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CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
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作者 徐雷钧 马宇杰 +2 位作者 黄磊 白雪 陈建锋 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期296-303,共8页
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差... 为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱动的自混频功率探测电路将辐射信号耦合至场效应管的栅极和源极,实现高响应度。通过电压缓冲级降低总体噪声,通过运算放大器有效放大探测信号。探测器线阵电路面积为0.8 mm^(2)。测试结果表明,当偏置电压为0.5 V时,该探测系统对0.37 THz辐射信号的电压响应度最大可达441 kV/W,对应的最小噪声等效功率为48 pW/Hz^(1/2)。相比单像素探测器,该探测器阵列可有效提升探测成像速度;相比传统的探测器阵列,该探测器阵列具有更优的性能参数。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声
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基于高阶曲率补偿的全CMOS基准电压源设计
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作者 孙帆 黄海波 +1 位作者 隋纪祥 张程 《微波学报》 北大核心 2025年第3期92-98,共7页
针对传统的基准电压源功耗较高且精度较差的问题,基于高阶曲率补偿技术,设计了一种没有电阻和三极管的全互补金属氧化物半导体(CMOS)基准电压源。利用工作于亚阈值区的不同阈值的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)构成堆叠结构,产... 针对传统的基准电压源功耗较高且精度较差的问题,基于高阶曲率补偿技术,设计了一种没有电阻和三极管的全互补金属氧化物半导体(CMOS)基准电压源。利用工作于亚阈值区的不同阈值的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)构成堆叠结构,产生纳安量级的偏置电流和负温度系数(CTAT)电压。采用P型金属氧化物半导体场效应晶体管差分对结构产生正温度系数电压,对CTAT电压进行一阶曲率补偿。同时,利用工作于截止区的NMOS产生随温度近似成指数变化的漏电流,进行高阶曲率补偿,进一步提高基准电压源的精度,且扩展电路工作的温度范围。采用TSMC N12 nm CMOS工艺进行电路的设计。仿真结果表明,设计的基准电压源能够工作在0.45 V~1.20 V的电源电压下,输出平均值为234.5 mV的基准电压。在电源电压为0.45 V、温度范围为-40℃~125℃时,基准电压的温度系数为5.7 ppm/℃;在常温下的功耗为3.7 nW,在1 kHz频率下的电源抑制比为-59.7 dB。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体基准电压源 亚阈值区 低功耗 低电源电压 高阶曲率补偿
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用于射频能量收集的低阈值CMOS整流电路设计
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作者 徐雷钧 孙鑫 +1 位作者 白雪 陈建锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期365-372,共8页
基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低... 基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低了整流电路的开启阈值电压,针对较低输入信号功率,提高了整流电路的功率转换效率(PCE)。同时将低阈值整流电路三级级联以提高输出电压。测试结果显示,在输入信号功率为-14 dBm@915 MHz时,三级级联低阈值整流电路实现了升压功能,能稳定输出1.2 V电压,峰值PCE约为71.32%。相较于传统结构,该低阈值整流电路更适合用于射频能量收集。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 射频能量收集 低阈值电压 RF-DC整流电路 差分输入交叉耦合整流电路
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MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究 被引量:1
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作者 谭皓宇 刘国昌 +3 位作者 张文栋 张国军 杨玉华 王任鑫 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期33-36,共4页
纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息,与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案,该方案在MEMS后处理工艺中,利用侧墙保护和各向异性... 纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息,与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案,该方案在MEMS后处理工艺中,利用侧墙保护和各向异性湿法腐蚀从正面释放水听器的十字梁敏感结构。整个后处理过程不需要光刻,降低加工难度的同时,保证了加工结构的精确性。设计出了一种验证性的工艺流程,具体分析了4种不同结构的湿法腐蚀过程。最终完成了这4种结构的工艺流片,对实验结果进行了分析。实验验证了该方案的可行性,为纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成奠定了基础。 展开更多
