GaAs开关FET功率特性的研究 被引量：4

1

作者 王磊 马伟宾 刘帅 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期110-114,共5页

在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分... 在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分析,发现频率下降会降低开关FET的栅压,从而降低开关FET低频下的功率容量。通过增加栅极电阻来提高栅极电压,进而增加开关FET功率容量。最后通过实际的开关电路验证了增大栅极电阻可有效提高开关电路的功率容量,对今后的开关类器件设计工作起到一定的指导意义。 展开更多

关键词 砷化镓 场效应晶体管(fet) 栅极电阻 功率容量 功率压缩

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究 被引量：3

2

作者 顾占彪 王淼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期474-478,共5页

基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使... 基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。 展开更多

关键词 砷化镓 场效应晶体管(fet) 微波脉冲固态功率放大器 脉冲波形顶部降落 脉冲波形顶部过冲

在线阅读 下载PDF 职称材料

短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型

3

作者 黄庆安 吕世骥 童勤义 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1992年第6期23-29,共7页

本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.

关键词 离子注入 晶体管模型 MESfet gaas

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析 被引量：6

4

作者 林丽艳 李用兵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期143-147,共5页

GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构... GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构特点不能对内部FET直接进行参数测试,为进一步研究GaAs FET的氢效应作用机理,对GaAs FET结构单元开展高温电老炼试验,试验过程中GaAs FET电流变化趋势与低噪声放大器相同。分析了GaAs FET结构单元试验过程中饱和漏电流、夹断电压变化趋势,认为导致GaAs FET电参数先减小是由于沟道二维电子气(2DEG)浓度减小和栅金属与GaAs界面状态改变两种机理共同作用,电参数部分恢复主要是栅金属与GaAs界面状态改变起作用。 展开更多

关键词 gaas PHEM低噪声放大器 gaas场效应晶体管(fet) 高温电老炼 氢效应 退化机理

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理 被引量：2

5

作者 林丽艳 李用兵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期663-666,共4页

对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结... 对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结果进行分析,在3"+"3"-"和3"-"极性下,器件失效模式为栅源短路,在3"+"极性下器件电参数退化。运用热模型对ESD正负脉冲电压产生的温升进行了计算,器件的损伤机理为,在正向脉冲下为栅金属纵向电迁移导致肖特基势垒退化;在ESD负向脉冲下为高电场引起栅源端对击穿。 展开更多

关键词 gaas场效应晶体管(fet) 静电放电(ESD)实验 热模型 失效模式 损伤机理

在线阅读 下载PDF 职称材料

过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展 被引量：3

6

作者 张禹 韦习成 +1 位作者 余运龙 张浩 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期867-873,共7页

过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的... 过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在的研究方向做了展望。 展开更多

关键词 过渡金属二硫族化合物 fet 器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数

7

作者 赵宇航 卢意飞 刘强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-130,159,共7页

利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两... 利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。 展开更多

关键词 MoS2场效应晶体管(fet) Y函数方法 寄生电阻 杂质电荷 回滞特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种GaN FET开关用高压高速驱动器的设计与实现 被引量：2

8

作者 王子青 廖斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期674-678,共5页

设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时... 设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时提高了输入噪声容限,电平转换级、输出级对传统电路结构做了改进,转换速度更快,功耗更低。该电路采用标准硅基高压CMOS工艺制造流片,芯片测试结果表明,负电源工作电压为-5^-40 V,静态电流小于10μA,动态电流为5 m A@10 MHz,传输延时小于20 ns。芯片尺寸为1.42 mm×1.83 mm。该电路具有响应速度快、功耗低以及抗噪声能力强等特点,可广泛应用于微波通信系统中。 展开更多

关键词 Ga N场效应晶体管(fet)开关 高压驱动器 施密特电路 电平转换 死区时间

在线阅读 下载PDF 职称材料

克服FET生物传感器德拜屏蔽效应的研究进展 被引量：1

9

作者 熊恩毅 魏淑华 +4 位作者 张兆浩 魏千惠 张双 方敏 张青竹 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期169-177,共9页

