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CID-ICP-AES测定碱土金属的分析性能 被引量:3
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作者 辛仁轩 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期477-480,共4页
电荷注入检测器 (CID)配合中阶梯光栅分光系统组成的光谱仪有一些新的特性 ,研究了用CID ICP光谱仪测定碱土金属的分析性能。实验表明 ,碱土 (Be,Mg ,Ca ,Sr,Ba)元素有良好的检出限 :Be ,Sr,Ba 0 0 0 0 2mg·L- 1 ,Mg 0 0 0 0 1mg... 电荷注入检测器 (CID)配合中阶梯光栅分光系统组成的光谱仪有一些新的特性 ,研究了用CID ICP光谱仪测定碱土金属的分析性能。实验表明 ,碱土 (Be,Mg ,Ca ,Sr,Ba)元素有良好的检出限 :Be ,Sr,Ba 0 0 0 0 2mg·L- 1 ,Mg 0 0 0 0 1mg·L- 1 ,Ca 0 0 0 0 0 3mg·L- 1 ,线性动态范围 10 4 ~ 10 5,自吸收系数均 <1,Ca,Mg的自吸收系数低至 0 7~ 0 8。研究了光度精度与浓度和谱线强度的关系 ,试液浓度在 1mg·L- 1 以上时 ,测定有良好的精密度。 展开更多
关键词 碱土金属 cid-ICP-AES 电荷注入检测器 等离子体光谱仪 光栅分光系统 光度 浓度
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纳米CMOS器件中热载流子产生缺陷局域分布的表征
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作者 马丽娟 陶永春 《物理学进展》 北大核心 2024年第2期96-101,共6页
本文针对纳米小尺寸CMOS器件,提出了一种根据表面势模型表征热载流子产生电荷陷阱和界面态局域分布的方法。热载流子注入(Hot Carrier Injectione,HCI)应力会在栅氧化层和Si/SiO_(2)界面中产生电荷陷阱和界面态,随着应力时间递增,这些... 本文针对纳米小尺寸CMOS器件,提出了一种根据表面势模型表征热载流子产生电荷陷阱和界面态局域分布的方法。热载流子注入(Hot Carrier Injectione,HCI)应力会在栅氧化层和Si/SiO_(2)界面中产生电荷陷阱和界面态,随着应力时间递增,这些缺陷的增多引起阈值电压等器件参数的漂移,在漏致势垒降低(Drain Induced Barrier Lowering,DIBL)效应下,可以选取表面势最大值处的阈值电压偏移量来表征沟道相应位置处HCI致电荷陷阱和界面态。研究发现,通过测量施加HCI应力前后器件阈值电压偏移量随源/漏极电压的分布,结合表面势模型计算出源/漏极电压随沟道表面势峰值的分布,可以得到HCI致电荷陷阱和界面态沿沟道的局域分布。利用此方法,精确地表征了在32 nm CMOS器件中HCI应力引起的电荷陷阱和界面态沿沟道的分布,并进一步分析了HCI效应的产生机理。 展开更多
关键词 CMOS器件 热载流子注入 界面态 电荷陷阱
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电荷注入检测器-等离子体光谱仪光度精度与分析参数的关系 被引量:5
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作者 辛仁轩 王建晨 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期177-179,共3页
研究了电荷注入检测器 (CID)等离子体光谱仪 (ICP -AES)的光度精度和分析参数的关系。实验结果表明 ,较高的等离子体功率和雾化系统载气压力可得到较好的谱线强度测量的光度精度。CID -ICP光谱仪的光度精度 (RSD <4 % )优于电磁驱动... 研究了电荷注入检测器 (CID)等离子体光谱仪 (ICP -AES)的光度精度和分析参数的关系。实验结果表明 ,较高的等离子体功率和雾化系统载气压力可得到较好的谱线强度测量的光度精度。CID -ICP光谱仪的光度精度 (RSD <4 % )优于电磁驱动顺序等离子体光谱仪 (RSD<1 0 % )。 展开更多