关键词 矢量水听器 互补金属氧化物半导体集成 各向异性湿法腐蚀 侧墙保护 结构释放
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基于45 nm CMOS SOI工艺的毫米波双频段低相噪压控振荡器设计
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作者 陈喆 王品清 +2 位作者 周培根 陈继新 洪伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2161-2169,共9页
本文基于45 nm互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor Silicon On Insulator,CMOS SOI)设计了一款支持5G毫米波24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz双频段的低相位噪声压控振荡器(Voltage Controlled Os... 本文基于45 nm互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor Silicon On Insulator,CMOS SOI)设计了一款支持5G毫米波24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz双频段的低相位噪声压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).基于CMOS SOI工艺良好的晶体管开关特性,结合开关电容阵列及开关电感方案,提高宽带调谐电容、电感Q值,扩展VCO工作频段,降低相位噪声.同时,输出匹配网络也采用开关电容切换方式,实现了5G毫米波双频段良好阻抗匹配及稳定功率输出.流片测试结果表明该VCO可以完整覆盖5G毫米波双频段24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz,低频段输出功率-4.8~0 dBm,高频段输出功率-6.4~-2.3 dBm.在24.482 GHz载频,1 MHz频偏处的相位噪声为-105.1 dBc/Hz;在43.308 GHz载频,1 MHz频偏处的相位噪声为-95.3 dBc/Hz.VCO核心直流功耗15.3~18.5 mW,电路核心面积为0.198 mm^(2).低频段(高频段)的FoM(Figure of Merit)及FoMT优值分别达到-181.3 dBc/Hz(-175.4 dBc/Hz)、-194.3 dBc/Hz(-188.3 dBc/Hz). 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺 压控振荡器 5G毫米波 双频段
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一种基于CMOS的小型化量子随机数产生装置
6
作者 王其兵 王林松 +3 位作者 王雅琦 李力 许华醒 王少华 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期924-932,共9页
为满足量子随机数发生器(QRNG)的小型化、集成化应用,设计了一种基于发光二极管(LED)光源并结合互补金属氧化物半导体(CMOS)探测的量子随机数发生器。量子随机数是以光量子固有特性确保随机数的高安全性,同时其低成本、高速率的处理方... 为满足量子随机数发生器(QRNG)的小型化、集成化应用,设计了一种基于发光二极管(LED)光源并结合互补金属氧化物半导体(CMOS)探测的量子随机数发生器。量子随机数是以光量子固有特性确保随机数的高安全性,同时其低成本、高速率的处理方式也具有较高的应用价值。但是传统的基于高速模拟数字转换器(ADC)采样的信号处理方法存在成本高、系统复杂、后处理要求高等问题,并且ADC采样的不完美性还会引入伪随机的特性,降低系统的随机数特性,从而限制了其进一步的商业应用与推广。本文提出的量子随机数发生器基于电压比较二值法,利用像素间探测电压的随机性,以CMOS像素点探测输出的电压序列前后脉冲间的电压差值作为随机数熵源,从而获得量子随机数序列。该方法具备简单、可靠、易实现的优点,更利于产品的产业推广。 展开更多
关键词 量子光学 小型化量子随机数发生器 二值法 互补金属氧化物半导体
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Ka波段CMOS有源矢量合成移相器
7
作者 刘帅 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期53-56,共4页
本文基于65 nm硅基互补金属氧化物半导体工艺设计了一款Ka波段有源矢量合成移相器。该电路由正交耦合器、单端转差分信号的巴伦、可变增益放大器、信号合成网络组成。基于集总LC等效模型的正交发生器能够实现紧凑尺寸并获得高精度正交信... 本文基于65 nm硅基互补金属氧化物半导体工艺设计了一款Ka波段有源矢量合成移相器。该电路由正交耦合器、单端转差分信号的巴伦、可变增益放大器、信号合成网络组成。基于集总LC等效模型的正交发生器能够实现紧凑尺寸并获得高精度正交信号;可变增益放大器采用数字控制的共源共栅架构,能够实现精准的幅度调节,并提高输入输出之间的隔离度。实测结果表明,该移相器可在25 GHz~32 GHz频带范围内实现360°移相,相位步进5.625°,均方根(RMS)相位误差小于3°,寄生调幅RMS小于1 dB,电路面积为800μm×400μm,功耗11 mW。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 矢量合成 移相器 可变增益放大器 共源共栅
