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GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究
被引量:
3
1
作者
顾占彪
王淼
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期474-478,共5页
基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使...
基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。
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关键词
砷化镓
场效应晶体管(
fet
)
微波脉冲固态功率放大器
脉冲波形顶部降落
脉冲波形顶部过冲
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职称材料
GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析
被引量:
6
2
作者
林丽艳
李用兵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期143-147,共5页
GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构...
GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构特点不能对内部FET直接进行参数测试,为进一步研究GaAs FET的氢效应作用机理,对GaAs FET结构单元开展高温电老炼试验,试验过程中GaAs FET电流变化趋势与低噪声放大器相同。分析了GaAs FET结构单元试验过程中饱和漏电流、夹断电压变化趋势,认为导致GaAs FET电参数先减小是由于沟道二维电子气(2DEG)浓度减小和栅金属与GaAs界面状态改变两种机理共同作用,电参数部分恢复主要是栅金属与GaAs界面状态改变起作用。
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关键词
GAAS
PHEM低噪声放大器
GaAs场效应晶体管(
fet
)
高温电老炼
氢效应
退化机理
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职称材料
新型的高性能交流稳压电源
被引量:
1
3
作者
沈祖冀
《机电工程》
CAS
2001年第2期33-34,共2页
在电源的输入与负载之间串连一只阻抗器 ,通过接入反馈控制网络自动调整阻抗器的电阻值 ,来稳定输出电压 ,就形成了串连式稳压器。形成这只阻抗器的电路由场效应管、运算放大器、晶体管和整流桥组成 ;这只阻抗器的等效电阻是纯电阻 ,所...
在电源的输入与负载之间串连一只阻抗器 ,通过接入反馈控制网络自动调整阻抗器的电阻值 ,来稳定输出电压 ,就形成了串连式稳压器。形成这只阻抗器的电路由场效应管、运算放大器、晶体管和整流桥组成 ;这只阻抗器的等效电阻是纯电阻 ,所以在调整电压的过程中不会产生谐波 ,也就是不会产生正弦波失真 ;反馈控制网络有极稳定的基准电压 ,比较器是增益很高的运算放大器 ,电路有非常好的转换线性 ,因此该装置有很高的稳压精度。
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关键词
正弦波
谐波
场效应管
运算放大器
高性能交流稳压电源
阻抗器
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职称材料
C波段固态功率放大器的研制及其可靠性验证
4
作者
王忠
牛赫一
+2 位作者
银军
刘辰熙
李用兵
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第11期900-905,共6页
为了满足卫星通信大功率、高线性的特殊需求,研制了一款C波段70 W高线性大功率固态功率放大器(SSPA)。通过改进芯片材料结构、器件的匹配状态及工作状态,建立了器件的非线性模型,在满足功率和效率的基础上,实现了功率器件线性指标的提...
为了满足卫星通信大功率、高线性的特殊需求,研制了一款C波段70 W高线性大功率固态功率放大器(SSPA)。通过改进芯片材料结构、器件的匹配状态及工作状态,建立了器件的非线性模型,在满足功率和效率的基础上,实现了功率器件线性指标的提高。在SSPA中设计了场效应晶体管(FET)预失真电路,改善了SSPA的线性化指标,在输入功率回退2~10 dB区间实现了5~7 dB的三阶互调改善,满足了系统的使用要求。预失真电路在长寿命航天器中应用较少,同时C波段70 W SSPA输出功率较大,存在输出功率降低的风险,为此进行了等效在轨工作15年加速寿命试验验证。在整个寿命试验周期内,输出功率大于70 W,三阶互调优于-20 dBc,验证了SSPA长期工作的可靠性。
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关键词
固态功率放大器(SSPA)
场效应晶体管(
fet
)预失真
三阶互调
可靠性
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职称材料
基于变压器耦合的2.6GHz功率放大器的设计
5
作者
颜景
张志浩
+3 位作者
彭林
关宇涵
陈哲
章国豪
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第10期824-828,共5页
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了一款工作频率为2.6 GHz的功率放大器。其输出匹配网络由片外变压器及调谐电容组成,与传统的LC输出匹配网络相比,该匹配网络具有更低的插入损耗和更宽的带宽。功率放大器主体采用伪差分结...
