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BCD工艺栅极驱动器总剂量效应: 1; 作者许世萍崔江维 +7 位作者郑齐文刘刚邢康伟李小龙施炜雷王信李豫东郭旗《强激光与粒子束》北大核心 2025年第5期86-93,共8页; 针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升... 展开更多; 关键词 bcd工艺栅极驱动器总剂量效应环栅加固器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

BCD工艺下光电集成的单光子雪崩光电二极管及前端电路的研制被引量：2: 2; 作者史晓凤庞雪 +6 位作者朱丽君张新宇张媛韩波李佩君郭博程翔《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期267-277,共11页; 提出一种基于BCD工艺用于检测微弱光信号的单光子雪崩光电二极管(SPAD)及前端淬灭-复位电路(QRC)。为减小边缘击穿的风险,提高响应度,设计了一种圆形P+/Nwell/Deep Nwell结构SPAD,Deep Nwell和衬底之间形成的pn结,能够有效减少p衬底流... 展开更多; 关键词单光子雪崩光电二极管光电集成 bcd工艺响应度飞行时间传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于高压BCD工艺的内集成自举电路: 3; 作者冯宇翔左安超李斌《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期140-144,共5页; 设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压... 展开更多; 关键词高压集成电路(HVIC) bcd工艺 MOS自举电路二极管自举电路低电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

高亮度白光LED驱动控制器设计被引量：18: 4; 作者杨旸赵梦恋 +2 位作者陆佳颖李帆吴晓波《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期111-117,共7页; 针对多种应用条件下高亮度白光LED的驱动要求,提出一种对于不同应用电路拓扑具有广泛适应性的LED驱动控制器芯片.设计采用峰值电流模式控制策略以适应LED的控制特性.针对不同应用拓扑对宽供电电压适应性的要求,引入高精度线性调压器为... 展开更多; 关键词 LED驱动控制器峰值电流模式控制 PWM调光 bcd工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种热插拔控制芯片及其控制策略的设计被引量：7: 5; 作者章丹艳赵梦恋 +1 位作者吴晓波严晓浪《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1137-1140,1145,共5页; 为了解决插即用技术中电路板在带电背板上安全插入或拔出的问题,提出了一种低成本高性能的解决方案,设计与构成了一种集成电路热插拔控制器,可以实现对电路板和背板的多重保护,包括发生过流时,自动启动限流装置和电路阻断器;在电源电压... 展开更多; 关键词控制策略过流保护过压保护 bcd(双极型-CMOS-DMOS)工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

阀控密封铅酸蓄电池充电控制集成电路设计被引量：4: 6; 作者赵梦恋吴晓波 +2 位作者汤俊斐张毅严晓浪《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1606-1610,共5页; 为提高阀控密封铅酸(VRLA)蓄电池的充电效率和长期运行的可靠性与安全性,设计了一种智能型阀控密封铅酸蓄电池充电控制芯片,该芯片可控制充电电路实现4种不同模式的充电过程,在微处理器的支持下针对不同应用场合的需要进行编程,交替使用... 展开更多; 关键词阀控密封铅酸蓄电池涓流充电大电流充电恒压充电双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半导体工艺(bcd工艺); 在线阅读下载PDF 职称材料

一种升压型白光LED驱动控制芯片的设计被引量：4: 7; 作者李帆吴晓波《机电工程》 CAS 2008年第11期5-8,11,共5页; 针对高亮度白光LED的驱动要求,提出了一种适用于升压型LED驱动电路控制器的设计方案。针对LED的电气特性,芯片控制策略采用峰值电流模式控制并建立了小信号模型进行系统环路补偿设计;针对LED的背光应用要求,在控制器中集成了模拟与数字... 展开更多; 关键词升压型LED驱动控制器峰值电流模式 PWM调光 bcd工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

