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顶部电离层和等离子体层电子密度分布--基于GRACE星载GPS信标测量的CT反演 被引量:6
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作者 刘裔文 徐继生 +3 位作者 徐良 尹凡 马淑英 H.Lühr 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2885-2891,共7页
本文利用两颗跟飞的GRACE卫星载GPS信标测量数据和基于差分相对TEC的层析算法,实现了全球范围的顶部电离层和等离子体层(450~5000 km)层析成像.反演结果表明,利用低轨道卫星载GPS信标测量数据可以有效地重建顶部电离层和等离子体层... 本文利用两颗跟飞的GRACE卫星载GPS信标测量数据和基于差分相对TEC的层析算法,实现了全球范围的顶部电离层和等离子体层(450~5000 km)层析成像.反演结果表明,利用低轨道卫星载GPS信标测量数据可以有效地重建顶部电离层和等离子体层的全球二维分布图像.对不同地磁活动条件下的天基层析反演结果表明,等离子体层电子密度随纬度的分布是不均匀的;在低纬赤道带,从顶部电离层向上延伸直到等离子体层,以及等离子体层中局地的电离增强云团,经常出现近似垂直于磁力线的电子密度柱状增强结构. 展开更多
关键词 电离层 等离子体层 层析 全球定位系统 GRACE卫星 电子密度增强结构
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单脉冲和再加热正交双脉冲激光诱导击穿光谱对比研究 被引量:5
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作者 余洋 赵南京 +7 位作者 方丽 孟德硕 谷艳红 王园园 贾尧 马明俊 刘建国 刘文清 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期588-593,共6页
为了提高激光诱导击穿光谱技术(LIBS)的检测灵敏度和辐射光谱特性,采用再加热正交双脉冲结构对样品中的4种元素Fe,Pb,Ca和Mg以及含有不同浓度重金属元素Cr的土壤样品进行分析。研究了4条特征谱线FeⅠ:404.581nm,PbⅠ:405.78nm,CaⅠ:422.... 为了提高激光诱导击穿光谱技术(LIBS)的检测灵敏度和辐射光谱特性,采用再加热正交双脉冲结构对样品中的4种元素Fe,Pb,Ca和Mg以及含有不同浓度重金属元素Cr的土壤样品进行分析。研究了4条特征谱线FeⅠ:404.581nm,PbⅠ:405.78nm,CaⅠ:422.67nm和MgⅠ:518.361nm的光谱强度和信背比随两激光脉冲之间时间间隔的变化关系,获得了两激光脉冲之间最佳的时间间隔为1.0μs。在单脉冲和双脉冲条件下,得到了4条特征谱线FeⅠ:404.581nm,PbⅠ:405.78nm,CaⅠ:422.67nm和MgⅠ:518.361nm光谱强度的增强倍数分别为2.23,2.31,2.42和2.10;分析了特征谱线FeⅠ:404.581nm和CaⅠ:422.67nm谱线强度随时间的演化特性以及4条特征谱线信背比随光谱采集延时的变化关系,双脉冲能有效延长光谱强度的衰减时间以及提高特征谱线的信背比;比较分析了等离子体温度和电子密度随时间的演化特性,在双脉冲条件下,等离子体温度最大升高了730K,电子密度最大增加了1.8×1016 cm-3。单脉冲和双脉冲条件下获得重金属元素Cr的检测限分别为38和20μg·g^(-1),再加热正交双脉冲技术使元素检测限下降近2倍。以上结果表明:再加热正交双脉冲能有效地提升LIBS技术的检测灵敏度和光谱特性,为进一步降低元素的检测限提供了有效的方法。 展开更多
关键词 激光诱导击穿光谱 正交双脉冲 谱线增强 信背比 等离子体温度 电子密度
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磁约束飞秒激光诱导铜等离子体特性研究 被引量:8
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作者 许东华 宋超 +2 位作者 赵上勇 高勋 林景全 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期82-88,共7页
建立磁约束飞秒激光诱导铜等离子体辐射光谱采集系统,通过发射光谱法分析磁约束效应对飞秒激光诱导铜等离子体特性的影响.在强度为0.67T的稳磁场约束下,等离子体辐射连续谱和分立谱均有增强,分立谱线增强更显著;铜原子上能级越高,其辐... 建立磁约束飞秒激光诱导铜等离子体辐射光谱采集系统,通过发射光谱法分析磁约束效应对飞秒激光诱导铜等离子体特性的影响.在强度为0.67T的稳磁场约束下,等离子体辐射连续谱和分立谱均有增强,分立谱线增强更显著;铜原子上能级越高,其辐射的原子谱线增强因子越大,具有最高上能级的Cu I 507.6nm增强因子最大,为2.8;等离子体铜原子谱线持续时间明显延长,在等离子体演化初期,谱线增强显著,在较大延时,谱线增强迅速减弱;等离子体电子温度和电子密度均有提高. 展开更多
关键词 飞秒激光诱导击穿光谱 磁约束 光谱增强 电子温度 电子密度
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暴时密度增强区附近电离层不均匀体研究 被引量:1