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了一款工作频率为2.6 GHz的功率放大器。其输出匹配网络由片外变压器及调谐电容组成,与传统的LC输出匹配网络相比,该匹配网络具有更低的插入损耗和更宽的带宽。功率放大器主体采用伪差分结构,通过变压器耦合进行单端口和差分端口之间的阻抗变换。实测结果表明,在2.6 GHz时,该功率放大器的增益达到了34 dB,饱和输出功率为33.6 dBm,峰值功率附加效率为32%。当输出功率为25 dBm时,邻近信道功率比约为-47 dBc。
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关键词
伪差分
变压器
功率放大器
异质结双极晶体管(HBT)
功率合成
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职称材料
反应堆功率保护放大装置
6
作者
张锡修
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期66-69,共4页
一、引言反应堆的运行,必须有一套控制保护系统参与反应堆的启动、停止以及要求堆功率在多高的水平上运行。控制保护系统包括功率调节系统、事故保护系统等。堆功率保护放大器便是事故保护系统中一个重要部件,当由于某种原因使反应堆功...
一、引言反应堆的运行,必须有一套控制保护系统参与反应堆的启动、停止以及要求堆功率在多高的水平上运行。控制保护系统包括功率调节系统、事故保护系统等。堆功率保护放大器便是事故保护系统中一个重要部件,当由于某种原因使反应堆功率超过额定功率的10%时,它可以给出警告信号,超过额定功率的20%时,给出事故信号。
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关键词
反应堆
放大器
保护线路
甄别器
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职称材料
题名
GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究
被引量:
3
1
作者
顾占彪
王淼
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期474-478,共5页
文摘
基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。
关键词
砷化镓
场效应晶体管(
fet
)
微波脉冲固态功率放大器
脉冲波形顶部降落
脉冲波形顶部过冲
Keywords
GaAs
field effect
transistor
(
fet
)
microwave pulse solid state power
amplifier
pulse waveform drop
pulse waveform overshooting
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析
被引量:
6
2
作者
林丽艳
李用兵
机构
中国电子科技集团第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期143-147,共5页
文摘
GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构特点不能对内部FET直接进行参数测试,为进一步研究GaAs FET的氢效应作用机理,对GaAs FET结构单元开展高温电老炼试验,试验过程中GaAs FET电流变化趋势与低噪声放大器相同。分析了GaAs FET结构单元试验过程中饱和漏电流、夹断电压变化趋势,认为导致GaAs FET电参数先减小是由于沟道二维电子气(2DEG)浓度减小和栅金属与GaAs界面状态改变两种机理共同作用,电参数部分恢复主要是栅金属与GaAs界面状态改变起作用。
关键词
GAAS
PHEM低噪声放大器
GaAs场效应晶体管(
fet
)
高温电老炼
氢效应
退化机理
Keywords
GaAs PHEMT low noise
amplifier
GaAs field effect
transistor
(
fet
)
high temperature burn-in experiment
hydrogen effects
degradation mechanism
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新型的高性能交流稳压电源
被引量:
1
3
作者
沈祖冀
机构
天津师范大学
出处
《机电工程》
CAS
2001年第2期33-34,共2页
文摘
在电源的输入与负载之间串连一只阻抗器 ,通过接入反馈控制网络自动调整阻抗器的电阻值 ,来稳定输出电压 ,就形成了串连式稳压器。形成这只阻抗器的电路由场效应管、运算放大器、晶体管和整流桥组成 ;这只阻抗器的等效电阻是纯电阻 ,所以在调整电压的过程中不会产生谐波 ,也就是不会产生正弦波失真 ;反馈控制网络有极稳定的基准电压 ,比较器是增益很高的运算放大器 ,电路有非常好的转换线性 ,因此该装置有很高的稳压精度。
关键词
正弦波
谐波
场效应管
运算放大器
高性能交流稳压电源
阻抗器
Keywords
AC stabilized voltage
sine wave
harmonic frequency
fet
\
\|transistor
differential
amplifier
分类号
TM44 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
C波段固态功率放大器的研制及其可靠性验证
4
作者
王忠
牛赫一
银军
刘辰熙
李用兵
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第11期900-905,共6页
文摘
