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基于深能级瞬态谱的深能级中心的仿真被引量：1: 1; 作者陆绮荣黄彬 +1 位作者韦艳冰高冬美《计算机应用》 CSCD 北大核心 2011年第A01期159-162,共4页; 介绍了深能级瞬态谱(DLTS)的基本原理,作了n型样品的深能级瞬态谱的计算。描述了DLTS信号的仿真方法,对n型6H-SiC中的一个深能级陷阱中心用Labview进行了仿真实验,探讨了率窗值等各参数对DLTS信号形状的影响。仿真结果表明,DLTS峰值温... 展开更多; 关键词深能级瞬态谱率窗深能级陷阱中心仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究被引量：1: 2; 作者谢自力《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期10-12,17,共4页; 研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型。; 关键词深能级陷阱退火特性半绝缘砷化镓热处理光致电流瞬态谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化锌压敏陶瓷伏安特性的微观解析被引量：23: 3; 作者陈新岗李凡桑建平《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期33-37,共5页; 为从微观层面上解析ZnO压敏陶瓷MOV的宏观伏安特性,根据电镜和深能级瞬态谱(DLTS)的观测结果,结合试验实测几种规格MOV小电流和大电流下的试验数据,建立ZnO在小电流区和大电流区的微观集中参数等效电路模型,然后依据晶界势垒、电子陷阱... 展开更多; 关键词 ZNO压敏陶瓷电镜深能级瞬态电容谱晶界势垒电子陷阱伏安特性微观解析; 在线阅读下载PDF 职称材料

P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究: 4; 作者卢励吾周洁 +1 位作者瞿伟张盛廉《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期72-75,共4页; 对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和In... 展开更多; 关键词 MIS结构界面陷阱深能级 INP; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于分子链位移的HVDC电缆接头界面区域空间电荷分布研究被引量：5: 5; 作者王雅妮孙远远 +4 位作者张帅任品顺杨兴武王亚林尹毅《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第10期3854-3863,共10页; 在高压直流电缆接头绝缘中,携带被深陷阱捕获电荷的分子链在库伦力作用下会发生位移,导致聚合物绝缘中深陷阱能级发生变化,进而对电荷输运造成影响。该文基于分子链动力学对传统双极性电荷输运模型进行改进,在温度梯度下分析高压直流电... 展开更多; 关键词高压直流电缆接头分子链动力学深陷阱能级界面电荷输运电场分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOS结构界面性质的变频C-V研究: 6; 作者王永生郑有炓张荣《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第2期211-222,共12页; 本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方法对样品漏电及测量环境要求较低,具有较大的实用意义。; 关键词 MOS 结构界面测量 C-V法变频; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs: Cr中深能级俘获效应对电导的影响被引量：1: 7; 作者王威礼王德煌 +1 位作者让庆澜何雪华《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期599-607,共9页; 本文报导半绝缘GaAs:Cr的低压和低频电流振荡现象,在室温下系统地测量电流和电压关系的伏安特性,并进一步研究在红外和可见光辐照下的振荡规律,分析了深能级俘获过程对导带内电子浓度和迁移率的影响。; 关键词 GAAS 深能级俘获电导电流振荡; 在线阅读下载PDF 职称材料

变容二极管中子辐照损伤: 8; 作者陈盘训《核电子学与探测技术》 CAS 1987年第2期93-98,共6页; 在中子辐照环境下,变容二极管C—V特性发生变化,在给定偏置下,结电容随中子注量的增加而下降。它是因外延层中引入深俘获能级所致,在高中子注量下,漏电流和正向压降均变大,优值Q也发生变化。; 关键词变容二极管中子辐照损伤 C-V特性深俘获能级; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于深能级瞬态谱的深能级中心的仿真被引量：1: 1; 作者陆绮荣黄彬韦艳冰高冬美; 机构桂林理工大学现代教育技术中心桂林理工大学机械与控制工程学院; 出处《计算机应用》 CSCD 北大核心 2011年第A01期159-162,共4页; 基金广西自然科学基金资助项目(0991253); 文摘介绍了深能级瞬态谱(DLTS)的基本原理,作了n型样品的深能级瞬态谱的计算。描述了DLTS信号的仿真方法,对n型6H-SiC中的一个深能级陷阱中心用Labview进行了仿真实验,探讨了率窗值等各参数对DLTS信号形状的影响。仿真结果表明,DLTS峰值温度及半宽度随着所有的参数改变而变化,但峰值的高度只与率窗值的选择有关。; 关键词深能级瞬态谱率窗深能级陷阱中心仿真; Keywords deep-level Transient Spectroscopy（DLTS） rate window deep level trap centre simulation; 分类号 TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究被引量：1: 2; 作者谢自力; 机构南京电子器件研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期10-12,17,共4页; 文摘研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型。; 关键词深能级陷阱退火特性半绝缘砷化镓热处理光致电流瞬态谱; Keywords SI-GaAs deep level trap thermal annealing PITS; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化锌压敏陶瓷伏安特性的微观解析被引量：23: 3; 作者陈新岗李凡桑建平; 机构重庆工学院电子信息与自动化学院西安交通大学电气工程学院国家绝缘子避雷器质量监督检验中心; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期33-37,共5页; 基金重庆市科委基金项目资助(CSTC2005BB6076)~~; 文摘为从微观层面上解析ZnO压敏陶瓷MOV的宏观伏安特性,根据电镜和深能级瞬态谱(DLTS)的观测结果,结合试验实测几种规格MOV小电流和大电流下的试验数据,建立ZnO在小电流区和大电流区的微观集中参数等效电路模型,然后依据晶界势垒、电子陷阱等理论,微观解析了各区的导电特性。