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作者 黄丽 袁志刚 +2 位作者 邓晓华 聂志英 林悯惠 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期552-557,共6页
基于IGS提供的TEC数据,研究了2003年10月大磁暴期间的暴时密度增强(Storm EnhancedDensity,SED)现象;利用GPS观测数据,计算出ROTI(Standard deviations of ROT)指数,分析了SED边界附近电离层小尺度不均匀体结构的时间和空间演变.研究表... 基于IGS提供的TEC数据,研究了2003年10月大磁暴期间的暴时密度增强(Storm EnhancedDensity,SED)现象;利用GPS观测数据,计算出ROTI(Standard deviations of ROT)指数,分析了SED边界附近电离层小尺度不均匀体结构的时间和空间演变.研究表明,在磁暴主相期间SED边界附近不均匀体随着磁暴的发展逐渐增多;在主相的中后期不均匀体的分布密集度达到最大;在恢复相期间,不均匀体分布很少;随着磁暴的发展,不均匀体开始主要集中在40°~45°N范围内,随后向高纬漂移,主要集中在45°~55°N范围内. 展开更多
关键词 暴时密度增强(SED) 总电子含量(TEC) ROTI指数 电离层不均匀结构
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板间距对空间约束激光诱导铝等离子体光谱特性的影响 被引量:1
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作者 于远达 于海龙 +1 位作者 高勋 林景全 《激光杂志》 CAS 北大核心 2022年第11期20-24,共5页
开展了平板空间约束条件下板间距对纳秒激光诱导铝等离子体发射光谱特性的影响研究,获得板间距对等离子体光谱增强因子和光谱增强时间的影响规律,以及板间距对等离子体电子温度和电子密度的时间演化影响规律。研究结果表明,在平板空间... 开展了平板空间约束条件下板间距对纳秒激光诱导铝等离子体发射光谱特性的影响研究,获得板间距对等离子体光谱增强因子和光谱增强时间的影响规律,以及板间距对等离子体电子温度和电子密度的时间演化影响规律。研究结果表明,在平板空间约束下,由于反弹冲击波压缩等离子体羽的作用,使等离子体光谱出现了增强,在板间距为8 mm、10 mm和12 mm平板空间约束下,激光诱导铝等离子体光谱的最大光谱增强因子分别为2.3、1.7和1.3倍,对应的时间延时分别为8μs、11μs和12μs。在平板空间约束下,激光诱导铝等离子体电子温度和电子密度均有提高。随着平板间距增大,电子温度和电子密度增大出现的时间越延后,与空间约束等离子体发射光谱强度的时间演化规律一致。 展开更多
关键词 纳秒激光诱导等离子体 空间约束 光谱增强 电子温度 电子密度 板间距
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势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真
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作者 杨鹏 杨琦 刘帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期905-911,共7页
普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)... 普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)结构的AlGaN/GaN HEMT模型,在势垒层中引入带负电荷的氟离子会降低沟道内的正极化电荷,形成类似于"栅场板"结构,以增加导通电阻为代价降低栅电极附近沟道内电场峰值。之后在漏极附近势垒层进行氢离子注入,来补偿LDD结构输出特性的损失,并进一步均匀沟道电场分布,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压特性。最终设计的AlGaN/GaN HEMT器件导通电阻为0. 766 mΩ·cm2,击穿电压为1 176 V。 展开更多
关键词 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件 漏极离子轻掺杂(LDD)技术 增强型HEMT 击穿电压 氢离子注入
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表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文) 被引量:5
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作者 董启明 郭小伟 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期558-564,共7页
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻... 表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持. 展开更多
关键词 干涉光刻 表面等离子体激元 克莱舒曼结构
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