为了满足卫星通信大功率、高线性的特殊需求,研制了一款C波段70 W高线性大功率固态功率放大器(SSPA)。通过改进芯片材料结构、器件的匹配状态及工作状态,建立了器件的非线性模型,在满足功率和效率的基础上,实现了功率器件线性指标的提高。在SSPA中设计了场效应晶体管(FET)预失真电路,改善了SSPA的线性化指标,在输入功率回退2~10 dB区间实现了5~7 dB的三阶互调改善,满足了系统的使用要求。预失真电路在长寿命航天器中应用较少,同时C波段70 W SSPA输出功率较大,存在输出功率降低的风险,为此进行了等效在轨工作15年加速寿命试验验证。在整个寿命试验周期内,输出功率大于70 W,三阶互调优于-20 dBc,验证了SSPA长期工作的可靠性。
关键词
固态功率放大器(SSPA)
场效应晶体管(
fet
)预失真
三阶互调
可靠性
Keywords
solid state power
amplifier
(SSPA)
field effect
transistor
(
fet
)predistortion
third-order intermodulation
reliability
分类号
TN602 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于变压器耦合的2.6GHz功率放大器的设计
5
作者
颜景
张志浩
彭林
关宇涵
陈哲
章国豪
机构
广东工业大学信息工程学院
广州穗源微电子科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第10期824-828,共5页
基金
国家重点研发计划项目(2018YFB1802100)
国家自然科学基金资助项目(61974035)
广州市创业领军团队项目(202009030006)。
文摘
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了一款工作频率为2.6 GHz的功率放大器。其输出匹配网络由片外变压器及调谐电容组成,与传统的LC输出匹配网络相比,该匹配网络具有更低的插入损耗和更宽的带宽。功率放大器主体采用伪差分结构,通过变压器耦合进行单端口和差分端口之间的阻抗变换。实测结果表明,在2.6 GHz时,该功率放大器的增益达到了34 dB,饱和输出功率为33.6 dBm,峰值功率附加效率为32%。当输出功率为25 dBm时,邻近信道功率比约为-47 dBc。
关键词
伪差分
变压器
功率放大器
异质结双极晶体管(HBT)
功率合成
Keywords
pseudo-
differential
transformer
power
amplifier
heterojunction bipolar
transistor
(HBT)
power synthesis
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
反应堆功率保护放大装置
6
作者
张锡修
机构
北京核仪器厂
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期66-69,共4页
文摘
一、引言反应堆的运行,必须有一套控制保护系统参与反应堆的启动、停止以及要求堆功率在多高的水平上运行。控制保护系统包括功率调节系统、事故保护系统等。堆功率保护放大器便是事故保护系统中一个重要部件,当由于某种原因使反应堆功率超过额定功率的10%时,它可以给出警告信号,超过额定功率的20%时,给出事故信号。
关键词
反应堆
放大器
保护线路
甄别器
Keywords
Protective circuit
amplifier
Valuing network
Schmidt trigger
fet
(Field Effect
transistor
)
分类号
TL821 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究
顾占彪
王淼
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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职称材料
2
GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析
林丽艳
李用兵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
6
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职称材料
3
新型的高性能交流稳压电源
沈祖冀
《机电工程》
CAS
2001
1
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职称材料
4
C波段固态功率放大器的研制及其可靠性验证
王忠
牛赫一
银军
刘辰熙
李用兵
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
0
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职称材料
5
基于变压器耦合的2.6GHz功率放大器的设计
颜景
张志浩
彭林
关宇涵
陈哲
章国豪
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
0
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职称材料
6
反应堆功率保护放大装置
张锡修
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989
0
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职称材料
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