压电传感器信号调理及输出芯片设计被引量：2: 8; 作者王远周怡妃 +1 位作者王小龙吴付岗《传感器与微系统》 CSCD 2017年第11期99-102,共4页; 为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流... 展开更多; 关键词压电传感器集成电路设计高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体工艺可调增益放大电路电流型输出; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名BCD工艺栅极驱动器总剂量效应: 1; 作者许世萍崔江维郑齐文刘刚邢康伟李小龙施炜雷王信李豫东郭旗; 机构新疆极端环境电子学重点实验室中国科学院大学北京燕东微电子科技有限公司; 出处《强激光与粒子束》北大核心 2025年第5期86-93,共8页; 基金新疆维吾尔自治区重点研发计划项目(2023B01008) 国家重点研发计划项目(2021YFB2401602) +2 种基金中国科学院青年创新促进会项目。; 文摘针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升的现象,同时发现总剂量辐射对输出电阻几乎无影响。对比两种栅极驱动器辐照前后的测试结果,证明环栅加固方法对抑制总剂量辐射引起的边缘漏电有一定的效果,但辐照总剂量达到500 krad(Si)时,加固器件发生功能失效。通过仿真模拟各级晶体管辐射损伤对器件最终输出结果的影响,确定初级施密特反相器内阈值电压漂移影响转换电压,而末级晶体管阈值电压漂移导致输出高电平下降。; 关键词 bcd工艺栅极驱动器总剂量效应环栅加固器件; Keywords bcd technology gate driver total ionizing dose effect enclosed layout device; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名BCD工艺下光电集成的单光子雪崩光电二极管及前端电路的研制被引量：2: 2; 作者史晓凤庞雪朱丽君张新宇张媛韩波李佩君郭博程翔; 机构阜阳师范大学计算机与信息工程院厦门大学航空航天学院; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期267-277,共11页; 基金安徽省自然科学基金资助项目(No.1608085QF159,No.1808085QF209,No.2008085MF215) 安徽省高校自然科学研究重点项目(No.KJ2017A333,No.KJ2020A0536) +4 种基金阜阳市横向项目(No.XDHX2016005) 无锡商业化基金(No.CBE01G1748)。; 文摘提出一种基于BCD工艺用于检测微弱光信号的单光子雪崩光电二极管(SPAD)及前端淬灭-复位电路(QRC)。为减小边缘击穿的风险,提高响应度,设计了一种圆形P+/Nwell/Deep Nwell结构SPAD,Deep Nwell和衬底之间形成的pn结,能够有效减少p衬底流向雪崩区的暗电流,降低暗计数率,也保证了较小的纵向渡越时间,提高了响应速度。同时设计了P阱保护环,增大了器件的击穿电压。采用silvaco对器件进行二维仿真,与传统的P+/Nwell结构以及P+/Nwell/BNwell结构进行了比较,验证了设计结构在击穿电压、响应度方面的优越性。为实现光电探测器与集成电路的协同设计,改进了APD光电器件的等效电路模型并在此基础上设计了主动淬灭复位电路,死时间约为2.6 ns,能够达到快速探测的目的。测试结果表明,P+/Nwell/DNwell结构的雪崩击穿电压为15.8 V,在过电压为0.2 V时,650 nm光照射下,响应度约为0.80 A/W,暗计数率为20 kHz。; 关键词单光子雪崩光电二极管光电集成 bcd工艺响应度飞行时间传感器; Keywords single photon avalanche photodiode optoelectronic integration bcd technology responsivity time-of-flight sensor; 分类号 TN451 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于高压BCD工艺的内集成自举电路: 3; 作者冯宇翔左安超李斌; 机构华南理工大学微电子学院广东汇芯半导体有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期140-144,共5页; 文摘设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题。基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证。测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4 V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能。; 关键词高压集成电路(HVIC) bcd工艺 MOS自举电路二极管自举电路低电压; Keywords high voltage integrated circuit(HVIC) bcd technology MOS bootstrap circuit diode bootstrap circuit low voltage; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高亮度白光LED驱动控制器设计被引量：18: 4; 作者杨旸赵梦恋陆佳颖李帆吴晓波; 机构浙江大学超大规模集成电路研究所; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期111-117,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(90702002); 文摘针对多种应用条件下高亮度白光LED的驱动要求,提出一种对于不同应用电路拓扑具有广泛适应性的LED驱动控制器芯片.设计采用峰值电流模式控制策略以适应LED的控制特性.针对不同应用拓扑对宽供电电压适应性的要求,引入高精度线性调压器为系统提供稳定的基准电压与工作电压;针对常用的Buck、Boost和Buck-Boost3种拓扑分别提供灵活的接入端口;为支持不同拓扑下的电流检测,构造一个兼具高端与低端电流检测功能的运算放大器;应用分段线性补偿解决斜率补偿中补偿不足或过补偿的问题.芯片实现了3000:1的高调光比,并给出了整个控制器芯片和模块的电路设计.该芯片在1.5μmBCD(bipolar-CMOS-DMOS)工艺下设计与流片,样片测试的结果与设计目标基本一致,取得了预期的效果.; 关键词 LED驱动控制器峰值电流模式控制 PWM调光 bcd工艺; Keywords LED driver controller peak current mode control PWM dimming bcd technology; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种热插拔控制芯片及其控制策略的设计被引量：7: 5; 作者章丹艳赵梦恋吴晓波严晓浪; 机构浙江大学超大规模集成电路设计研究所; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1137-1140,1145,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(50237030) 浙江省自然科学基金资助项目(合同号Z104441); 文摘为了解决插即用技术中电路板在带电背板上安全插入或拔出的问题,提出了一种低成本高性能的解决方案,设计与构成了一种集成电路热插拔控制器,可以实现对电路板和背板的多重保护,包括发生过流时,自动启动限流装置和电路阻断器;在电源电压发生过压时,隔离电源与负载,并启动外部的晶闸管撬棍电路来保护负载;此外,还设置了电源的欠压锁定和输出电压的监测管理功能.