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CMOS传感器紫外敏化膜层的厚度优化及其光电性能测试 被引量:10
8
作者 刘琼 马守宝 +3 位作者 钱晓晨 阮俊 卢忠荣 陶春先 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期225-230,共6页
采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀... 采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀度随膜厚增加而增大;动态范围却随膜厚增加而减小;量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时,研究发现敏化膜层最佳厚度为389nm,此时CMOS传感器的量子效率提高了10%,且光响应非均匀度,动态范围均在相对较好的范围内. 展开更多
关键词 传感器技术 薄膜技术 紫外敏化 互补金属氧化物半导体传感器 荧光材料 量子效率 动态范围
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一种改进型的CMOS电荷泵锁相环电路 被引量:7
9
作者 李演明 仝倩 +4 位作者 倪旭文 邱彦章 文常保 吴凯凯 柴红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期248-253,共6页
设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频... 设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频倍数和压控振荡器延迟单元的跨导,有效扩展了锁相环的锁频范围。该电路基于Dongbu HiTek 0.18μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.8 V的工作电压下,电荷泵电路输出电压在0.25~1.5 V变化时,电荷泵的充放电电流一致性保持很好,在100 MHz^2.2 GHz的输出频率内,频率捕获时间小于2μs,稳态相对相位误差小于0.6%。 展开更多
关键词 锁相环 电荷泵 鉴频鉴相器 压控振荡器 互补金属氧化物半导体(cmos )
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高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源 被引量:11
10
作者 吴志明 黄颖 +2 位作者 吕坚 王靓 李素 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期453-456,共4页
介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得... 介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116dB,在-40℃~85℃温度范围内温度系数为46ppm/℃,功耗仅为1.45mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 互补型金属氧化物半导体 电源抑制比 温度系数
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抗辐射模拟CMOS集成电路研究与设计 被引量:10
11
作者 赵源 徐立新 +1 位作者 赵琦 金星 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2013年第3期72-76,共5页
为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法。... 为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法。在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加。所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计。根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 阈值电压 跨导 抗辐射 单晶半导体硅膜 空间环境 航天器
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连续激光与单脉冲纳秒激光对CMOS的损伤效应 被引量:13
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作者 王昂 郭锋 +2 位作者 朱志武 许中杰 程湘爱 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期43-47,共5页
针对前照式有源型可见光互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,开展了1080nm连续激光与1064nm单脉冲ns激光损伤效应的对比研究,观察到了CMOS出现点损伤、半边黑线损伤与十字交叉黑线损伤三个典型的硬损伤阶段,并分析了损伤机理。在连续激光... 针对前照式有源型可见光互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,开展了1080nm连续激光与1064nm单脉冲ns激光损伤效应的对比研究,观察到了CMOS出现点损伤、半边黑线损伤与十字交叉黑线损伤三个典型的硬损伤阶段,并分析了损伤机理。在连续激光辐照下,损伤效应主要是热效应的影响。当辐照时间小于稳态时间时,辐照时间越长,损伤阈值越低,当辐照时间大于稳态时间时,损伤阈值趋于稳定值。对损伤后的CMOS器件的微观结构进行了显微观察,结合CMOS电路结构深入分析了各种典型实验现象的损伤机理,半边黑线损伤与十字交叉黑线损伤主要是不同层金属线路熔断导致信号断路。在单脉冲ns激光作用下,CMOS像元表面的硬损伤主要是激光加热作用和等离子体冲击波作用引起的。 展开更多