目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测。虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽效应的影响,导致灵敏度降低甚至无法检测。阐述了Bio... 目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测。虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽效应的影响,导致灵敏度降低甚至无法检测。阐述了BioFET的工作原理;介绍了BioFET目前面临的挑战之一——德拜屏蔽效应;解释了德拜屏蔽效应的原理;探讨了克服德拜屏蔽效应的典型方法:增加德拜长度、优化目标物、优化器件结构以及降低电双层影响,并对这4个方面的研究进展从增强机理、具体方法及检测效果等方面进行了详细的分析和总结。 展开更多

关键词 场效应晶体管(fet) 生物传感器 德拜屏蔽效应 电双层 灵敏度

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于FET生物传感器的病原微生物检测系统设计

10

作者 王浩 马金标 +3 位作者 毕明帆 谢新武 程智 王秀清 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第4期83-86,共4页

设计了一种基于场效应管(FET)生物传感器的检测系统。以STM32F103微处理器集成了自动进样、温度控制、光调制、数据采集与放大等模块;同时完成了基于C++软件环境的数据处理与分析人机交互界面的设计。通过对整个系统性能测试实验分析,... 设计了一种基于场效应管(FET)生物传感器的检测系统。以STM32F103微处理器集成了自动进样、温度控制、光调制、数据采集与放大等模块;同时完成了基于C++软件环境的数据处理与分析人机交互界面的设计。通过对整个系统性能测试实验分析,结果表明:该系统检测灵敏度高,响应速度快,性能稳定可靠,抗干扰性强,操作简单、便携,能够较好地满足现场快速检测病原微生物的需求。 展开更多

关键词 场效应管 生物传感器 病原微生物 检测系统

在线阅读 下载PDF 职称材料

不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性

11

作者 刘先婷 刘伟景 李清华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期570-576,共7页

无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性... 无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性的影响,对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET由于掺杂浓度和传导方式不同导致的性能差异。结果表明,随着温度升高,载流子声子散射加剧,器件的寄生电容增加,导致器件的模拟/RF性能下降。体传导的JLNT-FET受到声子散射影响较小,所以其漏源电流受温度影响比表面传导的IMNT-FET小。另外,JLNT-FET的载流子迁移率受沟道重掺杂影响,导致其驱动能力和模拟/RF性能都比IMNT-FET差。研究结果对进一步优化这两类器件及其在电路中的应用具有一定的参考意义。 展开更多

关键词 无结纳米管场效应晶体管(JLNT-fet) 反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-fet) 模拟/射频(RF)特性 环境温度 传导模式

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试

12

作者 睢林 曹咏弘 +3 位作者 王耀利 张凯旗 张翀 程亚昊 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期97-102,共6页

为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的... 为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接,通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试,最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示,1~8 GHz内,器件的插入损耗为-15~-35 dB,回波损耗为-15~-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。 展开更多

关键词 射频器件 无损测试 各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构 gaas金属半导体场效应晶体管(MESfet) 单刀八掷(SP8T)开关 插入损耗

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统 被引量：10

13

作者 李东 刘百玉 +7 位作者 刘进元 欧阳娴 白永林 白晓红 王琛 田进寿 黄蕾 李辉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1304-1306,共3页

采用射频GaAs场效应管和微带传输线技术,研制出用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统.该系统电脉冲整形宽度为3.5 ns,幅度在0～5 V范围内调节,时域调整精度200ps.整形后的方波,前沿383 ps,后沿642 ps,顶部不平坦度4～5%,波形幅度稳定性... 采用射频GaAs场效应管和微带传输线技术,研制出用于高功率激光装置中的电脉冲整形系统.该系统电脉冲整形宽度为3.5 ns,幅度在0～5 V范围内调节,时域调整精度200ps.整形后的方波,前沿383 ps,后沿642 ps,顶部不平坦度4～5%,波形幅度稳定性4～5%(p-p).利用该系统产生的整形电脉冲驱动电光波导调制器进行激光脉冲整形,得到了理想的整形激光脉冲. 展开更多

