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溅射硒化物靶与金属单质靶制备Cu2ZnSnSe4薄膜及电池的比较研究
1
作者
李祥
王书荣
+6 位作者
廖华
杨帅
李新毓
王亭保
李晶金
李秋莲
刘信
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第10期1807-1813,共7页
采用磁控溅射SnSe-ZnSe-Cu硒化物靶和Sn-Zn-Cu金属单质靶的方法制备两种Cu2ZnSnSe4(CZTSe)预制层,并将两种预制层采用相同的硒化工艺制备出CZTSe薄膜吸收层。分别采用XRD、Raman、SEM、EDS等分析了薄膜的晶体结构、相的纯度、表面及截...
采用磁控溅射SnSe-ZnSe-Cu硒化物靶和Sn-Zn-Cu金属单质靶的方法制备两种Cu2ZnSnSe4(CZTSe)预制层,并将两种预制层采用相同的硒化工艺制备出CZTSe薄膜吸收层。分别采用XRD、Raman、SEM、EDS等分析了薄膜的晶体结构、相的纯度、表面及截面形貌和元素组分,结果发现采用硒化物靶制备的CZTSe吸收层薄膜更为平整致密且无明显孔洞。同时采用Hall测试和J-V测试对太阳电池薄膜的电学性质进行了表征,结果表明硒化物靶制备的CZTSe太阳电池的电流密度以及光电转化效率要高于金属单质靶,金属单质靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为356 mV,短路电流密度为20.61 mA/cm2,光电转换效率为2.18%,而硒化物靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为354 mV,短路电流密度为28.41 mA/cm2,光电转换效率为3.33%。
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关键词
cztse
薄膜
太阳电池
磁控溅射
硒化
光电转换效率
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职称材料
沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu_2ZnSnSe_4薄膜电池的影响
2
作者
刘晓茹
李建军
+5 位作者
刘玮
刘芳芳
敖建平
孙云
周志强
张毅
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第4期578-583,共6页
无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响。通过XRD测试可知,水浴法制备的Z...
无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响。通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态。通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%)。通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒。将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%。
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关键词
无镉缓冲层
化学水浴法
Zn(O
S)
cztse
薄膜电池
沉积时间
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职称材料
题名
溅射硒化物靶与金属单质靶制备Cu2ZnSnSe4薄膜及电池的比较研究
1
作者
李祥
王书荣
廖华
杨帅
李新毓
王亭保
李晶金
李秋莲
刘信
机构
云南师范大学
云南师范大学
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第10期1807-1813,共7页
基金
国家自然科学基金(61941401,U1902218)。
文摘
采用磁控溅射SnSe-ZnSe-Cu硒化物靶和Sn-Zn-Cu金属单质靶的方法制备两种Cu2ZnSnSe4(CZTSe)预制层,并将两种预制层采用相同的硒化工艺制备出CZTSe薄膜吸收层。分别采用XRD、Raman、SEM、EDS等分析了薄膜的晶体结构、相的纯度、表面及截面形貌和元素组分,结果发现采用硒化物靶制备的CZTSe吸收层薄膜更为平整致密且无明显孔洞。同时采用Hall测试和J-V测试对太阳电池薄膜的电学性质进行了表征,结果表明硒化物靶制备的CZTSe太阳电池的电流密度以及光电转化效率要高于金属单质靶,金属单质靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为356 mV,短路电流密度为20.61 mA/cm2,光电转换效率为2.18%,而硒化物靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为354 mV,短路电流密度为28.41 mA/cm2,光电转换效率为3.33%。
关键词
cztse
薄膜
太阳电池
磁控溅射
硒化
光电转换效率
Keywords
cztse
thin
film
solar
cell
magnetron sputtering
selenization
photoelectric conversion efficency
分类号
TM914.4+2 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu_2ZnSnSe_4薄膜电池的影响
2
作者
刘晓茹
李建军
刘玮
刘芳芳
敖建平
孙云
周志强
张毅
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
出处
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第4期578-583,共6页
基金
国家自然科学基金(51572132
61504067
+1 种基金
61674082)
广东省扬帆科技计划团队项目(2014YT02N037)
文摘
无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响。通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态。通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%)。通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒。将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%。
关键词
无镉缓冲层
化学水浴法
Zn(O
S)
cztse
薄膜电池
沉积时间
Keywords
Cd-free buffer layer
chemical bath depositon
Zn（O, S）
cztse thin film solar cell
deposition time
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射硒化物靶与金属单质靶制备Cu2ZnSnSe4薄膜及电池的比较研究
李祥
王书荣
廖华
杨帅
李新毓
王亭保
李晶金
李秋莲
刘信
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu_2ZnSnSe_4薄膜电池的影响
刘晓茹
李建军
刘玮
刘芳芳
敖建平
孙云
周志强
张毅
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017
0
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职称材料
已选择
0
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