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GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构
被引量：
1
1
作者
刘义族
于福聚
《天津师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2001年第3期39-42,共4页
用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg T...
用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与
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关键词
分子束外延法
Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格
cdte/
znte/
gaas
异质结
双缓冲层生长
晶格结构
晶格生长
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职称材料
Hg_(1-x)Cd_xTe多层薄膜材料结构缺陷的透射电子显微镜测定
2
作者
于福聚
《红外技术》
EI
CSCD
北大核心
1998年第1期9-12,47,共5页
用透射电镜对Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ和ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ两种异质结的横截面进行了观测分析，对异质结附近的某些结构缺陷，如微孪晶的尺寸、几何形态、层错、界面失配位错的组态特征进行了研究，并对多层膜之间的取向差进行了...
用透射电镜对Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ和ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ两种异质结的横截面进行了观测分析，对异质结附近的某些结构缺陷，如微孪晶的尺寸、几何形态、层错、界面失配位错的组态特征进行了研究，并对多层膜之间的取向差进行了分析。说明在ＧａＡｓ衬底上用分子束外延法制备的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ多层膜，就大量结构缺陷而言，ＣｄＴｅ缓冲层对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延层起到了屏障作用。在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ和ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ异质结之间所存在的生长取向差分别取决于其两者间的晶格失配度，一般说来，晶格失配度越大两者间的生长取向差就越大。另外，对ＣｄＴｅ缓冲层中堆垛层错和孪晶的相互作用也进行了讨论。
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关键词
碲镉汞
碲化镉
砷化镓
多层膜异质结
结构缺陷
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职称材料
题名
GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构
被引量：
1
1
作者
刘义族
于福聚
机构
天津师范大学物理与电子信息学院
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《天津师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2001年第3期39-42,共4页
文摘
用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与
关键词
分子束外延法
Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格
cdte/
znte/
gaas
异质结
双缓冲层生长
晶格结构
晶格生长
Keywords
MBE
Hg 1 x Cd x Te HgTe superlattice
cdte/znte/gaas heterojunctions
X ray diffraction
TEM
分类号
O781 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
Hg_(1-x)Cd_xTe多层薄膜材料结构缺陷的透射电子显微镜测定
2
作者
于福聚
机构
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《红外技术》
EI
CSCD
北大核心
1998年第1期9-12,47,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
用透射电镜对Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ和ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ两种异质结的横截面进行了观测分析，对异质结附近的某些结构缺陷，如微孪晶的尺寸、几何形态、层错、界面失配位错的组态特征进行了研究，并对多层膜之间的取向差进行了分析。说明在ＧａＡｓ衬底上用分子束外延法制备的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ多层膜，就大量结构缺陷而言，ＣｄＴｅ缓冲层对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延层起到了屏障作用。在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ和ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ异质结之间所存在的生长取向差分别取决于其两者间的晶格失配度，一般说来，晶格失配度越大两者间的生长取向差就越大。另外，对ＣｄＴｅ缓冲层中堆垛层错和孪晶的相互作用也进行了讨论。
关键词
碲镉汞
碲化镉
砷化镓
多层膜异质结
结构缺陷
Keywords
Hg 1-x Cd xTe/
cdte/
gaas
multilayer
heterojunct
ion Structure defects TEM
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构
刘义族
于福聚
《天津师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2001
1
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职称材料
2
Hg_(1-x)Cd_xTe多层薄膜材料结构缺陷的透射电子显微镜测定
于福聚
《红外技术》
EI
CSCD
北大核心
1998
0
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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