结果表明:随着外施电压的增加,电子的穿透能力不断增强,使ZnO在小电流区晶界层的非线性微观等效电阻不断增大,它与纯ZnO晶粒层的线性电阻共同作用使ZnO小电流区伏安特性呈现出3个不同的特性宏观区域即预击穿区、击穿区和回升区;随着外施瞬态冲击大电流幅值的加大,ZnO在大电流区微观等效电感值增加,使ZnO大电流区伏安特性宏观呈现缓慢上升区、快速上升区和迅速上翘区;晶界层厚度的不均匀性和晶界层中电子陷阱密度的差异性宏观表现为等效电阻的非线性变化,晶界层和纯ZnO晶粒层在小电流区和大电流区具有不同的微观作用机理使得ZnO压敏陶瓷在不同电流区呈现出不同的独特宏观伏安特性。; 关键词 ZNO压敏陶瓷电镜深能级瞬态电容谱晶界势垒电子陷阱伏安特性微观解析; Keywords ZnO pressure-sensitive ceramics electron microscopy deep level transient spectroscopy grain boundary barrier electronic trap U-I characteristic microcosmic analysis; 分类号 TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究: 4; 作者卢励吾周洁瞿伟张盛廉; 机构半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期72-75,共4页; 文摘对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。; 关键词 MIS结构界面陷阱深能级 INP; Keywords MIS structure,Interfacial traps,deep levels; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于分子链位移的HVDC电缆接头界面区域空间电荷分布研究被引量：5: 5; 作者王雅妮孙远远张帅任品顺杨兴武王亚林尹毅; 机构上海电力大学电气工程学院上海交通大学电气工程系; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第10期3854-3863,共10页; 基金国家自然科学基金项目(52007114) 上海市青年科技英才扬帆计划(20YF1414700)。; 文摘在高压直流电缆接头绝缘中,携带被深陷阱捕获电荷的分子链在库伦力作用下会发生位移,导致聚合物绝缘中深陷阱能级发生变化,进而对电荷输运造成影响。该文基于分子链动力学对传统双极性电荷输运模型进行改进,在温度梯度下分析高压直流电缆接头不同界面的深陷阱能级、空间电荷及电场分布,探讨在温度梯度下深陷阱能级变化对电缆接头绝缘界面电荷分布的影响。研究表明:基于分子链动力学改进的双极性电荷输运模型中,复合绝缘界面以及介质内部深陷阱能级增大,导致电荷在介质内部的扩散和迁移受到阻碍,大量电荷在界面积聚;界面电荷分布规律与界面深陷阱能级分布一致;相较于接头内部整体高温,接头两侧存在较大的温差更容易使接头绝缘面临更严峻的挑战,电缆接头在10K的温差下能够保持较为良好的电气绝缘和运行状态。所得结果为进一步理清电缆接头绝缘电荷输运特性提供了支撑。; 关键词高压直流电缆接头分子链动力学深陷阱能级界面电荷输运电场分布; Keywords HVDC cable joints molecular chain dynamics deep trap energy levels interfacial charge transport electric field distribution; 分类号 TM85 [电气工程—高电压与绝缘技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOS结构界面性质的变频C-V研究: 6; 作者王永生郑有炓张荣; 机构南京大学物理系; 出处《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第2期211-222,共12页; 文摘本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方法对样品漏电及测量环境要求较低,具有较大的实用意义。; 关键词 MOS 结构界面测量 C-V法变频; Keywords MOS structure variable-frequency C-V interface states deep level oxide trap centers; 分类号 TN307 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs: Cr中深能级俘获效应对电导的影响被引量：1: 7; 作者王威礼王德煌让庆澜何雪华; 机构物理学系; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期599-607,共9页; 文摘本文报导半绝缘GaAs:Cr的低压和低频电流振荡现象,在室温下系统地测量电流和电压关系的伏安特性,并进一步研究在红外和可见光辐照下的振荡规律,分析了深能级俘获过程对导带内电子浓度和迁移率的影响。; 关键词 GAAS 深能级俘获电导电流振荡; Keywords GaAs deep level trap Conductivity; 分类号 O471 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名变容二极管中子辐照损伤: 8; 作者陈盘训; 机构成都; 出处《核电子学与探测技术》 CAS 1987年第2期93-98,共6页; 文摘在中子辐照环境下,变容二极管C—V特性发生变化,在给定偏置下,结电容随中子注量的增加而下降。它是因外延层中引入深俘获能级所致,在高中子注量下,漏电流和正向压降均变大,优值Q也发生变化。; 关键词变容二极管中子辐照损伤 C-V特性深俘获能级; Keywords Varactor diode Neutron radiation damage C-V characteristic deep level trap; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于深能级瞬态谱的深能级中心的仿真	陆绮荣黄彬韦艳冰高冬美	《计算机应用》 CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究	谢自力	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	氧化锌压敏陶瓷伏安特性的微观解析	陈新岗李凡桑建平	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	23	在线阅读下载PDF 职称材料
4	P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究	卢励吾周洁瞿伟张盛廉	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于分子链位移的HVDC电缆接头界面区域空间电荷分布研究	王雅妮孙远远张帅任品顺杨兴武王亚林尹毅	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2022	5	在线阅读下载PDF 职称材料
6	MOS结构界面性质的变频C-V研究	王永生郑有炓张荣	《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	GaAs: Cr中深能级俘获效应对电导的影响	王威礼王德煌让庆澜何雪华	《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	1991	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	变容二极管中子辐照损伤	陈盘训	《核电子学与探测技术》 CAS	1987	0	在线阅读下载PDF 职称材料