关键词 电脉冲整形系统 微带传输线 gaas场效应管

在线阅读 下载PDF 职称材料

整形高功率激光装置的任意电脉冲发生器设计(英文) 被引量：6

14

作者 刘辉 刘百玉 +3 位作者 白永林 欧阳娴 缑永胜 郑锦坤 《中国光学》 EI CAS 2011年第1期60-65,共6页

基于GaAs场效应管电压控制电流和开关的特性,设计了一种任意电脉冲发生器,并成功应用于激光脉冲整形装置。该电脉冲发生器利用超宽带窄脉冲触发多个GaAs场效应管,产生多路负脉冲,通过模拟延时线依次将各路负脉冲延迟一定时间后经微带线... 基于GaAs场效应管电压控制电流和开关的特性,设计了一种任意电脉冲发生器,并成功应用于激光脉冲整形装置。该电脉冲发生器利用超宽带窄脉冲触发多个GaAs场效应管,产生多路负脉冲,通过模拟延时线依次将各路负脉冲延迟一定时间后经微带线耦合输出多路负脉冲叠加的波形;通过多路不同幅度的脉冲堆积效应来获得形状任意可调的整形电脉冲。为了满足惯性约束聚变(ICF)实验中对电脉冲幅度不能过小的要求,在电路的输出端接入增益可调的超宽带电压放大器,使脉冲幅度达到实验要求。利用设计的任意电脉冲发生器实现了脉冲幅度0～5 V可调、脉宽0～10ns可调、时域调节精度为330 ps,整形方波脉冲下降沿为330 ps、上升沿为240 ps。实验结果表明,将产生的电脉冲注入光波导调制器,可获得理想形状的整形激光脉冲,提高激光脉冲的输出能量。 展开更多

关键词 任意波形发生器 高功率激光 微带线 gaas场效应管

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电特性研究 被引量：5

15

作者 李静雷 郑凯波 +3 位作者 沈浩■ 邢晓艳 孙大林 陈国荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期83-86,共4页

本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法,用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌,测试了它的输出特性曲线和转移特性曲线。当Vds=2 V时,测得场效应管的开启电压Vgt=-16.2 V;计算得到低频跨导gm=46.6nS。在Vgs=0 V时,测得一维... 本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法,用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌,测试了它的输出特性曲线和转移特性曲线。当Vds=2 V时,测得场效应管的开启电压Vgt=-16.2 V;计算得到低频跨导gm=46.6nS。在Vgs=0 V时,测得一维ZnO纳米线的载流子浓度n=1.15×108cm-1,电子迁移率μe=14.4 cm2/Vs,电导率σ=0.26Ω-1cm-1。该场效应管的上限截止频率fH=1585 Hz,漏源极间电容C=25.4 pF。本文还对基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电灵敏度和光电时间响应进行了测试分析。 展开更多

关键词 氧化锌 纳米线 场效应管 频率响应

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种可用于RFID系统中的方向回溯阵列设计 被引量：3

16

作者 陈蕾 史小卫 +1 位作者 余剑峰 陈阳 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期71-75,共5页

通过射频混频技术实现单元相位共轭的方式,设计了一个C波段方向回溯阵列,采用收发共用天线单元减小阵列体积.混频模块基于输入/输出共用端口的场效应晶体管混频器完成相位共轭,引入定向耦合器用于提高收发端口的隔离度并抑制射频泄露信... 通过射频混频技术实现单元相位共轭的方式,设计了一个C波段方向回溯阵列,采用收发共用天线单元减小阵列体积.混频模块基于输入/输出共用端口的场效应晶体管混频器完成相位共轭,引入定向耦合器用于提高收发端口的隔离度并抑制射频泄露信号,该阵列具有成本低、体积小、隔离度高、作用距离远等优点.制作了四元方向回溯阵列,在发射信号频率为5.81GHz、本振信号频率为11.6GHz时,进行了测试,结果表明,该阵列在±33°入射角度范围内具有良好的方向回溯功能,可应用于射频识别系统中. 展开更多

