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GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
1
作者
张桂成
吴征
+1 位作者
陈自姚
周炳林
《电子科学学刊》
CSCD
1989年第3期334-337,共4页
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化...
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
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关键词
发光管
双异质结
gaa
IAs
gaas
全文增补中
题名
GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
1
作者
张桂成
吴征
陈自姚
周炳林
机构
中国科学院上海冶金研究所
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1989年第3期334-337,共4页
文摘
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
关键词
发光管
双异质结
gaa
IAs
gaas
Keywords
LED
gaalas/gaas double heterojunction
Deep level
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
张桂成
吴征
陈自姚
周炳林
《电子科学学刊》
CSCD
1989
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