对所设计电路进行Specture仿真的结果与预期相符,表明系统的控制策略设计已经全部实现.在BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺下,完成了该热插拔控制器的芯片设计与制造,测试结果表明预期的保护功能均已实现.; 关键词控制策略过流保护过压保护 bcd(双极型-CMOS-DMOS)工艺; Keywords control strategy over-current protection over-voltage protection bcd （bipolar-cmos-dmos） technology; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名阀控密封铅酸蓄电池充电控制集成电路设计被引量：4: 6; 作者赵梦恋吴晓波汤俊斐张毅严晓浪; 机构浙江大学超大规模集成电路研究所; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1606-1610,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(90707002) 浙江省自然科学基金资助项目(z104441); 文摘为提高阀控密封铅酸(VRLA)蓄电池的充电效率和长期运行的可靠性与安全性,设计了一种智能型阀控密封铅酸蓄电池充电控制芯片,该芯片可控制充电电路实现4种不同模式的充电过程,在微处理器的支持下针对不同应用场合的需要进行编程,交替使用4种模式对蓄电池进行充电,使充电效率及电池组的可靠性与安全性达到最佳化;此外该芯片内部设置了电源的欠压锁定、低电压的监测以及过流保护功能,该芯片已在1.5μm 50 V双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半导体(BCD)工艺下设计完成.测试结果表明,芯片工作正常,预期的全部充电控制功能均已实现.; 关键词阀控密封铅酸蓄电池涓流充电大电流充电恒压充电双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半导体工艺(bcd工艺); Keywords Valve Regulated Lead-Acid （VRLA） battery trickle charge bulk charge constant voltage charge bipolar-cmos-dmos （bcd） technology; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种升压型白光LED驱动控制芯片的设计被引量：4: 7; 作者李帆吴晓波; 机构浙江大学超大规模集成电路研究所; 出处《机电工程》 CAS 2008年第11期5-8,11,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(90702002); 文摘针对高亮度白光LED的驱动要求,提出了一种适用于升压型LED驱动电路控制器的设计方案。针对LED的电气特性,芯片控制策略采用峰值电流模式控制并建立了小信号模型进行系统环路补偿设计;针对LED的背光应用要求,在控制器中集成了模拟与数字调光功能,具体介绍了数字调光模式的功能电路,其最大的调光比可以达到3000∶1。为了满足更高的效率要求,设计了无采样电阻的控制电路,减少了外围的器件并提高了系统的效率。芯片在1.5μm BCD工艺下设计并流片,最后进行了各种工作模式下的测试。测试结果显示,该芯片基本满足设计要求。; 关键词升压型LED驱动控制器峰值电流模式 PWM调光 bcd工艺; Keywords Boost LED driver controller peak current mode PWM dimming bcd technology; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名压电传感器信号调理及输出芯片设计被引量：2: 8; 作者王远周怡妃王小龙吴付岗; 机构中国工程物理研究院总体工程研究所; 出处《传感器与微系统》 CSCD 2017年第11期99-102,共4页; 文摘为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流输出电路。仿真结果表明:芯片具有输入阻抗高,单位增益带宽大,总增益可调范围广等特点,在12~24 V宽供电范围下可正常工作,耗电仅为3.1 m A。; 关键词压电传感器集成电路设计高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体工艺可调增益放大电路电流型输出; Keywords piezoelectric sensor integrated circuit design high-voltage bipolar-cmos-dmos （bcd）technology programmable gain amplifier current output; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	BCD工艺栅极驱动器总剂量效应	许世萍崔江维郑齐文刘刚邢康伟李小龙施炜雷王信李豫东郭旗	《强激光与粒子束》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	BCD工艺下光电集成的单光子雪崩光电二极管及前端电路的研制	史晓凤庞雪朱丽君张新宇张媛韩波李佩君郭博程翔	《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于高压BCD工艺的内集成自举电路	冯宇翔左安超李斌	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高亮度白光LED驱动控制器设计	杨旸赵梦恋陆佳颖李帆吴晓波	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	18	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种热插拔控制芯片及其控制策略的设计	章丹艳赵梦恋吴晓波严晓浪	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	7	在线阅读下载PDF 职称材料
6	阀控密封铅酸蓄电池充电控制集成电路设计	赵梦恋吴晓波汤俊斐张毅严晓浪	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一种升压型白光LED驱动控制芯片的设计	李帆吴晓波	《机电工程》 CAS	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
8	压电传感器信号调理及输出芯片设计	王远周怡妃王小龙吴付岗	《传感器与微系统》 CSCD	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料