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InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀
被引量：
6
1
作者
陈永远
邓军
+2 位作者
史衍丽
苗霈
杨利鹏
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2013年第2期433-437,共5页
分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 s...
分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 sccm时,刻蚀速率为100 nm/min,且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明,SiCl4/Ar作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但Ar的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用Cl2/Ar作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100 nm/min,但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时,刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。
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关键词
icp
刻蚀
InAs
GASB
二类超晶格
Si
cl
4
ar
cl
2
ar
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职称材料
题名
InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀
被引量：
6
1
作者
陈永远
邓军
史衍丽
苗霈
杨利鹏
机构
北京工业大学北京市光电子技术实验室
昆明物理研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2013年第2期433-437,共5页
基金
国家自然科学基金(U1037602)
文摘
分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 sccm时,刻蚀速率为100 nm/min,且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明,SiCl4/Ar作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但Ar的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用Cl2/Ar作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100 nm/min,但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时,刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。
关键词
icp
刻蚀
InAs
GASB
二类超晶格
Si
cl
4
ar
cl
2
ar
Keywords
InAs/GaSb type
Ⅱ superlattice
Si
cl
4
/ar
cl2 /ar icp etch
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀
陈永远
邓军
史衍丽
苗霈
杨利鹏
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2013
6
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