关键词 前照式互补金属氧化物半导体 单脉冲 热效应 辐照时间 稳态时间
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天问一号高分相机CMOS曝光参数设计与卷帘校正 被引量:5
13
作者 李云辉 王晓东 +3 位作者 刘文光 周鹏骥 黄敬涛 董吉洪 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期143-152,共10页
为获取高信噪比、明暗度适宜的火表图像,对天问一号火星高分相机CMOS探测器曝光参数开展了详细设计,并对卷帘效应畸变进行了量化分析与校正。首先建立了CMOS探测器光电响应模型,对比了曝光参数中曝光时间与PGA增益对成像信噪比的影响,... 为获取高信噪比、明暗度适宜的火表图像,对天问一号火星高分相机CMOS探测器曝光参数开展了详细设计,并对卷帘效应畸变进行了量化分析与校正。首先建立了CMOS探测器光电响应模型,对比了曝光参数中曝光时间与PGA增益对成像信噪比的影响,确定曝光时间为优先调节参量。在分析曝光时间约束条件、明确靶面辐照度计算方法后,给出了不同火表反射率、太阳天顶角及轨道高度参数下的曝光时间设计结果与成像信噪比。最后针对CMOS探测器卷帘畸变机理进行分析,给出了校正方法及理论校正精度。仿真实验结果表明:成像信噪比在非轨道像移受限区域保持在48.28 dB左右,在受限区域则逐步降低,反射率取0.1时最低值为32.45 dB,典型辐照环境下成像信噪比为45.56 dB。根据实际轨道像移分析,CMOS探测器卷帘效应会造成数十像素倾斜畸变,在轨道像移测量误差不超过3.46‰前提下,所述方法校正后图像特征点位移量优于1个像素。 展开更多
关键词 火星高分相机 cmos探测器 曝光参数 卷帘畸变校正
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两通道按列输出CMOS图像的非均匀性及校正方法 被引量:6
14
作者 杨国鹏 周欣 +1 位作者 陈东 胡昌苗 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2087-2093,共7页
为确保航空遥感图像产品相对辐射质量,提出了一种对两通道按列输出CMOS(互补金属氧化物半导体)图像的非均匀性进行校正的方法。以美国仙童公司CMOS探测器CIS2521F为例,通过实验室积分球观测试验研究了暗电流噪声、平均灰度、两通道输出... 为确保航空遥感图像产品相对辐射质量,提出了一种对两通道按列输出CMOS(互补金属氧化物半导体)图像的非均匀性进行校正的方法。以美国仙童公司CMOS探测器CIS2521F为例,通过实验室积分球观测试验研究了暗电流噪声、平均灰度、两通道输出等因素造成的图像非均匀性;然后,基于实验室积分球观测数据,采用两点线性法,校正了由按列放大输出导致的列状条带噪声;接着,通过优化拼接线附近图像灰度差异统计结果,校正了两通道响应不一致造成的图像辐射差异。试验表明,单通道图像非均匀校正使积分球观测图像的平均非均匀度量值由4.4下降至2.4,两通道图像非均匀校正消除了两通道图像的目视差异。原始航空遥感图像经过非均匀性校正后,图像灰度均匀,能够满足遥感图像判读要求。 展开更多
关键词 遥感图像 cmos 图像非均匀性 两通道输出 辐射校正
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CMOS图像传感器在太阳磁场观测中的应用研究 被引量:6
15
作者 段帷 宋谦 +5 位作者 白先勇 郭晶晶 冯志伟 邓元勇 林佳本 张建立 《天文学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期43-52,共10页
磁场是太阳物理的第1观测量,当前太阳磁场观测研究正迈向大视场、高时空分辨率、高偏振测量精度以及空间观测的时代.中国首颗太阳观测卫星-先进天基太阳天文台(ASO-S)也配置了具有高时空分辨率、高磁场灵敏度的全日面矢量磁像仪(FMG)载... 磁场是太阳物理的第1观测量,当前太阳磁场观测研究正迈向大视场、高时空分辨率、高偏振测量精度以及空间观测的时代.中国首颗太阳观测卫星-先进天基太阳天文台(ASO-S)也配置了具有高时空分辨率、高磁场灵敏度的全日面矢量磁像仪(FMG)载荷,针对FMG载荷的需求,讨论了大面阵、高帧频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器应用于太阳磁场观测的可行性.首先,基于滤光器型太阳磁像仪观测的原理,比较分析了目前CMOS图像传感器(可用的或是可选的两种快门模式)的特点,指出全局快门类型更适合FMG;其次搭建了CMOS传感器实验室测试系统,测量了CMOS图像传感器的像素增益及其分布规律;最后在怀柔太阳观测基地的全日面太阳望远镜上开展了实测验证,获得预期成果.在这些研究基础上,形成了FMG载荷探测器选型方向. 展开更多
关键词 仪器:探测器 太阳:磁场 cmos图像传感器 全局快门 有效载荷:FMG 滤光器型太阳磁像仪
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CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究 被引量:6
16
作者 徐守龙 邹树梁 +2 位作者 黄有骏 郭赞 匡雅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期815-822,共8页