关键词 电荷注入检测器 等离子体光谱仪 光度精度
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iCAP 6300电感耦合等离子体发射光谱仪的常规维护方法 被引量:5
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作者 赵庆令 李清彩 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期767-772,共6页
电感耦合等离子体发射光谱仪在使用过程中,由于控制气体流量的电磁阀出现机械性移位,致使工作气流量过于偏大或偏小,对进样系统及分析数据产生不利影响;长期频繁使用条件下,由于控制光学系统的机械定位装置的磨损,致使谱峰坐标偏离而影... 电感耦合等离子体发射光谱仪在使用过程中,由于控制气体流量的电磁阀出现机械性移位,致使工作气流量过于偏大或偏小,对进样系统及分析数据产生不利影响;长期频繁使用条件下,由于控制光学系统的机械定位装置的磨损,致使谱峰坐标偏离而影响仪器灵敏度;很长时间不能"引燃"等离子体,检查进样系统和氩气纯度并没有发现异常,需要验证RF发生器有无功率输出时有一定的困难;在等离子体工作时产生的高温尾气的长期作用下,难免造成点火头末端铜丝的锈蚀,致使点火头放电微弱,不能"引燃"等离子体。因此,为保证仪器的正常运行,提高工作效率,确保检测数据的准确度,实验室应建立健全电感耦合等离子体发射光谱仪维护保养方案,解决上述问题。本文结合实际工作经验,以iCAP 6300电感耦合等离子体发射光谱仪为例,提出可以借助"Manufacturing and Service.exe"程序校正工作气流量,验证RF发生器是否输出功率;利用C 193.091 nm谱线为基准校正谱线修正CID检测器的谱峰坐标系统;另外,对点火头、分析软件数据库及主机灰尘的清理也进行了详细的维护说明,这些措施有益于保障仪器的性能及提高设备的利用率。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体发射光谱仪 维护保养 电磁阀 点火头 电荷注入检测器 RF发生器
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基于DSP的注塑生产残留物检测控制系统设计 被引量:2
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作者 贾瑞 《合成树脂及塑料》 CAS 北大核心 2019年第2期86-89,共4页
为了提升注塑生产的自动化程度,提高生产效率,避免注塑模具的损坏,设计了一种基于数字信号处理(DSP)和工业相机的注塑生产模具残留物检测控制系统。工业相机将采集的图像信号传送到DSP系统中进行图像处理,DSP系统将检测结果传送到下位... 为了提升注塑生产的自动化程度,提高生产效率,避免注塑模具的损坏,设计了一种基于数字信号处理(DSP)和工业相机的注塑生产模具残留物检测控制系统。工业相机将采集的图像信号传送到DSP系统中进行图像处理,DSP系统将检测结果传送到下位机可编程控制器(PLC)中,PLC根据检测结果控制模具开合。结果表明:该检测系统能够取代传统人工检测,极大地提高了检测效率和准确率,增强了塑料制品注塑的自动化程度。 展开更多
关键词 注塑 残留物 数字信号处理器 工业相机 模具
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一种新的TDI IRCCD驱动与测试系统设计(英文)
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作者 赖睿 周慧鑫 +1 位作者 李庆 王炳健 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期115-119,共5页
基于可视化交互式控制思想,本文提出了一种新的针对延时积分IRCCD的驱动与测试系统方案。不同于传统的驱动电路系统,该系统由主从两大系统构成,其中作为人机接口的主系统主要完成电参数的输入和测试结果的显示,而从系统一方面可根据主... 基于可视化交互式控制思想,本文提出了一种新的针对延时积分IRCCD的驱动与测试系统方案。不同于传统的驱动电路系统,该系统由主从两大系统构成,其中作为人机接口的主系统主要完成电参数的输入和测试结果的显示,而从系统一方面可根据主系统所设置的电参数自动产生高精度的任意可调驱动信号,另一方面则完成对IRCCD器件的电注入测试。实验结果表明新的设计有效地克服了传统设计所固有的缺陷,显著提高了系统的可靠性、灵活性和精度。 展开更多