关键词 方向回溯阵列 场效应晶体管混频器 高隔离度 射频识别

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧化锌纳米线晶体管的电学特性研究 被引量：3

17

作者 付晓君 张海英 徐静波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期778-781,785,共5页

成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析。使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的器件具有良好的直流特性,进行退火... 成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析。使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的器件具有良好的直流特性,进行退火后进一步改善器件的源漏接触,提高器件性能,最终制备成功的场效应晶体管显示出p型MOS的特性,其开关态电流比达到105。在Vds=2.5 V时,跨导峰值为0.4μS,栅氧电容约为0.9 fF,器件夹断电压Vth为0.6 V,沟道迁移率约为87.1 cm2/V.s,计算得到氧化锌纳米线载流子浓度ne=6.8×108 cm-3。在Vgs=0 V时,器件沟道电阻率为100Ω.cm。 展开更多

关键词 氧化锌 纳米线 场效应晶体管 背栅 退火

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用集成光学调制器实现ICF固体激光驱动器中激光脉冲任意整形 I.任意整形电脉冲发生器 被引量：1

18

作者 王春 陈绍和 +4 位作者 马忠林 许世忠 沈磊 邵宗书 蒋民华 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期411-415,共5页

本文利用ＧａＡｓ场效应晶体管电压控制电流和开关特性成功研制了任意整形电脉冲发生器，该整形电脉冲发生器的每个基元电路产生的基元电脉冲形状和宽度与加在栅极的触发信号相同，幅度由加在ＧａＡｓ场效应晶体管上的负偏压决定，各基... 本文利用ＧａＡｓ场效应晶体管电压控制电流和开关特性成功研制了任意整形电脉冲发生器，该整形电脉冲发生器的每个基元电路产生的基元电脉冲形状和宽度与加在栅极的触发信号相同，幅度由加在ＧａＡｓ场效应晶体管上的负偏压决定，各基元电路产生的用于叠加的基元电脉冲相互独立，使计算机控制栅极偏压进而控制整形电脉冲的形状成为可能． 展开更多

关键词 ICF固体激光驱动器 场效应晶体管 集成光学 调制器 惯性约束核聚变

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于流体动力学模型的2维砷化镓金属半导体场效应管数值模拟 被引量：3

19

作者 贡顶 韩峰 王建国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1134-1138,共5页

介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型,并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法。使用流体动力学模型,对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值模拟,得到了该器件... 介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型,并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法。使用流体动力学模型,对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值模拟,得到了该器件的I-V曲线、电子密度分布和电子温度分布。数值模拟结果表明,器件栅极电压越负,肖特基结的耗尽层越厚,源漏电流越小;在耗尽层内电场最强处,电子温度达到4 000 K;在强电场下,电子温度将严重偏离晶格温度,形成所谓热电子。 展开更多

关键词 金属半导体场效应管 砷化镓 2维半导体模拟 流体动力学模型 AUSM+up格式

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于石墨烯场效应晶体管的研究进展 被引量：3

20

作者 王聪 刘玉荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期561-569,579,共10页

在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子... 在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子限制法在调控石墨烯带隙方面比外加电场调节法和引入应力法更具有实用价值。重点探讨了几种GFET有源层石墨烯薄膜的制备方法:外延生长法、剥离法、化学气相沉积法(CVD)、氧化石墨烯还原法、旋涂法以及喷涂法,并对比分析了各种制备方法的优缺点。最后概述了GFET的应用前景和挑战。 展开更多

关键词 石墨烯 场效应晶体管(fet) 带隙调控 超高迁移率 制备工艺

在线阅读 下载PDF 职称材料