧阳娴白永林白晓红王琛田进寿黄蕾李辉	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	10	在线阅读下载PDF 职称材料
6	整形高功率激光装置的任意电脉冲发生器设计(英文)	刘辉刘百玉白永林欧阳娴缑永胜郑锦坤	《中国光学》 EI CAS	2011	6	在线阅读下载PDF 职称材料
7	利用集成光学调制器实现ICF固体激光驱动器中激光脉冲任意整形 I.任意整形电脉冲发生器	王春陈绍和马忠林许世忠沈磊邵宗书蒋民华	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现	张贞鹏方园孟范忠	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料