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等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量
被引量：
2
1
作者
夏立芳
孙明仁
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期777-781,共5页
用核反应分析方法,对等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量进行了较系统的研究.结果表明,用等离子体基脉冲偏压沉积技术可获得较低氢含量的DLC膜;其氢含量范围约为6at％～17at％,且氢沿膜厚是均匀分布的,随等离子体密度及离化...
用核反应分析方法,对等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量进行了较系统的研究.结果表明,用等离子体基脉冲偏压沉积技术可获得较低氢含量的DLC膜;其氢含量范围约为6at％～17at％,且氢沿膜厚是均匀分布的,随等离子体密度及离化率降低,DLC膜的氢含量增加,荷能离子对生长表面的轰击具有较强的析氢作用,工作气体中引入氢气促进DLC膜中氢的析出.
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关键词
等离子体
脉冲偏压沉积
dlc
膜
氢分布
氢含量
类金刚石膜
核反应分析
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职称材料
直流反应磁控溅射制备a-C:H薄膜及其表面粗糙度研究
被引量：
5
2
作者
张艳茹
杭凌侠
+1 位作者
郭峰
宁晓阳
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期92-94,121,共4页
为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,...
为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,含氢碳源气体的加入提高了类金刚石薄膜的沉积速率,改善了表面平整度。
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关键词
直流反应磁控溅射
含氢类金刚石薄膜
沉积速率
表面粗糙度
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职称材料
题名
等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量
被引量：
2
1
作者
夏立芳
孙明仁
机构
哈尔滨工业大学
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期777-781,共5页
基金
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(9702132)
文摘
用核反应分析方法,对等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量进行了较系统的研究.结果表明,用等离子体基脉冲偏压沉积技术可获得较低氢含量的DLC膜;其氢含量范围约为6at％～17at％,且氢沿膜厚是均匀分布的,随等离子体密度及离化率降低,DLC膜的氢含量增加,荷能离子对生长表面的轰击具有较强的析氢作用,工作气体中引入氢气促进DLC膜中氢的析出.
关键词
等离子体
脉冲偏压沉积
dlc
膜
氢分布
氢含量
类金刚石膜
核反应分析
Keywords
dlc
film
hydrogen
distribution
hydrogen
content
分类号
O484 [理学—固体物理]
O613.71 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
直流反应磁控溅射制备a-C:H薄膜及其表面粗糙度研究
被引量：
5
2
作者
张艳茹
杭凌侠
郭峰
宁晓阳
机构
西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期92-94,121,共4页
基金
陕西省教育厅科学研究计划项目(12JK0433)
文摘
为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,含氢碳源气体的加入提高了类金刚石薄膜的沉积速率,改善了表面平整度。
关键词
直流反应磁控溅射
含氢类金刚石薄膜
沉积速率
表面粗糙度
Keywords
reactive DC magnetron sputtering
dlc films with various hydrogen contents
deposition rate
surface roughness
分类号
TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]
O484.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量
夏立芳
孙明仁
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
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职称材料
2
直流反应磁控溅射制备a-C:H薄膜及其表面粗糙度研究
张艳茹
杭凌侠
郭峰
宁晓阳
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
5
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职称材料
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