系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行...系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行为级仿真方法:采用输入输出缓冲区信息规范(input/output buffer information specification,IBIS)模型表征Hi-1573器件的缓冲区特性,通过VHDL-AMS语言完成器件功能区的精细化建模。为验证方法有效性,开展了^(60)Co伽马射线辐照实验,基于实验数据优化总剂量效应模块参数,将其与IBIS总剂量效应模型融合进行仿真。结果显示,仿真结果与实验数据的性能退化趋势高度吻合,充分证明了该行为级仿真方法在CMOS收发器总剂量效应建模中的可行性与可靠性。展开更多
针对智能导钻传感系统在极端温度条件下的应用需求,基于国内0.15μm SOI CMOS工艺,采用正负温度系数电阻平衡、MOS晶体管背栅反馈以及偏置电流温度补偿等技术,设计一款可工作于-50~250℃的宽温区低温漂基准电压源。仿真结果表明,该基准...针对智能导钻传感系统在极端温度条件下的应用需求,基于国内0.15μm SOI CMOS工艺,采用正负温度系数电阻平衡、MOS晶体管背栅反馈以及偏置电流温度补偿等技术,设计一款可工作于-50~250℃的宽温区低温漂基准电压源。仿真结果表明,该基准电压源在-50~250℃温度范围内能够稳定输出2.537 V的基准电压,温度系数为14.45 ppm/℃时,低频下电源抑制比达到-63.1 dB,在不同电源电压和工艺角下仿真均表现出良好的稳定性。该电路适用于需要在宽温度区域内保持高精度和稳定性的电子系统。展开更多
文摘系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行为级仿真方法:采用输入输出缓冲区信息规范(input/output buffer information specification,IBIS)模型表征Hi-1573器件的缓冲区特性,通过VHDL-AMS语言完成器件功能区的精细化建模。为验证方法有效性,开展了^(60)Co伽马射线辐照实验,基于实验数据优化总剂量效应模块参数,将其与IBIS总剂量效应模型融合进行仿真。结果显示,仿真结果与实验数据的性能退化趋势高度吻合,充分证明了该行为级仿真方法在CMOS收发器总剂量效应建模中的可行性与可靠性。
