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磁控溅射CN_x薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系 被引量:8
1
作者 李俊杰 王欣 +4 位作者 卞海蛟 郑伟涛 吕宪义 金曾孙 孙龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期305-308,共4页
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究。CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行,衬底温度(Ts)保持在350℃,衬底偏压(Vb)在0~-150V之间变化。利用原子力显微镜(AFM)和划痕试验机来测量CN... 对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究。CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行,衬底温度(Ts)保持在350℃,衬底偏压(Vb)在0~-150V之间变化。利用原子力显微镜(AFM)和划痕试验机来测量CNx薄膜的表面粗糙度及对衬底的附着力。AFM和划痕实验的结果显示衬底偏压Vb对CNx薄膜的附着力和表面粗糙程度的影响很大,在-100V偏压下生长的CNx薄膜表面最光滑(粗糙度最小),同时对Si(001)衬底的附着力最好。最后根据实验结果确定了在单晶Si(001)衬底上生长光滑而且附着力好的CNx薄膜的最佳实验条件。 展开更多
关键词 磁控溅射 CNX薄膜 附着力 粗糙度 衬底偏压 碳氮薄膜 薄膜测量
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工艺参数对a-CN_x膜沉积的影响 被引量:1
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作者 肖兴成 江伟辉 +2 位作者 宋力昕 田静芬 胡行方 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期183-187,共5页
研究了基本工艺参数对磁控溅射制备无定形氮化碳(a-CNx)薄膜沉积的影响.实验结果表明:N2流量的增加提高了膜的沉积速率,同时提高了膜中氮含量.溅射功率的提高增加了沉积速率.偏压对硬质膜的制备是一关键的工艺参数,它不... 研究了基本工艺参数对磁控溅射制备无定形氮化碳(a-CNx)薄膜沉积的影响.实验结果表明:N2流量的增加提高了膜的沉积速率,同时提高了膜中氮含量.溅射功率的提高增加了沉积速率.偏压对硬质膜的制备是一关键的工艺参数,它不仅使薄膜致密、表面光滑,而且还可以提高膜中的N含量. 展开更多
关键词 a-CNx膜 工艺参数 沉积 薄膜 磁控溅射 氮化碳
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在不同退火温度下射频磁控溅射CN_x膜的电子场发射性质 被引量:1
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作者 李哲奎 李俊杰 +5 位作者 金曾孙 吕宪义 白晓明 郑冰 田宏伟 于狭升 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期182-184,共3页
对磁控溅射沉积得到的CNx膜在不同温度下进行真空退火,退火前后CNx膜的化学键合采用X射线光电子能谱表征.结果发现,沉积的CNx膜中氮原子与sp,sp2,sp3杂化碳原子相键合,并对经过退火的CNx膜的键合结构和电子场发射特性的影响进行了研究.
关键词 射频磁控溅射 CNx膜 退火温度 电子场发射
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