为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表... 为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表明:光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均灰度值随剂量率的增大存在明显的梯度,各积分周期内输出信号灰度值围绕均值上下波动,CCD像素传感器输出信号灰度浮动范围较小;CMOS像素传感器各像元对光子的响应更加明显,CCD像素传感器各像元的响应信号易与相邻像元发生串扰;各类像素传感器典型辐射响应事件区域中发生光子响应的像元数量随剂量率的增大而增多,响应事件并非单个光子的行为,而是反映了多个光子在区域内同时沉积能量的过程。本研究为开发像素传感器的γ射线辐射探测技术和应用提供了重要的理论分析和实验数据支撑。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 电荷耦合元件 像素传感器 光子电离辐射 辐射响应特性
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无源温度标签中的超低功耗CMOS温度传感器设计 被引量:2
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作者 冯鹏 邓元明 +5 位作者 伯林 刘力源 于双铭 李贵柯 王开友 吴南健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期572-578,602,共8页
设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及... 设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及采样电容电荷泄漏对传感器测温精度的不利影响,提出了一种具有漏电保护机制的采样电路。基于0.18μm CMOS工艺设计实现了该传感器的电路和版图,其中版图面积为550μm×450μm,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-40~125℃,传感器的系统误差为-1.4~2.0℃,测温分辨率达到0.02℃;在1.2~2.6 V电源电压内,传感器输出温度波动小于0.3℃;在1.2 V电源电压下传感器电路(不含控制逻辑及数字滤波器)的功耗仅为2.4μW。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 温度传感器 超低功耗 无源 温度标签
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基于FPGA的实时CMOS视频图像预处理系统 被引量:6
18
作者 徐渊 周清海 +1 位作者 张智 朱明程 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2013年第4期416-422,共7页
架构一种实时互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)视频图像预处理系统的FPGA实现,该系统实现了图像传感器预处理的关键部分即色彩插值与色彩校正两大模块.在色彩插值处理中,引入一种简捷且有效的边界... 架构一种实时互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)视频图像预处理系统的FPGA实现,该系统实现了图像传感器预处理的关键部分即色彩插值与色彩校正两大模块.在色彩插值处理中,引入一种简捷且有效的边界处理方法;色彩校正中,针对CMOS传感器的特点提出一种RGB空间校正矩阵的便捷生成方法,并在该预处理系统实现了包括自动白平衡、色差校正和伽马校正的功能.设计实现在Xilinx spartan6 LX45T FPGA上,处理速度达120.758 MHz,能实时处理标准高清720P@60fps和1080P@30fps视频图像. 展开更多
关键词 集成电路技术 数据收集和处理系统 互补金属氧化物半导体 大规模集成电路芯片 现场可编程门阵列 实时 图像预处理 伽马校正 白平衡
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CMOS图像传感器在航天遥感中的应用 被引量:21
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作者 王军 李国宏 《航天返回与遥感》 2008年第2期42-47,共6页
文章对互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器的应用情况进行了综述,对CMOS传感器的优缺点与CCD进行了比较。通过计算CMOS遥感器的理论信噪比,证明CMOS传感器能满足航天遥感应用。
关键词 互补金属氧化物半导体 图像传感器 信噪比 航天遥感
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小型CMOS相机系统设计及其硬件实现 被引量:2
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作者 徐冬冬 张宇 +2 位作者 聂婷 张星祥 任建岳 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期117-122,共6页
采用MT9V032型CMOS数字图像传感器设计了一款完整的小型化、低功耗相机.基于初级像差理论,设计了焦距为12.95mm、F数为5的光学系统.该系统体积小、结构紧凑,在空间频率83线对每毫米处,各视场调制传递函数均优于0.5;电子学系统以现场可... 采用MT9V032型CMOS数字图像传感器设计了一款完整的小型化、低功耗相机.基于初级像差理论,设计了焦距为12.95mm、F数为5的光学系统.该系统体积小、结构紧凑,在空间频率83线对每毫米处,各视场调制传递函数均优于0.5;电子学系统以现场可编程门阵列作为时序控制平台,控制CMOS输出数字视频信号,数字视频信号通过差分芯片以低压差分信号格式输出到图像采集卡,最后在计算机上成像.实验结果表明,这种相机像质良好、功耗低、移植性强、可靠性高.当时钟为26.6MHz时,帧频为60帧/秒,并可通过调节内部寄存器的值实现多种模式,特别适用于对相机体积以及成像质量要求较高的场合. 展开更多
关键词 光学设计 cmos 像差 驱动电路 信噪比
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