关键词 红外电耦合器件 驱动电路 电注入测试 红外成像
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基于有机异质结C60/ZnPc的绿色磷光TOLED 被引量:2
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作者 陈爱 王振 +6 位作者 谢嘉凤 王培 肖飞 陈家雯 卢永生 张文霞 王玉婵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期61-68,共8页
以有机异质结C60/ZnPc作为电荷产生层,制备结构为ITO/TPBi(40nm)/C60(x nm)/ZnPc(x nm)/NPB(40nm)/Al(120nm)和ITO/TPBi(40nm)/LiF(y nm)/Al(2nm)/C60(5nm)/ZnPc(5nm)/MoO3(3nm)/NPB(40nm)/Al(120nm)的非发光倒置器件,其中x的值为0、5... 以有机异质结C60/ZnPc作为电荷产生层,制备结构为ITO/TPBi(40nm)/C60(x nm)/ZnPc(x nm)/NPB(40nm)/Al(120nm)和ITO/TPBi(40nm)/LiF(y nm)/Al(2nm)/C60(5nm)/ZnPc(5nm)/MoO3(3nm)/NPB(40nm)/Al(120nm)的非发光倒置器件,其中x的值为0、5、10和15,y的值为0、0.5、1.0和1.5.实验证明,有机异质结C60/ZnPc可在外电场下实现电荷分离,加入LiF/Al和MoO3可更有效地提高电荷产生层的电荷分离和注入能力.基于LiF/Al/C60/ZnPc/MoO3结构,制备绿色磷光叠层有机发光二极管,进一步研究该电荷产生层对叠层器件的光电性能影响.结果表明,电荷产生层的电荷分离和注入可影响叠层器件内部的电荷注入平衡,进而对器件性能产生影响.当LiF、Al、C60、ZnPc和MoO3结构厚度分别为0.5nm、1nm、5nm、5nm和3nm时,电荷产生层产生的电荷与两侧电极注入的电荷达到匹配,使叠层器件具有最佳光电性能,获得了高效绿色磷光叠层器件,其驱动电压明显低于单层器件2倍,最大亮度、电流效率和功率效率分别达84660cd·m^-2、94.7cd·A^-1和43lm·W^-1. 展开更多
关键词 有机半导体 叠层有机发光二极管 非发光倒置器件 电荷产生层 电荷分离 电荷注入 光电性能
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以硫氰酸亚铜作为空穴注入层的钙钛矿发光器件
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作者 吴燕婷 肖择武 +2 位作者 任杰 王琦 杨晓晖 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期504-510,共7页
同有机电荷注入材料相比,无机电荷注入材料具有许多优良的性质,包括高载流子迁移率、良好的稳定性、制备简单和成本低廉等,其在光电器件中的应用备受瞩目。本文采用硫氰酸亚铜(CuSCN)作为有机金属卤化物钙钛矿发光器件的空穴注入层,研... 同有机电荷注入材料相比,无机电荷注入材料具有许多优良的性质,包括高载流子迁移率、良好的稳定性、制备简单和成本低廉等,其在光电器件中的应用备受瞩目。本文采用硫氰酸亚铜(CuSCN)作为有机金属卤化物钙钛矿发光器件的空穴注入层,研究了在其上涂敷钙钛矿薄膜的形貌、晶体结构和光物理性质,并与在普遍采用的导电聚合物空穴注入层上制备钙钛矿薄膜的特性进行了比较。实验结果表明,CuSCN对钙钛矿发光具有显著的猝灭作用,在CuSCN与钙钛矿层之间加入有机间隔层能够明显提高钙钛矿薄膜的发光强度。在此基础上制备了以CuSCN作为空穴注入层的发光器件,器件的最大发光效率为11.7cd/A,较采用导电聚合物作为空穴注入层器件的效率提高了近3倍,并且器件驱动稳定性也有一定程度的提高。 展开更多
关键词 无机材料空穴注入层 硫氰酸亚铜 发光猝灭 钙钛矿发光器件
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