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Cu(In，Ga)Se_2集成电池吸收层的三步共蒸工艺
被引量：
5
1
作者
张力
孙云
+4 位作者
何青
徐传明
肖建平
薛玉明
李长健
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期895-899,共5页
利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0．7)Ga_(0．3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生...
利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0．7)Ga_(0．3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4．23%、5．16%和7．03%(测试条件为：AM1．5,1000W/cm^2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。
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关键词
CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜
预置层(In0.7Ga0.3)2
se3
集成组件
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职称材料
一种制备MexSey(Me=Cu,In,Ga)的简便工艺
被引量：
1
2
作者
冯海权
李晨辉
+2 位作者
杨腾飞
谭志龙
管伟明
《化学与生物工程》
CAS
2014年第2期38-41,共4页
提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3的简便工艺。以高纯铜粉、铟块、镓块、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英...
提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3的简便工艺。以高纯铜粉、铟块、镓块、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英管密封,分别加热到300℃、500℃、650℃和770℃,最后打破石英管取出产物研成粉末,进行XRD分析。结果表明:在升温速率为1℃·min-1、冷却方式为炉冷的条件下,300℃保温3h得到单相的Cu2Se;300℃、500℃和650℃分别保温3h,得到单相的In2Se3;300℃、500℃、650℃和770℃分别保温3h,得到Ga2Se3相和少量的GaSe相。
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关键词
Cu2Se
In2
se3
ga2
se3
CIGS靶材
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职称材料
题名
Cu(In，Ga)Se_2集成电池吸收层的三步共蒸工艺
被引量：
5
1
作者
张力
孙云
何青
徐传明
肖建平
薛玉明
李长健
机构
南开大学光电子研究所
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期895-899,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863)(20041AA513020)
文摘
利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0．7)Ga_(0．3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4．23%、5．16%和7．03%(测试条件为：AM1．5,1000W/cm^2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。
关键词
CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜
预置层(In0.7Ga0.3)2
se3
集成组件
Keywords
CuIn0.7Ga0.3Se2 thin film
precursor （ In0.7 Ga0.3 ）2
se3
integrated modules
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
一种制备MexSey(Me=Cu,In,Ga)的简便工艺
被引量：
1
2
作者
冯海权
李晨辉
杨腾飞
谭志龙
管伟明
机构
华中科技大学材料科学与工程学院
昆明贵金属研究所
出处
《化学与生物工程》
CAS
2014年第2期38-41,共4页
基金
云南省科技厅院所技术开发专项(项目编号:2012010202)的经费支持
文摘
提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3的简便工艺。以高纯铜粉、铟块、镓块、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英管密封,分别加热到300℃、500℃、650℃和770℃,最后打破石英管取出产物研成粉末,进行XRD分析。结果表明:在升温速率为1℃·min-1、冷却方式为炉冷的条件下,300℃保温3h得到单相的Cu2Se;300℃、500℃和650℃分别保温3h,得到单相的In2Se3;300℃、500℃、650℃和770℃分别保温3h,得到Ga2Se3相和少量的GaSe相。
关键词
Cu2Se
In2
se3
ga2
se3
CIGS靶材
Keywords
Cu2 Se
In2
se3
ga2 se3
CIGS target
分类号
O436.3 [机械工程—光学工程]
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cu(In，Ga)Se_2集成电池吸收层的三步共蒸工艺
张力
孙云
何青
徐传明
肖建平
薛玉明
李长健
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种制备MexSey(Me=Cu,In,Ga)的简便工艺
冯海权
李晨辉
杨腾飞
谭志龙
管伟明
《化学与生物工程》
CAS
2014
1
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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